IC芯片保护电路制造技术

技术编号:22172183 阅读:42 留言:0更新日期:2019-09-21 12:58
本发明专利技术提供一种IC芯片保护电路,该IC芯片保护电路包括:采样比较电路、控制电路、开关电路以及IC芯片反馈电路;采样比较电路用于连接负载端以采集负载端的电压值,并利用电压值与预设稳压值进行对比,确定负载端是否处于欠压或短路状态;控制电路连接采样比较电路,用于在负载端处于欠压或短路状态时生成限压指令发送至开关电路;开关电路连接IC芯片反馈电路,用于在接收限压指令后,限制负载端传输至IC芯片反馈电路的电压;IC芯片反馈电路连接负载端,用于将负载端的输出信号反馈至IC芯片。本发明专利技术的IC芯片保护电路,在负载欠压或短路时,可以降低负载端传输至IC芯片的反馈信号的电压,避免IC芯片电压过大而导致损坏。

IC Chip Protection Circuit

【技术实现步骤摘要】
IC芯片保护电路
本专利技术涉及开关电源领域,具体而言,涉及一种IC芯片保护电路。
技术介绍
现有的在升压恒流电路中,一般使用IC芯片(IC,IntegratedCircuit,集成电路)来控制负载端的输出,该IC芯片中包括有大量的微电子元器件,例如包括有晶体管、电阻以及电容等。在利用IC芯片进行负载端的控制时,该IC芯片还需获取负载端的输出信号作为反馈。而在负载端欠压或短路的状态下,负载端输出的电流会瞬间增大,从而使反馈给IC芯片的信号电压增大,导致IC芯片的损坏。现有技术中,缺少一种在负载端反馈过程中保护IC芯片的电路。
技术实现思路
鉴于上述问题,本专利技术提供了一种IC芯片保护电路,以在负载欠压或短路时,可以降低负载端传输至IC芯片的反馈信号的电压,避免IC芯片电压过大而导致损坏。为了实现上述目的,本专利技术采用如下的技术方案:一种IC芯片保护电路,包括采样比较电路、控制电路、开关电路以及IC芯片反馈电路;所述采样比较电路用于连接负载端以采集所述负载端的电压值,并利用所述电压值与预设稳压值进行对比,确定所述负载端是否处于欠压或短路状态;所述控制电路连接所述采样比较电路,用于在所述负载端处于欠压或短路状态时生成限压指令发送至所述开关电路;所述开关电路连接所述IC芯片反馈电路,用于在接收所述限压指令后,限制所述负载端传输至所述IC芯片反馈电路的电压;所述IC芯片反馈电路连接所述负载端,用于将所述负载端的输出信号反馈至IC芯片。优选地,所述的IC芯片保护电路中,所述采样比较电路包括有第一电阻、第二电阻、稳压管以及第一三极管;所述第一电阻一端连接所述负载端的正极,另一端连接所述稳压管,用于将采集的负载端的电压值传输至所述稳压管;所述稳压管连接所述第一三极管的发射极,用于在所述电压值大于所述稳压管的稳压值时,所述稳压管导通并导通所述第一三极管;所述第一三极管的基极连接所述第二电阻,所述第二电阻的另一端连接所述负载端的负极;所述第一三极管的集电极连接所述控制电路,用于在所述第一三极管导通时输出驱动电压至所述控制电路。优选地,所述的IC芯片保护电路中,所述控制电路包括第二三极管、第三三极管以及驱动电源;所述第二三极管的基极连接所述第一三极管的集电极,所述第二三极管的集电极用于连接所述驱动电源,所述第二三极管的发射极接地;所述第三三极管的基极连接所述第二三极管的集电极,所述第三三极管的集电极连接所述驱动电源以及所述开关电路,所述第三三极管的发射极接地。优选地,所述的IC芯片保护电路中,所述第二三极管的基极与所述第一三极管的集电极之间连接有第三电阻;所述第二三极管的集电极与所述驱动电源之间连接有第四电阻;所述第三三极管的基极与所述第二三极管的集电极之间连接有第五电阻;所述第三三极管的集电极与所述驱动电源之间连接有第六电阻。优选地,所述的IC芯片保护电路中,所述开关电路包括MOS管以及第七电阻;所述MOS管的栅极用于连接所述驱动电源以及所述第三三极管的集电极;所述MOS管的源极用于连接所述IC芯片反馈电路;所述MOS管的漏级用于连接所述负载端的负极,并通过所述第七电阻连接所述IC芯片反馈电路。优选地,所述的IC芯片保护电路中,所述IC芯片反馈电路包括IC芯片反馈引脚、第八电阻以及二极管;所述IC芯片反馈引脚连接所述MOS管的源极,并通过第七电阻连接所述负载端的负极;所述第八电阻一端连接所述IC芯片反馈引脚,另一端接地;所述二极管的正极连接所述IC芯片反馈引脚,负极接地。优选地,所述的IC芯片保护电路中,所述第七电阻的阻值大于10千欧姆。优选地,所述的IC芯片保护电路中,在所述负载端欠压或短路时,所述稳压管、所述第一三极管以及所述第二三极管不导通,所述第三三极管的基极接收所述驱动电源传输的电能后导通,并在集电极输出低电平至所述MOS管的栅极;所述MOS管的栅极接收所述低电平后不导通,所述负载端的负极的输出信号通过所述第七电阻分压后传输至所述IC芯片反馈引脚。优选地,所述的IC芯片保护电路中,所述控制电路包括IC1运放芯片、驱动电源以及基准电压;所述IC1运放芯片的第一引脚连接所述开关电路;所述IC1运放芯片的第二引脚连接所述基准电压;所述IC1运放芯片的第三引脚连接所述采样比较电路,并通过电阻接地;所述IC1运放芯片的第四引脚接地;所述IC1运放芯片的第八引脚连接所述驱动电源。优选地,所述的IC芯片保护电路中,所述负载端包括LED灯。本专利技术提供一种IC芯片保护电路,该IC芯片保护电路包括采样比较电路、控制电路、开关电路以及IC芯片反馈电路;所述采样比较电路用于连接负载端以采集所述负载端的电压值,并利用所述电压值与预设稳压值进行对比,确定所述负载端是否处于欠压或短路状态;所述控制电路连接所述采样比较电路,用于在所述负载端处于欠压或短路状态时生成限压指令发送至所述开关电路;所述开关电路连接所述IC芯片反馈电路,用于在接收所述限压指令后,限制所述负载端传输至所述IC芯片反馈电路的电压;所述IC芯片反馈电路连接所述负载端,用于将所述负载端的输出信号反馈至IC芯片。本专利技术的IC芯片保护电路,在负载欠压或短路时,可以降低负载端传输至IC芯片的反馈信号的电压,避免IC芯片电压过大而导致损坏。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附附图,作详细说明如下。附图说明为了更清楚地说明本专利技术的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例,因此不应被看作是对本专利技术保护范围的限定。在各个附图中,类似的构成部分采用类似的编号。图1是本专利技术实施例1提供的一种IC芯片保护电路的结构示意图;图2是本专利技术实施例2提供的一种IC芯片保护电路的电路原理图;图3是本专利技术实施例3提供的一种IC芯片保护电路的电路原理图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此,以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围,而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。在下文中,可在本专利技术的各种实施例中使用的术语“包括”、“具有”及其同源词仅意在表示特定特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合,并且不应被理解为首先排除一个或更多个其它特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的存在或增加一个或更多个特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的可能性。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述,而不能理解为指示或暗示相对重要性。除非另有限定,否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本专利技术的各种实施例所属领域普通技术人员通常理解的含义相同的含义。所述术语(诸如在一般使用的词典中限定的术语)将被解释为具有与在相关
中的语境含义相同的含义并且将不被解释为具有理想化的含义或过于正式的含义,除非在本专利技术的各种实施例中被清楚地限本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种IC芯片保护电路,其特征在于,包括采样比较电路、控制电路、开关电路以及IC芯片反馈电路;所述采样比较电路用于连接负载端以采集所述负载端的电压值,并利用所述电压值与预设稳压值进行对比,确定所述负载端是否处于欠压或短路状态;所述控制电路连接所述采样比较电路,用于在所述负载端处于欠压或短路状态时生成限压指令发送至所述开关电路;所述开关电路连接所述IC芯片反馈电路,用于在接收所述限压指令后,限制所述负载端传输至所述IC芯片反馈电路的电压;所述IC芯片反馈电路连接所述负载端,用于将所述负载端的输出信号反馈至IC芯片。

【技术特征摘要】
1.一种IC芯片保护电路,其特征在于,包括采样比较电路、控制电路、开关电路以及IC芯片反馈电路;所述采样比较电路用于连接负载端以采集所述负载端的电压值,并利用所述电压值与预设稳压值进行对比,确定所述负载端是否处于欠压或短路状态;所述控制电路连接所述采样比较电路,用于在所述负载端处于欠压或短路状态时生成限压指令发送至所述开关电路;所述开关电路连接所述IC芯片反馈电路,用于在接收所述限压指令后,限制所述负载端传输至所述IC芯片反馈电路的电压;所述IC芯片反馈电路连接所述负载端,用于将所述负载端的输出信号反馈至IC芯片。2.根据权利要求1所述的IC芯片保护电路,其特征在于,所述采样比较电路包括有第一电阻、第二电阻、稳压管以及第一三极管;所述第一电阻一端连接所述负载端的正极,另一端连接所述稳压管,用于将采集的负载端的电压值传输至所述稳压管;所述稳压管连接所述第一三极管的发射极,用于在所述电压值大于所述稳压管的稳压值时,所述稳压管导通并导通所述第一三极管;所述第一三极管的基极连接所述第二电阻,所述第二电阻的另一端连接所述负载端的负极;所述第一三极管的集电极连接所述控制电路,用于在所述第一三极管导通时输出驱动电压至所述控制电路。3.根据权利要求2所述的IC芯片保护电路,其特征在于,所述控制电路包括第二三极管、第三三极管以及驱动电源;所述第二三极管的基极连接所述第一三极管的集电极,所述第二三极管的集电极用于连接所述驱动电源,所述第二三极管的发射极接地;所述第三三极管的基极连接所述第二三极管的集电极,所述第三三极管的集电极连接所述驱动电源以及所述开关电路,所述第三三极管的发射极接地。4.根据权利要求3所述的IC芯片保护电路,其特征在于,所述第二三极管的基极与所述第一三极管的集电极之间连接有第三电阻;所述第二三极管的集电极与所述驱动电源之间连接有第四电阻;所述第三三...

【专利技术属性】
技术研发人员:李海廷周孝亮朱俊高钟春林黄斌李丰平范勇叶界明李少科陈学文唐辉张秀
申请(专利权)人:四川莱福德科技有限公司
类型:发明
国别省市:四川,51

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