【技术实现步骤摘要】
发光器件封装及包括该封装的照明装置本申请是申请号为201510680302.2、申请日为2015年10月19日、专利技术名称为“发光器件封装及包括该封装的照明装置”的专利技术专利申请的分案申请。
本公开实施例涉及一种发光器件封装和包括该封装的照明装置。
技术介绍
发光二极管(LED)是使用化合物半导体的特性将电转换成光的半导体器件,以便使能信号的发送/接收,或者其被用作光源。由于其物理和化学特性,第III-V族氮化物半导体例如作为发光器件的核心材料而引人注目,发光器件例如为LED或激光二极管(LD)。LED不包括例如为荧光灯和白炽灯泡的传统照明设备所使用的例如为汞(Hg)的对环境有害的物质,并且因此是非常环保的,而且具有若干优点,例如,长寿命和低功耗。因此,传统光源正在被LED迅速取代。改进包括发光二极管的传统发光器件封装的可靠性的研究正在从各种不同的角度实施。
技术实现思路
本公开实施例提供一种具有改进的可靠性的发光器件封装和包括该封装的照明装置。在一个实施例中,一种发光器件封装包括:衬底;发光结构,布置在所述衬底之下,所述发光结构包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层;第一电极和第二电极,分别连接到所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层;第一焊盘,在多个第一-第一通孔中连接到多个所述第一电极,所述第一-第一通孔是第一通孔的一部分,所述第一通孔贯穿所述第二导电半导体层和所述有源层,以便暴露所述第一导电半导体层;第一绝缘层,布置在所述第一焊盘与所述第二导电半导体层之间以及所述第一焊盘与所述有源层之间,以便在第一-第二通孔中覆盖所述第一电极,所述第 ...
【技术保护点】
1.一种发光器件封装,包括:衬底;发光结构,布置在所述衬底之下,所述发光结构包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层;多个第一通孔,贯穿所述第二导电半导体层和所述有源层,以暴露所述第一导电半导体层;第一电极,布置在所述多个第一通孔中,以连接到所述第一导电半导体层;第二电极,连接到所述第二导电半导体层;第一焊盘,连接到所述第一电极;第一绝缘层,布置在所述第一焊盘与所述第二导电半导体层之间;以及第二焊盘,通过贯穿所述第一绝缘层的第二通孔连接到所述第二电极,所述第二焊盘被配置为与所述第一焊盘电间隔开,其中,所述第二焊盘包括沿第一方向形成在所述第二焊盘的一侧的多个凹部,其中所述凹部与所述第一焊盘之间的距离增大,其中所述第一电极包括:第一部分,与所述第一导电半导体层相接触;和第二部分,从所述第一部分延伸到所述第二焊盘以布置在所述多个凹部中,并且在所述发光结构的厚度方向上不与所述第二焊盘垂直地重叠,其中所述第二焊盘通过平面中的间隙与所述第一电极的第二部分间隔开,其中所述间隙包括:第一距离,形成在与所述第一方向垂直的第二方向上;和第二距离,形成在所述第一方向上,其中所述第一焊盘面对所述第二焊盘 ...
【技术特征摘要】
2014.10.17 KR 10-2014-01408711.一种发光器件封装,包括:衬底;发光结构,布置在所述衬底之下,所述发光结构包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层;多个第一通孔,贯穿所述第二导电半导体层和所述有源层,以暴露所述第一导电半导体层;第一电极,布置在所述多个第一通孔中,以连接到所述第一导电半导体层;第二电极,连接到所述第二导电半导体层;第一焊盘,连接到所述第一电极;第一绝缘层,布置在所述第一焊盘与所述第二导电半导体层之间;以及第二焊盘,通过贯穿所述第一绝缘层的第二通孔连接到所述第二电极,所述第二焊盘被配置为与所述第一焊盘电间隔开,其中,所述第二焊盘包括沿第一方向形成在所述第二焊盘的一侧的多个凹部,其中所述凹部与所述第一焊盘之间的距离增大,其中所述第一电极包括:第一部分,与所述第一导电半导体层相接触;和第二部分,从所述第一部分延伸到所述第二焊盘以布置在所述多个凹部中,并且在所述发光结构的厚度方向上不与所述第二焊盘垂直地重叠,其中所述第二焊盘通过平面中的间隙与所述第一电极的第二部分间隔开,其中所述间隙包括:第一距离,形成在与所述第一方向垂直的第二方向上;和第二距离,形成在所述第一方向上,其中所述第一焊盘面对所述第二焊盘,以及其中所述第一距离或第二距离中的至少一个处于5μm至20μm的范围内。2.一种发光器件封装,包括:衬底;发光结构,布置在所述衬底之下,所述发光结构包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层;第一通孔,贯穿所述第二导电半导体层和所述有源层,以暴露所述第一导电半导体层;第一电极,布置在所述第一通孔中,以连接到所述第一导电半导体层;第二电极,连接到所述第二导电半导体层;第一焊盘,连接到所述第一电极;绝缘层,包括:第一绝缘层,布置在所述第一焊盘与所述第二导电半导体层之间,并位于所述发光结构之下;第一绝缘延伸部,布置为从所述第一绝缘层延伸到所述第一通孔的内部;和第二绝缘延伸部,在所述第一绝缘层处延伸到所述发光结构的外表面,并布置为与所述衬底的边缘间隔开第一距离;以及第二焊盘,通过贯穿所述第一绝缘层的第二通孔连接到所述第二电极,所述第二焊盘被配置为与所述第一焊盘电间隔开,其中,所述第二焊盘包括沿第一方向形成在所述第二焊盘的一侧的凹部,其中所述凹部与所述第一焊盘之间的距离增大,其中所述第一电极包括:第一部分,与所述第一导电半导体层相接触;和第二部分,从所述第一部分延伸到所述第二焊盘以布置在所述凹部中,并且在所述发光结构的厚度方向上不与所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:李尚烈,崔光基,
申请(专利权)人:LG伊诺特有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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