一种化合物、有机电致发光器件及显示装置制造方法及图纸

技术编号:22153550 阅读:35 留言:0更新日期:2019-09-21 05:43
本发明专利技术涉及有机电致发光技术领域,特别是涉及一种化合物、有机电致发光器件及显示装置。所述化合物具有式(I)所示的结构,

A Compound, Organic Electroluminescent Device and Display Device

【技术实现步骤摘要】
一种化合物、有机电致发光器件及显示装置
本专利技术涉及有机电致发光
,特别是涉及一种化合物、有机电致发光器件及显示装置。
技术介绍
目前较多使用的电子传输材料,例如红菲略啉(batho-phenanthroline,BPhen)、浴铜灵(bathocuproine,BCP)和TmPyPB,大体上能符合有机电致发光面板的市场需求,但它们的玻璃化转变温度较低,一般小于85℃,器件运行时,产生的焦耳热会导致分子的降解和分子结构的改变,使面板效率较低和热稳定性较差。同时,这种分子结构对称化很规则,长时间后很容易结晶。一旦电子传输材料结晶,分子间的电荷跃迁机制跟正常运作的非晶态薄膜机制就会产生差异,导致电子传输的性能降低,使得整个器件的电子和空穴迁移率失衡,激子形成效率大大降低,并且激子形成会集中在电子传输层与发光层的界面处,导致器件效率和寿命严重下降。因此,设计开发稳定高效的、能够同时具有高电子迁移率和高玻璃化温度、且与金属Yb或Liq3有效掺杂的电子传输材料和/或电子注入材料,降低阈值电压,提高器件效率,延长器件寿命,具有很重要的实际应用价值。
技术实现思路
本专利技术提供了一种化合物、包含该化合物的有机电致发光器件、及具有该有机电致发光器件的显示装置。根据本专利技术的一方面,提供了一种化合物,具有式(I)所示的结构,其中,X1-X9各自独立地为C原子或者N原子,且X1-X9中至少有一个为N原子;L选自取代的或未取代的C5-C40芳基、取代的或未取代的C3-C40杂芳基;Ar为式(II),其中,X选自O原子或者S原子;R1-R6各自独立地选自取代或未取代的C5-C40芳基、取代的或未取代的C3-C40杂芳基;p1-p4各自独立地选自0或者1;p5-p6各自独立地选自0、1、2或者3;m选自0、1、2或者3;n选自1、2或者3;*表示连接位置。根据本专利技术的一个实施方式,X1、X2、X3、X7、X8、X9中,至少有一个为N原子。根据本专利技术的一个实施方式,X1与X9相同,X2与X8相同,X3与X7相同。根据本专利技术的一个实施方式,X1-X3、X7-X9中,X2和X8为N原子,其余为C原子。根据本专利技术的一个实施方式,X1-X3、X7-X9中,X2、X3、X7和X8为N原子,其余为C原子。根据本专利技术的一个实施方式,X1-X3、X7-X9中,X1、X3、X7和X9为N原子,其余为C原子。根据本专利技术的一个实施方式,X4-X6中,X4为N原子,X5、X6为C原子。根据本专利技术的一个实施方式,X4-X6中,X4、X5为N原子,X6为C原子。根据本专利技术的一个实施方式,X4-X6中,X5、X6为N原子,X4为C原子。根据本专利技术的一个实施方式,L选自中的任意一种;Z1选自取代或未取代的C5-C40芳基、取代的或未取代的C3-C40杂芳基;q1、q2各自独立地选自0、1或者2;#表示连接位置。根据本专利技术的一个实施方式,式(II)选自中的任意一种。根据本专利技术的一个实施方式,式(II)选自中的任意一种。根据本专利技术的一个实施方式,所述式(II)的连接位点*为3号碳原子、4号碳原子、5号碳原子、6号碳原子、7号碳原子或者8号碳原子的位置。根据本专利技术的一个实施方式,所述化合物选自中的任意一种。根据本专利技术的一个实施方式,所述化合物选自中的任意一种。根据本专利技术的另一方面,提供了一种有机电致发光器件,所述有机电致发光器件包括第一电极和第二电极,以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的有机功能层,所述有机功能层包括电子传输层,所述电子传输层的电子传输材料包括根据本专利技术的化合物。根据本专利技术的一个实施方式,所述有机功能层还包括空穴阻挡层,所述空穴阻挡层的电子传输材料包括根据本专利技术的化合物。根据本专利技术的另一方面,提供了一种显示装置,该显示装置包括根据本专利技术的有机电致发光器件。本专利技术具有以下有益效果:本专利技术提供的化合物以含氮芳香杂环为母环,并配合特定种类的供电子基使用,使得到的化合物具有合适的HOMO值和较低的LUMO值,可以提高电子传输的能力;本专利技术化合物具有较低的HOMO能级(均小于-6.0eV),可以有效地阻挡空穴,将空穴限制在发光区内,与电子有效的复合;本专利技术化合物具有较高的三线态能级(ET均大于2.8eV),可以有效地阻挡激子的回传,将激子限制在发光区,利于扩宽发光区域,提升发光效率;并具有较高的电子迁移率,保证电子与空穴可以均衡的在发光层中复合,使得激子的产生速率提高;具有较高的玻璃化温度和热分解温度,玻璃化转换温度均大于120℃,能够避免器件在工作时产生的焦耳热对器件寿命和效率的影响;具有优异的薄膜稳定性和均匀性,避免光散射或结晶诱导产生的降解或衰减;具有较高的还原电位,便于电子的传输。该化合物用作有机电致发光器件的电子传输材料,可以有效提升器件的电子迁移能力,从而确保器件具有较高的发光效率、较久的使用寿命以及较低的驱动电压。附图说明图1为根据本专利技术的有机电致发光器件的结构示意图;图2为手机显示屏的示意图;其中,1-基板、2-ITO阳极、3-空穴注入层、4-第一空穴传输层、5-第二空穴传输层、6-发光层、7-空穴阻挡层、8-电子传输层、9-电子注入层、10-阴极;100-显示屏。具体实施方式具体实施方式仅为对本专利技术的说明,而不构成对本
技术实现思路
的限制,下面将结合具体的实施方式对本专利技术进行进一步说明和描述。本专利技术提供了一种化合物、包含该化合物的有机电致发光器件、及具有该有机电致发光器件的显示装置。根据本专利技术的一方面,提供了一种化合物,具有式(I)所示的结构,其中,X1-X9各自独立地为C原子或者N原子,且X1-X9中至少有一个为N原子;L选自取代的或未取代的C5-C40芳基、取代的或未取代的C3-C40杂芳基;Ar为式(II),其中,X选自O原子或者S原子;R1-R6各自独立地选自取代或未取代的C5-C40芳基、取代的或未取代的C3-C40杂芳基;p1-p4各自独立地选自0或者1;p5-p6各自独立地选自0、1、2或者3;m选自0、1、2或者3;n选自1、2或者3;*表示连接位置。根据本专利技术的一个实施方式,m选自0或者1。根据本专利技术的一个实施方式,n选自1。根据本专利技术的一个实施方式,p1-p6各自独立地选自0或者1。本专利技术中,“C5-C40芳基”包括单环芳烃基团、也包括稠环芳烃基团,可以例如选自苯基、二联苯基、9,9-芴基、苯三联苯基、萘基、蒽基、菲基、9,10-苯并菲基、1,2-苯并菲基、苊烯基、苝基、芘基、茚基等并环芳基等芳香烃基中的一种或几种。“C3-C40杂芳基”可以例如选自呋喃基、噻吩基、吡咯基、噁唑基、噻唑基、吡唑基、吡喃基、咪唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、1,3,4-噁二唑基、1,2,4-三唑基、1,3,5-三嗪基、吲哚基、苯并咪唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、喹啉基、喹喔啉基、邻菲罗啉基、吩嗪基、哒嗪基中的一种或一种以上。本专利技术中,所述“取代的…”中的取代基可以为C1-C10的烷基或环烷基、C2-C10烯基、C1-C6的烷氧基、C6-C30的单环芳烃或稠环芳烃基团、C3-C30的单环杂芳烃或稠环杂芳烃基团中的任意一种或一种以上。本专利技术中,当m的取值大于1时,即L为2个或者3个时,这2个或者3个L可以完全相同、完全不同或者仅本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种化合物,其特征在于,具有式(I)所示的结构,

【技术特征摘要】
1.一种化合物,其特征在于,具有式(I)所示的结构,其中,X1-X9各自独立地为C原子或者N原子,且X1-X9中至少有一个为N原子;L选自取代的或未取代的C5-C40芳基、取代的或未取代的C3-C40杂芳基;Ar为式(II),其中,X选自O原子或者S原子;R1-R6各自独立地选自取代或未取代的C5-C40芳基、取代的或未取代的C3-C40杂芳基;p1-p4各自独立地选自0或者1;p5-p6各自独立地选自0、1、2或者3;m选自0、1、2或者3;n选自1、2或者3;*表示连接位置。2.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,X1、X2、X3、X7、X8、X9中,至少有一个为N原子。3.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,X1与X9相同,X2与X8相同,X3与X7相同。4.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,X1-X3、X7-X9中,X2和X8为N原子,其余为C原子。5.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,X1-X3、X7-X9中,X2、X3、X7和X8为N原子,其余为C原子。6.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,X1-X3、X7-X9中,X1、X3、X7和X9为N原子,其余为C原子。7.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,X4-X6中,X4为N原子,X5、X6为C原子。8.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,X4-X6中,X4、X5为N原子,X6为C原子。9.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员:张磊高威代文朋牛晶华安平刘营黄高军
申请(专利权)人:上海天马有机发光显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:上海,31

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