一种调节像素电路的方法技术

本发明专利技术公开了一种调节像素电路的方法，涉及显示器件技术领域，用以解决现有显示器件残像消除时间过长，无法满足高要求的残像标准的问题。本发明专利技术实施例通过在EM发光阶段输入几段使驱动晶体管TFT断开的EM电平信号，TFT能够得到短暂的关闭时间得以恢复自身状态，得到恢复的TFT电路中总的电流密度高于TFT一直开启时的电流密度，因此屏幕的发光亮度不变，由于其电流密度高于TFT一直开启时的电流密度，因此可以理解为TFT工作电压Vg负向增大，则黑白棋盘格画面切换到灰阶后的初始电流差异减小，使得残像可以减轻。

A Method of Adjusting Pixel Circuit

【技术实现步骤摘要】
一种调节像素电路的方法
本专利技术涉及显示器件
，特别涉及一种调节像素电路的方法。
技术介绍
随着科技的发展以及消费水平的逐渐提高，人们对于手机屏幕的使用体验的要求也越来越高，主要体现在对于手机屏幕在画面切换时的残像标准要求越来越严格。目前，OLED发光屏幕是最火热的手机屏幕技术，评价OLED发光屏幕残像水准的方式很多，其中有一种比较严格的评价残像的标准，如图1所示，在比较复杂的棋盘格画面，将屏幕点亮3分钟后，切换到31灰阶画面，目视屏幕中残像消失的时间，通常需要几分钟到十几分钟，残像才能完全消失。其中，产生上述残像的原因主要包括：如图2所示，棋盘格的黑色部分切换到31灰阶画面时，电流会增大(黑色部分相对于31灰阶画面电流大)，因此黑色区域相对较亮；白色部分切换到31灰阶画面时，电流会减小(白色部分相对于31灰阶画面电流小)，因此白色区域相对较暗，因为不同棋盘格区域的电流差异，导致亮度差异，目视就会看到明显的残像。现有OLED发光屏幕具有明显的残像，残像消除时间通常在几分钟到几十分钟之间，无法满足高要求的残像标准。综上所述，现有显示器件残像消除时间过长，无法满足高要求的残像标准。
技术实现思路
本专利技术提供一种调节像素电路的方法，用以解决现有显示器件残像消除时间过长，无法满足高要求的残像标准的问题。为解决上述问题，本专利技术实施例提供的一种调节像素电路的方法包括：通过OLED电路控制有机电致发光面板中各像素单元内的有机电致发光单元进行显示，其中，所述OLED电路包括驱动薄膜晶体管开关；每一个所述有机电致发光单元进行显示的每一帧时间内包括EM发光阶段；其中，在所述EM发光阶段中，向OLED电路输入几段控制所述驱动薄膜晶体管关闭的EM电平信号。上述方法，由于TFT的特性，TFT随着导通时间的增长TFT的导电性能会降低，本专利技术实施例通过在EM发光阶段输入几段使驱动晶体管TFT断开的EM电平信号，TFT能够得到短暂的关闭时间得以恢复自身状态，得到恢复的TFT电路中总的电流密度高于TFT一直开启时的电流密度，因此屏幕的发光亮度不变，由于其电流密度高于TFT一直开启时的电流密度，因此可以理解为TFT工作电压Vg负向增大，则黑白棋盘格画面切换到灰阶后的初始电流差异减小，使得残像可以减轻。在一种可选的实施方式中，所述在所述EM发光阶段中，向OLED电路输入几段控制所述驱动薄膜晶体管关闭的EM电平信号，包括：在一帧时间内输入几段使所述驱动薄膜晶体管开关关闭的EM电平信号中，各段EM电平信号的持续时间相等。在一种可选的实施方式中，在一帧时间内输入的EM电平信号的段数不小于2，且每段EM电平信号之间的间隔相等。上述方法，插入几段间隔相等，持续时间相等的使所述驱动薄膜晶体管开关关闭的EM电平信号，能够保证屏幕发光亮度更加均匀，避免屏幕出现忽明忽暗的现象。在一种可选的实施方式中，所述TFT的类型为P型，在OLED电路的EM发光阶段输入EM高电平信号；或所述TFT的类型为N型，在OLED电路的EM发光阶段输入几段EM低电平信号。上述方法，本专利技术适用于多种TFT电路，实现方式简单灵活。在一种可选的实施方式中，在所述EM发光阶段，占空比不大于100％，不小于80％。上述方法，占空比为OLED导通时间占EM发光阶段总时间的比例，占空比在不小于80％，不大于100％的条件时，人眼不会识别出屏幕闪烁。在一种可选的实施方式中，在所述EM发光阶段中，向OLED电路中与驱动薄膜晶体管相连的开关薄膜晶体管的栅极输入6段占比为3％-3.5％的使所述驱动薄膜晶体管开关关闭的EM电平信号。在一种可选的实施方式中，在所述EM发光阶段中，向OLED电路中与驱动薄膜晶体管相连的开关薄膜晶体管的栅极输入4段占比为4.5％-5％的使所述驱动薄膜晶体管开关关闭的EM电平信号。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种黑白棋盘格显示残像的示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种残像评价基准原理图；图3为本专利技术实施例提供的一种OLEDpixel电路及对应信号时序示意图；图4为本专利技术实施例提供的另一种OLEDpixel电路信号时序示意图；图5为本专利技术实施例提供的一种电压变化示意图；图6为本专利技术实施例提供的另一种电压变化示意图；图7为本专利技术实施例提供的一种黑白棋盘格电流曲线示意图；图8为本专利技术实施例提供的另一种黑白棋盘格电流曲线示意图；图9为本专利技术实施例提供的第一种周期信号时序图；图10为本专利技术实施例提供的第二种周期信号时序图；图11为本专利技术实施例提供的第三种周期信号时序图；图12为本专利技术实施例提供的实施例2相关的JND曲线示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部份实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供一种像素电路，该像素电路可应用于显示装置中，通过OLED像素电路控制有机电致发光面板中各像素单元内的有机电致发光单元进行显示，其中，所述OLED电路包括驱动薄膜晶体管开关；每一个所述有机电致发光单元进行显示的每一帧时间内包括EM发光阶段，下面进行举例说明：如图3所示，是本专利技术实施例提供的一种像素电路的结构框图，该像素电路包括中1个驱动晶体管T3，和6个开关晶体管，分别为T1、T2、T4、T5、T6和T7，一个存储电容Cst，像素电路的数据信号输入端Gate、复位端Reset、EM端均输入相应的信号，控制各晶体管的导通关断。假设该像素电路中的晶体管都为P型，当栅极电压为低电平时晶体管导通。像素电路的工作过程可包括如下阶段：在M1阶段，也称为复位阶段，EM输入高电平信号，T5和T6断开；Gate输入高电平信号，T2、T4和T7断开；Reset输入低电平信号，T1导通，向存储电容Cst的第一端充电，清除存储电容中原有数据；在M2阶段，也称为数据写入阶段或阈值补偿阶段，EM输入高电平信号，T5和T6断开；Reset输入高电平信号，T1断开；Gate输入低电平信号，T2和T4导通，此时由于存储电容Cst内为低电平，因此T3也导通。由此，数据信号输入端Vdata输入的数据信号通过导通的驱动晶体管T3、开关晶体管T4和开关晶体管T2，向存储电容Cst的第一端充电。其中，晶体管T7导通后控制第N+1行的Reset信号，相当于当前第N行的栅极与Reset信号相连的晶体管T1的作用，此处不再赘述。在M3阶段，也称为EM发光阶段，EM输入低电平信号，T5和T6导通；Reset输入高电平信号，T1断开；Gate输入高电平信号，T2、T3、T4和T7断开，同时T3也导通，因此，OLED发光。在M3阶段，也称为EM发光阶段，Reset输入高电平信号，T1断开；Gate输入高电平信号，T2、T4和T7断开，EM输入低电平信号，T5和T6导通，存储电容Cst本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种调节像素电路的方法，其特征在于，该方法包括：通过OLED电路控制有机电致发光面板中各像素单元内的有机电致发光单元进行显示，其中，所述OLED电路包括驱动薄膜晶体管开关；每一个所述有机电致发光单元进行显示的每一帧时间内包括EM发光阶段；其中，在所述EM发光阶段中，向OLED电路输入几段控制所述驱动薄膜晶体管关闭的EM电平信号。

【技术特征摘要】
1.一种调节像素电路的方法，其特征在于，该方法包括：通过OLED电路控制有机电致发光面板中各像素单元内的有机电致发光单元进行显示，其中，所述OLED电路包括驱动薄膜晶体管开关；每一个所述有机电致发光单元进行显示的每一帧时间内包括EM发光阶段；其中，在所述EM发光阶段中，向OLED电路输入几段控制所述驱动薄膜晶体管关闭的EM电平信号。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述EM发光阶段中，向OLED电路输入几段使所述驱动薄膜晶体管关闭的EM电平信号，包括：在一帧时间内输入几段使所述驱动薄膜晶体管关闭的EM电平信号中，各段EM电平信号的持续时间相等。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在一帧时间内输入的EM电平信号的段数不小于2，且每段EM电平信号之间的间隔相...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙文，谢海涛，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，绵阳京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11