一种显示面板的制作方法，以及显示面板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种显示面板的制作方法，以及显示面板和显示装置。显示面板的制作方法包括：形成所述显示面板的栅极薄膜层，并在栅极薄膜层上形成胶层，采用具有半透光区域的掩膜板对栅极薄膜层进行一次图形化工艺处理，形成显示面板中晶体管的栅极和栅极扫描线，该栅极扫描线与非同层信号线的交叠区域中，至少部分交叠区域包括第一栅线通道，或者包括所述第一栅线通道和至少一个第二栅线通道。本发明专利技术实施例解决了现有显示面板的像素电路的布局中，信号线交叠区域的设计难以兼顾对高良率和低负载的要求。

A method of making display panel and display panel and display device

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板的制作方法，以及显示面板和显示装置
本申请涉及但不限于显示技术和半导体工艺
，尤指一种显示面板的制作方法，以及显示面板和显示装置。
技术介绍
随着显示技术的发展，现有显示产品朝着高像素密度(PixelsPerInch，简称为：PPI)的方向发展。由于目前显示领域中高分辨率、高品质产品的快速发展，随之产生了很多技术上的问题。例如，由于像素布局(Layout)空间的限制，信号线的交叠引发的良率风险，以及栅极驱动(GateDriveronArray，简称为：GOA)电路对栅极负载(GateLoading)较为敏感等问题；现有像素布局中，信号线交叠区域的设计难以兼顾对高良率和低负载的要求。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种显示面板的制作方法，以及显示面板和显示装置，以解决现有显示面板的像素电路的布局中，信号线交叠区域的设计难以兼顾对高良率和低负载的要求。本专利技术实施例提供一种显示面板的制作方法，包括：形成所述显示面板的栅极薄膜层，并在所述栅极薄膜层上形成胶层；采用具有半透光区域的掩膜板对所述栅极薄膜层进行一次图形化工艺处理，形成所述显示面板中晶体管的栅极和栅极扫描线，所述栅极扫描线与非同层信号线的交叠区域中，至少部分所述交叠区域包括第一栅线通道，或者包括所述第一栅线通道和至少一个第二栅线通道。可选地，如上所述的显示面板的制作方法中，所述掩膜板包括非透光区域、所述半透光区域和透光区域；其中，所述半透光区域为半色调掩膜区域，或者，所述半透光区域包括平行设置的多个条状掩膜线栅。可选地，如上所述的显示面板的制作方法中，所述采用具有半透光区域的掩膜板对所述栅极薄膜层进行一次图形化工艺处理，包括：采用所述掩膜板对所述栅极薄膜层进行掩膜、一次曝光、显影、光阻灰化和刻蚀处理后，形成的所述栅极扫描线中的所有交叠区域包括所述第一栅线通道，其中，所述非透光区域在所述栅极薄膜层所在平面的投影区域与所述栅极扫描线重叠。可选地，如上所述的显示面板的制作方法中，所述采用具有半透光区域的掩膜板对所述栅极薄膜层进行一次图形化工艺处理，包括：采用所述掩膜板对所述栅极薄膜层进行掩膜、一次曝光、显影和刻蚀处理后，形成的所述栅极扫描线中的至少部分所述交叠区域包括所述第一栅线通道和至少一个所述第二栅线通道，其中，所述半透光区域在所述栅极薄膜层所在平面的投影区域与所述第二栅线通道重叠，所述非透光区域在所述栅极薄膜层所在平面的投影区域与所述第一栅线通道和非交叠区域的栅极扫描线重叠。可选地，如上所述的显示面板的制作方法中，所述交叠区域内，所述第一栅线通道的两端与所述第二栅线通道的两端一一对应的相连通。可选地，如上所述的显示面板的制作方法中，所述非同层信号线包括所述显示面板的数据信号线，电源电压信号线和检测信号线。本专利技术实施例提供还一种显示面板，采用如上述任一项显示面板的制作方法制作出所述显示面板，所述显示面板包括：像素阵列层和显示单元，所述像素阵列层中的栅极扫描线与非同层信号线的交叠区域中，至少部分所述交叠区域包括第一栅线通道，或者包括所述第一栅线通道和至少一个第二栅线通道。可选地，如上所述的显示面板中，至少部分所述交叠区域中包括所述第一栅线通道和至少一个所述第二栅线通道。可选地，如上所述的显示面板中，所述第一栅线通道、所述第二栅线通道和非交叠区域中栅极扫描线的宽度相同，且同一栅极扫描线上的第一栅线通道和非交叠区域形成条状的所述栅极扫描线。可选地，如上所述的显示面板中，所述第二栅线通道为U形或圆弧形，所述第二栅线通道的两端与所述第一栅线通道的两端一一对应的相连接。可选地，如上所述的显示面板中，所述第一栅线通道和所述第二栅线通道的宽度相同，且小于非交叠区域中栅极扫描线的宽度，所述第一栅线通道和所述第二栅线通道的两端分别连接到其两侧相邻非交叠区域的栅极扫描线上。本专利技术实施例提供还一种显示装置，包括：如上述任一项所述的显示面板。本专利技术实施例提供的显示面板的制作方法，以及显示面板和显示装置，通过形成显示面板的栅极薄膜层和位于该栅极薄膜层上的胶层，并采用具有半透光区域的掩膜板对栅极薄膜层进行一次图形化工艺处理，形成显示面板中晶体管的栅极和栅线，该栅线与非同层信号线的交叠区域中，至少部分交叠区域包括第一栅线通道，或者包括第一栅线通道和至少一个第二栅线通道，即上述掩膜板中的半透光区域在一次图形化工艺处理过程中，用于形成第二栅线通道。采用本专利技术实施例提供的显示面板的制作方，通过合理的设计制作栅极工艺中使用的掩膜板的结构，即在掩膜板中设置半透光区域，并通过工艺方式的配合实施，可以选择性的形成上述可维修方案和不可维修方案中的栅线图形，即将两种方案的掩膜板集中在一张掩膜板上，针对不同的工艺能力、设计要求等切换实施可维修方案和不可维修方案，从而为良品率的提升和信号负载提供了有效的技术支持。附图说明附图用来提供对本专利技术技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本专利技术的技术方案，并不构成对本专利技术技术方案的限制。图1为显示面板中一种像素电路的结构示意图；图2为图1所示像素电路的一种信号线构架的结构示意图；图3为图1所示像素电路的另一种信号线构架的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种显示面板的制作方法的图流程；图5为本专利技术实施例提供的显示面板的制作方法中一种工艺过程的示意图；图6为本专利技术实施例提供的显示面板的制作方法制作出的显示面板的一种信号线的结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的显示面板的制作方法制作出的显示面板的另一种信号线的结构示意图；图8为本专利技术实施例提供的显示面板的制作方法制作出的显示面板的又一种信号线的结构示意图；图9为本专利技术实施例提供的显示面板的制作方法中一种掩膜板的结构示意图；图10为本专利技术实施例提供的显示面板的制作方法中另一种工艺过程的示意图；图11为本专利技术实施例提供的显示面板的制作方法中又一种工艺过程的示意图；图12为本专利技术实施例提供的显示面板的制作方法制作出的显示面板的再一种信号线的结构示意图；图13为本专利技术实施例提供的显示面板的制作方法制作出的显示面板的再一种信号线的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本专利技术的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。目前的显示产品，例如液晶显示(LiquidCrystalDisplay，简称为：LCD)面板、自发光的有机电致发光显示(OrganicLight-EmittingDiode，简称为：OLED)面板等，都朝着高PPI的方向发展，例如，OLED8K显示面板的分辨率为7680*4320。高分辨率显示面板中，受像素布局空间的限制，信号线的交叠会引发良率风险，如图1所示，为显示面板中一种像素电路的结构示意图，图1以3T1C(指一个像素电路中包括3个晶体管和1个电容)类型的像素电路为例予以说明，图1所示像素单元包括第一晶体管T1，第二晶体管T2、第三晶体管T3，以及电容C和二极管D，上述晶体管T1到T3例如为薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称为：TFT)，其中，第一晶体管T1的漏极D1连接到数据线Data、源极S1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：形成所述显示面板的栅极薄膜层，并在所述栅极薄膜层上形成胶层；采用具有半透光区域的掩膜板对所述栅极薄膜层进行一次图形化工艺处理，形成所述显示面板中晶体管的栅极和栅极扫描线，所述栅极扫描线与非同层信号线的交叠区域中，至少部分所述交叠区域包括第一栅线通道，或者包括所述第一栅线通道和至少一个第二栅线通道。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：形成所述显示面板的栅极薄膜层，并在所述栅极薄膜层上形成胶层；采用具有半透光区域的掩膜板对所述栅极薄膜层进行一次图形化工艺处理，形成所述显示面板中晶体管的栅极和栅极扫描线，所述栅极扫描线与非同层信号线的交叠区域中，至少部分所述交叠区域包括第一栅线通道，或者包括所述第一栅线通道和至少一个第二栅线通道。2.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述掩膜板包括非透光区域、所述半透光区域和透光区域；其中，所述半透光区域为半色调掩膜区域，或者，所述半透光区域包括平行设置的多个条状掩膜线栅。3.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述采用具有半透光区域的掩膜板对所述栅极薄膜层进行一次图形化工艺处理，包括：采用所述掩膜板对所述栅极薄膜层进行掩膜、一次曝光、显影、光阻灰化和刻蚀处理后，形成的所述栅极扫描线中的所有交叠区域包括所述第一栅线通道，其中，所述非透光区域在所述栅极薄膜层所在平面的投影区域与所述栅极扫描线重叠。4.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述采用具有半透光区域的掩膜板对所述栅极薄膜层进行一次图形化工艺处理，包括：采用所述掩膜板对所述栅极薄膜层进行掩膜、一次曝光、显影和刻蚀处理后，形成的所述栅极扫描线中的至少部分所述交叠区域包括所述第一栅线通道和至少一个所述第二栅线通道，其中，所述半透光区域在所述栅极薄膜层所在平面的投影区域与所述第二栅线通道重叠，所述非透光区域在所述栅极薄膜层所在平面的投影区域与所述第一栅线通道和...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁粲，李永谦，袁志东，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方卓印科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11