一种介质波导滤波器制造技术

本发明专利技术涉及一种介质波导滤波器，包括两个相邻的谐振器，每个谐振器包括介质体和包覆到所述介质体外表面的屏蔽层，每个谐振器设有频率盲孔，所述频率盲孔内表面设置有屏蔽层；所述两个谐振器之间还设有负耦合盲槽，所述负耦合盲槽使所述两个谐振器之间的耦合变为容性耦合。本发明专利技术通过设置负耦合盲槽实现容性耦合，降低了滤波器的重量。

A Dielectric Waveguide Filter

【技术实现步骤摘要】
一种介质波导滤波器
本专利技术涉及一种通信设备器件，尤其是涉及一种介质波导滤波器。
技术介绍
滤波器是一种选频器件，常用在射频系统前端。介质波导滤波器相较于传统的波导滤波器具有较大的优势，故在5G通信设备中具有广泛的应用前景。小型化、高性能、低功耗滤波器又是通信设备，尤其是5G设备小型化的关键。为了提高介质波导滤波器的频率选择特性，通常采用交叉耦合，使其相位相差180°，从而形成频率响应通带外的极点。传统的实现容性耦合的做法就是采用零腔结构，即在增加一个谐振频率在滤波器通带高端或者低端的介质单腔，形成通带高端或低端的传输零点。这种方法增加了器件的体积以及重量，与5G对器件的要求相悖。
技术实现思路
本专利技术的目的是，使用另一种技术方案实现介质波导滤波器的容性耦合。为此，本专利技术提供一种介质波导滤波器，包括两个相邻的谐振器，每个谐振器包括介质体和包覆到所述介质体外表面的屏蔽层，每个谐振器设有频率盲孔，所述频率盲孔内表面设置有屏蔽层；所述两个谐振器之间还设有负耦合盲槽，所述负耦合盲槽使所述两个谐振器之间的耦合变为容性耦合。作为一种优选方案，所述负耦合盲槽的深度大于所述介质体高度的20％作为一种优选方案，所述介质体的高度在3毫米至20毫米。作为一种优选方案：所述负耦合盲槽的内壁、底部均设有屏蔽层；或者所述负耦合盲槽的内壁、底部其中之一设有屏蔽层；或者所述负耦合盲槽的内壁、底部均未设有屏蔽层。作为一种优选方案：所述负耦合盲槽位于所述介质体的一个面；或者所述负耦合盲槽分别位于所述介质体的相对的两个面。作为一种优选方案：所述负耦合盲槽两端均未连通到所述介质体的外表面；或者所述负耦合盲槽仅在一端连通到所述介质体的外表面；或者所述负耦合盲槽仅在一端连通到形成于所述介质体的通槽；或者所述负耦合盲槽的两端分别连通到对应的两个频率盲孔。作为一种优选方案，所述负耦合盲槽的底部设有连接孔，所述连接孔的直径小于或等于所述负耦合盲槽的宽度；所述连接孔分别连通到所述介质体的另一个相对表面，或者连通到位于所述介质体的另一个相对表面的负耦合盲槽。作为一种优选方案，所述连接孔的内壁设有或者未设有屏蔽层。作为一种优选方案，所述负耦合盲槽的底部平齐或者不平齐。作为一种优选方案，所述两个谐振器之间还设有通槽。本专利技术通过设置负耦合盲槽使所述两个谐振器之间的耦合变为容性耦合，降低了滤波器的重量。【附图说明】图1为本专利技术第一实施例提供的介质波导滤波器的立体示意图；图2是图1所示滤波器的平面示意图；图3是图2所示滤波器的局部剖视图；图4是图3所示滤波器的一种替换设计；图5为本专利技术第二实施例提供的介质波导滤波器的立体示意图；图6是图5所示滤波器的平面示意图；图7是图6所示滤波器的局部剖视图；图8是图7所示滤波器的一种替换设计；图9为本专利技术第三实施例提供的介质波导滤波器的立体示意图；图10是图9所示滤波器的平面示意图；图11是图10所示滤波器的局部剖视图；图12是图11所示滤波器的一种替换设计；图13为本专利技术第四实施例提供的介质波导滤波器的立体示意图；图14是图13所示滤波器的平面示意图；图15是图14所示滤波器的局部剖视图；图16是图15所示滤波器的一种替换设计；图17为本专利技术第五实施例提供的介质波导滤波器的立体示意图；图18是图17所示滤波器的平面示意图；图19是图18所示滤波器的局部剖视图；图20和图21是图19所示滤波器的两种替换设计；图22为本专利技术第六实施例提供的介质波导滤波器的立体示意图；图23是图22所示滤波器的平面示意图；图24是图23所示滤波器的局部剖视图；图25和图26是图24所示滤波器的两种替换设计；图27为本专利技术第七实施例提供的介质波导滤波器的立体示意图；图28是图27所示滤波器的平面示意图；图29是图28所示滤波器的局部剖视图；图30是图29所示滤波器的一种替换设计；图31为本专利技术第八实施例提供的介质波导滤波器的立体示意图；图32是图31所示滤波器的平面示意图；图33是图32所示滤波器的局部剖视图；图34为本专利技术第九实施例提供的介质波导滤波器的立体示意图；图35是图34所示滤波器的平面示意图；图36是图35所示滤波器的局部剖视图；图37至39是图36所示滤波器的三种替换设计；图40为本专利技术第十实施例提供的介质波导滤波器的立体示意图；图41是图40所示滤波器的平面示意图；图42是图41所示滤波器的局部剖视图；图43至45是图42所示滤波器的三种替换设计；图46为本专利技术第十一实施例提供的介质波导滤波器的立体示意图；图47是图40所示滤波器的局部平面示意图；图48是图47所示滤波器的局部剖视图；图49是本专利技术第一实施例的滤波器的仿真示意图。【具体实施方式】下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的描述。参考图1，本专利技术第一实施例中，所提供的介质波导滤波器包括四个谐振器，该四个谐振器呈两行两列的方式排列。介质波导滤波器中间具有十字形的通槽15，该十字形通槽15将介质波导滤波器划分为四个区域，每个区域有一个谐振器。可以理解地，是否需要通槽15、是否需要十字形通槽15需要根据具体情况去决定。每个谐振器包括介质体11和包覆到介质体外表面的屏蔽层12。屏蔽层12为金或银或铜等。每个谐振器设有频率盲孔13，频率盲孔13内表面设置有屏蔽层。两个谐振器之间还设有负耦合盲槽21，负耦合盲槽21可使两个谐振器之间的耦合变为容性耦合。本实施例中，负耦合盲槽21为四棱柱状，负耦合盲槽21的深度大于所述介质体高度的20％，从而使两谐振器之间的耦合变为容性耦合。介质体的高度在3毫米至20毫米。该滤波器的仿真效果如图48所示，图48中，横坐标表示频率范围，单位MHz，纵坐标表示S11和S21曲线的大小，单位dB。参考图2和图3，负耦合盲槽21的内壁23、底部25均设有屏蔽层。参考图4，替换地，底部25可以不设屏蔽层。参考图5至图7，本专利技术第二实施例中，与第一实施例的主要差异在于，负耦合盲槽21的底部不是平齐，而是包括深底26与浅底27，该种方案下，负耦合盲槽21的深度是以深底26为准。内壁23、深底26和浅底27都覆盖有屏蔽层。参考图8，替换地，深底26和浅底27可以只有一部分设有屏蔽层，或者都不设屏蔽层。参考图9至图11，本专利技术第三实施例中，与第二实施例的主要差异在于，负耦合盲槽21的一侧与通槽15连通。参考图11和图12，深底26和浅底27可以全部设置屏蔽层，或者只有一部分设有屏蔽层，或者都不设屏蔽层。参考图13至图15，本专利技术第四实施例中，与第三实施例的主要差异在于，负耦合盲槽21的一侧与通槽15连通，另一侧连通介质体11的外表面。参考图15和图16，深底26和浅底27可以全部设置屏蔽层，或者只有一部分设有屏蔽层，或者都不设屏蔽层。参考图17至图19，本专利技术第五实施例中，与第一实施例的主要差异在于，负耦合盲槽21设置在介质体11的底面和顶面，即，分别形成于介质体11的两个相对的表面。该两个负耦合盲槽21可以正对，也可以错开。参考图19,两个负耦合盲槽21的两个底部都可以设置屏蔽层。替换地，参考图20和图21，底部25可以不设屏蔽层，或者只在一个底部25设屏蔽层。参考图22至图24，本专利技术第六实施例中，与第五实施例的主要差异在于，两个相对的负耦合盲槽2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种介质波导滤波器，包括两个相邻的谐振器，每个谐振器包括介质体和包覆到所述介质体外表面的屏蔽层，其特征在于，每个谐振器设有频率盲孔，所述频率盲孔内表面设置有屏蔽层；所述两个谐振器之间还设有负耦合盲槽，所述负耦合盲槽使所述两个谐振器之间的耦合变为容性耦合。

【技术特征摘要】
1.一种介质波导滤波器，包括两个相邻的谐振器，每个谐振器包括介质体和包覆到所述介质体外表面的屏蔽层，其特征在于，每个谐振器设有频率盲孔，所述频率盲孔内表面设置有屏蔽层；所述两个谐振器之间还设有负耦合盲槽，所述负耦合盲槽使所述两个谐振器之间的耦合变为容性耦合。2.如权利要求1所述的介质波导滤波器，其特征在于，所述负耦合盲槽的深度大于所述介质体高度的20％。3.如权利要求1所述的介质波导滤波器，其特征在于，所述介质体的高度在3毫米至20毫米。4.如权利要求1所述的介质波导滤波器，其特征在于：所述负耦合盲槽的内壁、底部均设有屏蔽层；或者所述负耦合盲槽的内壁、底部其中之一设有屏蔽层；或者所述负耦合盲槽的内壁、底部均未设有屏蔽层。5.如权利要求1所述的介质波导滤波器，其特征在于：所述负耦合盲槽位于所述介质体的一个面；或者所述负耦合盲槽分别位于所述介质体的相对...

【专利技术属性】
技术研发人员：章博，段宗金，
申请(专利权)人：深圳市国人射频通信有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44