容器制造技术

本揭露内容提供一种容器。容器包括第一单元及第二单元。第一单元包含第一壁、第二壁、第三壁及第四壁，其中第一壁相对于第三壁，第二壁连接第一壁及第三壁，第四壁位于第三壁上并连接第三壁，第四壁界定第一开口，第四壁与第一壁界定第二开口，且第一壁、第二壁、第三壁及第四壁界定第一腔。第二单元包含位于第一侧之第一开口；位于第二侧之第二开口；及位于第一开口及第二开口之间且连通于第一开口及第二开口的第一腔。第一单元附接至第二单元，使得第一单元之第一开口邻近且连通第二单元之第一开口，第一单元之第一腔经由第一单元之第二开口与第二单元之第一腔连通，且第二单元之第二开口与容器之外部连通。

container

【技术实现步骤摘要】
容器
本揭露内容一般来说是关于一种容器，且详细来说是关于用于收集导线之容器。
技术介绍
半导体组件封装(semiconductordevicepackage)过程中可能会有剩余的材料。若剩余的材料无法妥善处理，可能影响产品的效能，进而导致产品良率下降。举例来说，在打线接合(wirebonding)机台作业时，需要收集打线后剩余之金属导线(例如金线或铜线)。
技术实现思路
本揭露内容的一个实施例提供一种容器，且所述所述容器包括：一第一单元及一第二单元。所述第一单元包含一第一壁、一第二壁、一第三壁及一第四壁。所述第一壁相对于所述第三壁，所述第二壁连接所述第一壁及所述第三壁，所述第四壁位于所述第三壁上并连接所述第三壁，所述第四壁界定一第一开口，所述第四壁与所述第一壁界定一第二开口，所述第一壁、所述第二壁、所述第三壁及所述第四壁界定一第一腔。所述第二单元包含一第一开口、一第二开口及一第一腔。所述第一开口位于一第一侧。所述第二开口位于一第二侧。所述第一腔位于所述第一开口及所述第二开口之间且连通于所述第一开口及所述第二开口。所述第一单元附接至所述第二单元，使得所述第一单元之所述第一开口邻近且连通所述第二单元之所述第一开口，所述第一单元之所述第一腔经由所述第一单元之所述第二开口与所述第二单元之所述第一腔连通，且所述第二单元之所述第二开口与所述容器之外部连通。本揭露内容的另一个实施例提供一种容器，其包括：一第一构件、一第二构件及一第三构件。所述第一构件包含渐缩之第一侧壁，第一侧壁界定贯穿所述第一构件之一第一开口。所述第二构件邻近于所述第一构件，且所述第一构件之所述第一侧壁与所述第二构件界定一第二开口。所述第三构件包含一第一开口、一第二开口及一第一腔。所述第一开口位于一第一侧。所述第二开口位于一第二侧。所述第一腔位于所述第一开口及所述第二开口之间且连通于所述第一开口及所述第二开口。所述第一构件及所述第二构件附接至所述第三构件，使得由所述第一构件之所述第一开口邻近且连通所述第三构件之所述第一开口，由所述第一构件及所述第二构件界定之所述第二开口与所述第三构件之所述第一腔连通，且所述第三构件之所述第二开口与容器外部连通。附图说明以下关于本揭露内容的详细说明若与各图式搭配参照阅读可以使本揭露内容更易于理解。应注意的是，根据行业内的标准通行做法，图式中的特征可能不是按照比例绘出。事实上，图式中的特征的尺寸可能被任意地放大或缩小以使本揭露内容更易于理解。图1a是根据本揭露某些实施例之容器的示意图。图1b是根据本揭露某些实施例之容器的剖面图。图1c、图1d及图1e为图1a所示容器的操作示意图。图2a是根据本揭露某些实施例之容器的剖面图。图2b是根据本揭露某些实施例之容器的分解图。图2c是根据本揭露某些实施例之容器的剖面图。图3是具有根据本揭露某些实施例之容器之机台的操作示意图。图4a、图4b及图4c是根据本揭露某些实施例之容器的操作示意图。图5a是根据本揭露内容某些实施例之容器的操作示意图。图5b是根据本揭露内容某些之容器的操作示意图。图6a是一种根据本揭露某些实施例之导线收集盒。图6b是一种根据本揭露某些实施例之具有如图6a之导线收集盒的打线接合机台。图7是一种根据本揭露某些实施例之具有盖子的导线收集盒。具体实施方式在描述本揭露内容的诸多例示性实施例的图式中使用相同的组件符号表示相同的组件以利阅读。本揭露内容提供一种改良式的导线收集容器，以改善剩余材料收集之效率，避免剩余材料溢出或掉落于机台上，更进一步减少产品制造过程中被剩余材料污染的情形。图1a所示为根据本揭露内容的某些实施例之一容器3的示意图。图1b所示为图1a之容器3之透视图。容器3具有开口31、开口32及复数个开口33，开口31及开口32位于同一侧，且复数个开口33位于开口31及开口32之相对侧上。容器3具有腔35及腔36，腔35及腔36与开口34及开口324流体连通，且腔35及腔36借由壁39分隔，腔35借由开口31与外部流体连通，腔36借由开口32及开口324与外部流体连通，腔36亦借由开口33与外部流体连通。壁37与壁38界定开口32，壁38与壁39界定开口34，壁37与壁39界定开口324。容器3可由较易弯曲加工之金属材料制成，例如钢或铁。容器3经抗静电处理或涂布抗静电剂以防止静电产生。图1c、图1d及图1e所示为容器3之操作示意图。图1d至图1e中之箭号表示流体流动之方向。如图1c所示，导线300邻近开口32，且流体自开口31流动进入腔35中。如图1d所示，当流体充满腔35，因流体持续自开口31流动进入腔35中，流体将经由开口34及开口324流动进入腔36中。因白努力原理(Bernoulli'sprinciple)，流动通过开口324之流体将会使开口32处形成微量真空。如图1e所示，因为开口32处与容器3外部之间的压力差，形成朝向腔36之流体流动，而将导线300引入容器3中。进入腔36之流体将经由复数个开口33而自容器3向外部流动。开口32之宽度可基于导线线径、导线长度以及进入开口31之流体流速而决定。若开口32之宽度过大，导线300将不易被引入容器3中且飘出，若开口32之宽度过小，导线300将无法进入开口32。图1c至图1e所示之流体较佳为一种气体或一种气体混合物。图2a所示为根据本揭露内容的某些实施例之一容器1之一剖面图。图2b所示为根据本揭露内容的某些实施例之一容器1之一分解图。容器1包含进气部10以及收集部20。进气部10可为一单元，且收集部20可为一单元或一构件。进气部10包含壁11、壁12、壁13及壁14，其中壁11相对于壁13，壁12连接壁11及壁13，且壁14位于壁13上并连接壁13。壁14界定开口15，壁11与壁14界定开口16，且壁11、壁12、壁13及壁14界定腔17。壁14包含延伸部141。在本揭露内容的一些实施例中，开口16之大小为0.07mm至0.14mm之间，较佳为0.07mm。收集部20包含位于一侧之开口21以及位于一相对侧之开口22。收集部20包含位于开口21及开口22之间且流体连通于开口21及开口22之腔23。收集部20之开口22与容器1之外部流体连通。进气部10可经由磁性附接、螺栓固定或黏着附接等方式而可拆卸地附接至收集部20。在本揭露内容之某些实施例中，进气部10可拆卸地磁性附接至收集部20。进气部10及收集部20经附接后使得开口15邻近且流体连通开口21。进气部10之腔17经由进气部10之开口16而与收集部20之腔23流体连通。参考图2b，进气部10可包括壁14、本体103及结合板193，其中壁14及本体103可为一构件。壁14包含渐缩之侧壁141。侧壁141界定贯穿壁14之开口15；侧壁141与本体103界定开口16。壁14、本体103及结合板193可经由磁性附接、螺栓固定或黏着附接等方式而彼此可拆卸地附接。在本揭露内容之某些实施例中，壁14、本体103及结合板193经由螺栓而可拆卸地彼此附接。在结合板193经由螺栓而可拆卸地附接至本体103后，螺栓之一部分突出于结合板而形成特征192。在本揭露内容之某些实施例中，进气部10之壁14及本体103可由铝合金所制成，并经阳极处理、经抗静电处理或涂布抗静电剂以防本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种容器，其特征在于包括：一第一单元，其包含一第一壁、一第二壁、一第三壁及一第四壁，其中所述第一壁相对于所述第三壁，所述第二壁连接所述第一壁及所述第三壁，所述第四壁位于所述第三壁上并连接所述第三壁，所述第四壁界定一第一开口，所述第四壁与所述第一壁界定一第二开口，所述第一壁、所述第二壁、所述第三壁及所述第四壁界定一第一腔；及一第二单元，其包含：位于一第一侧之一第一开口；位于一第二侧之一第二开口；及位于所述第一开口及所述第二开口之间且连通于所述第一开口及所述第二开口的一第一腔，其中所述第一单元附接至所述第二单元，使得所述第一单元之所述第一开口邻近且连通所述第二单元之所述第一开口，所述第一单元之所述第一腔经由所述第一单元之所述第二开口与所述第二单元之所述第一腔连通，且其中所述第二单元之所述第二开口与所述容器之外部连通。

【技术特征摘要】
1.一种容器，其特征在于包括：一第一单元，其包含一第一壁、一第二壁、一第三壁及一第四壁，其中所述第一壁相对于所述第三壁，所述第二壁连接所述第一壁及所述第三壁，所述第四壁位于所述第三壁上并连接所述第三壁，所述第四壁界定一第一开口，所述第四壁与所述第一壁界定一第二开口，所述第一壁、所述第二壁、所述第三壁及所述第四壁界定一第一腔；及一第二单元，其包含：位于一第一侧之一第一开口；位于一第二侧之一第二开口；及位于所述第一开口及所述第二开口之间且连通于所述第一开口及所述第二开口的一第一腔，其中所述第一单元附接至所述第二单元，使得所述第一单元之所述第一开口邻近且连通所述第二单元之所述第一开口，所述第一单元之所述第一腔经由所述第一单元之所述第二开口与所述第二单元之所述第一腔连通，且其中所述第二单元之所述第二开口与所述容器之外部连通。2.根据权利要求1所述的容器，其特征在于其中所述第一单元进一步包括一第一入口，且其中对应于所述第一入口处之所述第一壁之第一部分及所述第三壁之第二部分之间的距离大于所述第一壁之除所述第一部分以外的部分及所述第三壁之除所述第二部分以外的部分之间的距离。3.根据权利要求2所述的容器，其特征在于其中所述第一单元进一步包括多个第一入口，所述第一入口之任意相邻两者之位置之间的夹角相同。4.根据权利要求3所述的容器，其特征在于其中所述第一入口位于所述第四壁上。5.根据权利要求3所述的容器，其特征在于其中所述第一入口位于所述第三壁上。6.根据权利要求1所述的容器，其特征在于其中所述第四壁进一步包含一延伸部，所述延伸部与所述第一单元之所述第一开口之一法线的夹角范围为35°至55°。7.根据权利要求1所述的容器，其特征在于其中所述第二单元包含多个第二开口，且其中所述第二单元之所述第二开口与所述容器之外部流体连通。8.根据权利要求7所述的容器，其特征在于其中一多层结构界定所述第二单元之所述第二开口，且其中所述多层结构之每一层包含所述第二单元之所述第二开口之部分。9.根据权利要求1所述的容器，其特征在于其中所述第一单元包含一结合板，所述第二单元包含磁铁，所述第一单元经由所述结合板及所述磁铁可拆卸地磁性附接至所述第二单元。10.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡耀德，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾,71