摄像面板及其制造方法技术

提供能抑制漏电流的X射线摄像面板及其制造方法。摄像面板(1)基于从经过了被摄体的X射线得到的闪烁光生成图像。摄像面板(1)在基板上具备将闪烁光转换为电荷的光电转换层(15)。光电转换层(15)在俯视时具有具备多个角落部(15p)的多边形形状。多个角落部(15p)各自具有内角大于90°的多个角。

Camera panel and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】摄像面板及其制造方法
本专利技术涉及摄像面板及其制造方法。
技术介绍
已知通过具备多个像素部的摄像面板来拍摄X射线图像的X射线摄像装置。在这种X射线摄像装置中，例如通过光电二极管将被照射的X射线转换为电荷。转换后的电荷是通过使像素部所具备的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor：以下也称为“TFT”。)动作而被读出。通过这样读出电荷，可得到X射线图像。在特开2013-46043号公报中公开了这种摄像面板。特开2013-46043号公报中的光电二极管具有将n层、i层、p层的半导体膜层叠而成的PIN结构。在光电二极管的上部设置有包括透明导电膜的上部电极，在光电二极管的下部设置有包含铝等金属的下部电极。
技术实现思路
然而，在形成光电转换层时的n层、i层、p层的蚀刻时，在形成矩形形状的抗蚀剂的情况下，在对抗蚀剂进行曝光的工序中，角落部分的曝光量比矩形形状的边的部分高，角落部分的抗蚀剂的锥形角度比边的部分小。因此，当使用该抗蚀剂对半导体膜进行干式蚀刻时，抗蚀剂会受到各向异性蚀刻的影响而向内侧后退。即，如图9所示，半导体膜600上的角落部分的抗蚀剂R1和边的部分的抗蚀剂R2通过干式蚀刻而成为抗蚀剂R1’和抗蚀剂R2’。此时，角落部分的抗蚀剂R1由于与边的部分的抗蚀剂R2相比锥形角度小，因此比抗蚀剂R2更向内侧后退。其结果是，边的部分中的半导体膜600的侧端部600a成为倒锥形形状，但是角落部分的半导体膜600的侧端部600b成为锥形形状，因此角落部分易于受到蚀刻所致的损伤，易于产生漏电流。本专利技术的目的在于提供能抑制漏电流的X射线的摄像面板及其制造方法。解决上述问题的本专利技术的摄像面板是基于从经过了被摄体的X射线得到的闪烁光生成图像的摄像面板，具备：基板；以及光电转换层，其设置于上述基板，将上述闪烁光转换为电荷，上述光电转换层在俯视时具有具备多个角落部的多边形形状，上述多个角落部各自具有内角大于90°的多个角。根据本专利技术，能抑制漏电流。附图说明图1是表示实施方式的X射线摄像装置的示意图。图2是示出图1所示的摄像面板的概略构成的示意图。图3A是将图2所示的摄像面板1的一个像素部分进行放大的俯视图。图3B是将图3A所示的一个角落部放大的示意图。图4A是图3A所示的像素的A-A线的截面图。图4B是图3A所示的像素的B-B线的截面图。图5A是说明TFT区域和角落区域的制造工序的图，是示出在基板之上形成栅极绝缘膜和TFT并形成第1绝缘膜的工序的截面图。图5B是示出在图5A所示的第1绝缘膜形成接触孔CH1的工序的截面图。图5C是示出在图5B中的第1绝缘膜之上形成第2绝缘膜的工序的截面图。图5D是示出在图5C中的接触孔CH1之上形成第2绝缘膜的开口的工序的截面图。图5E是示出在图5D中的第2绝缘膜之上形成金属膜的工序的截面图。图5F是示出将图5E所示的金属膜图案化而形成下部电极的工序的截面图。图5G是示出形成覆盖图5F所示的下部电极的、n型非晶质半导体层、本征非晶质半导体层以及p型非晶质半导体层，在p型非晶质半导体层之上形成透明导电膜的工序的截面图。图5H是示出将图5G中的透明导电膜图案化而形成上部电极的工序的截面图。图5I是示出形成覆盖图5H中的上部电极的抗蚀剂的工序的截面图。图5J是示出将图5I中的n型非晶质半导体层、本征非晶质半导体层以及p型非晶质半导体层进行蚀刻而形成光电转换层的工序的截面图。图5K是示出将图5J中的抗蚀剂剥离后的状态的截面图。图5L是示出形成覆盖图5K中的光电转换层、下部电极以及保护膜的第3绝缘膜的工序的截面图。图5M是示出在图5L中的第3绝缘膜之上形成第4绝缘膜的工序的截面图。图5N是示出在图5M中的第4绝缘膜之上形成金属膜的工序的截面图。图5O是示出将图5N中的金属膜图案化后在第4绝缘膜之上形成透明导电膜的工序的截面图。图5P是示出将图5O中的透明导电膜图案化的工序的截面图。图5Q是示出形成覆盖图5P所示的透明导电膜的第5绝缘膜的工序的截面图。图5R是示出在图5Q中的第5绝缘膜之上形成第6绝缘膜的工序的截面图。图6A是例示在图5I的工序中形成抗蚀剂时所使用的掩模图案的俯视图。图6B是在图5I所示的工序中形成的抗蚀剂的俯视图。图6C是示出图5J所示的工序的蚀刻前后的抗蚀剂的俯视图。图7是将第2实施方式的例1中的光电转换层的一部分放大的示意图。图8是将第2实施方式的例2中的光电转换层的一部分放大的示意图。图9是说明现有的形成矩形的光电转换层的工序的图。具体实施方式本专利技术的一实施方式的摄像面板是基于从经过了被摄体的X射线得到的闪烁光生成图像的摄像面板，具备：基板；以及光电转换层，其设置于上述基板，将上述闪烁光转换为电荷，上述光电转换层在俯视时具有具备多个角落部的多边形形状，上述多个角落部各自具有内角大于90°的多个角(第1构成)。根据第1构成，光电转换层具有包含多个角落部的多边形的形状，角落部包含各自的内角大于90°的多个角。第1构成的光电转换层与使用光刻法来形成的情况、形成矩形形状的光电转换层的情况相比，角落部与除此以外的部分的抗蚀剂的曝光量的差小，易于成为相同的锥形形状。之后的蚀刻所致的抗蚀剂的后退量也易于在角落部与除此以外的部分成为相同程度。因此，与矩形形状的光电转换层相比，在角落部不易受到蚀刻损伤，能抑制角落部的漏电流。在第1构成中也可以是，上述光电转换层包含：第1半导体层，其具有第1导电型；本征半导体层，其与上述第1半导体层接触；以及第2半导体层，其与上述本征半导体层接触，具有与上述第1导电型相反的第2导电型，在上述角落部和上述角落部以外的区域中，至少上述第2半导体层的上端部比上述本征半导体层的上端部向上述光电转换层的外侧突出(第2构成)。根据第2构成，在角落部和除此以外的区域中，在形成光电转换层时的蚀刻时在第2半导体层与本征半导体层的界面不易受到蚀刻损伤。因此，能抑制光电转换层整体的漏电流。在第1或第2构成中也可以是，上述多个角的各自的内角为135°以上(第3构成)。根据第3构成，在将形成光电转换层时使用的抗蚀剂曝光时，与角落部的角的内角小于135°的情况相比，角落部与除此以外的区域的曝光量的差更小。其结果是，角落部与除此以外的区域的抗蚀剂的锥形形状易于一致，蚀刻时的抗蚀剂的后退量易于成为相同程度。因此，在角落部不易受到蚀刻损伤，能进一步抑制角落部的漏电流的发生。在第1构成至第3构成中的任一构成中也可以是，还具备：薄膜晶体管，其形成在上述基板上；绝缘膜，其覆盖上述薄膜晶体管；上部电极，其设置在上述光电转换层之上；以及下部电极，其设置在上述光电转换层之下，与上述薄膜晶体管连接，上述上部电极和上述下部电极在俯视时具有大致矩形形状，上述光电转换层的侧端部配置在上述上部电极的侧端部与上述下部电极的侧端部之间。(第4构成)。本专利技术的一实施方式的摄像面板的制造方法是基于从经过了被摄体的X射线得到的闪烁光生成图像的摄像面板的制造方法，其中，在基板上形成薄膜晶体管；在上述薄膜晶体管之上形成绝缘膜；在上述绝缘膜形成接触孔，形成经由上述接触孔与上述薄膜晶体管连接的下部电极；以覆盖上述下部电极的方式按顺序形成具有第1导电型的第1半导体层、本征半导体层以及具有与上述第1导电型相反的第2导电型的第2半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种摄像面板，基于从经过了被摄体的X射线得到的闪烁光生成图像，其特征在于，具备：基板；以及光电转换层，其设置于上述基板，将上述闪烁光转换为电荷，上述光电转换层在俯视时具有具备多个角落部的多边形形状，上述多个角落部各自具有内角大于90°的多个角。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.12.27 JP 2016-2525301.一种摄像面板，基于从经过了被摄体的X射线得到的闪烁光生成图像，其特征在于，具备：基板；以及光电转换层，其设置于上述基板，将上述闪烁光转换为电荷，上述光电转换层在俯视时具有具备多个角落部的多边形形状，上述多个角落部各自具有内角大于90°的多个角。2.根据权利要求1所述的摄像面板，上述光电转换层包含：第1半导体层，其具有第1导电型；本征半导体层，其与上述第1半导体层接触；以及第2半导体层，其与上述本征半导体层接触，具有与上述第1导电型相反的第2导电型，在上述角落部和上述角落部以外的区域中，至少上述第2半导体层的上端部比上述本征半导体层的上端部向上述光电转换层的外侧突出。3.根据权利要求1或2所述的摄像面板，上述多个角的各自的内角为135°以上。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的摄像面板，还具备：薄膜晶体管，其形成在上述基板上；绝缘膜，其覆盖上述薄膜晶体管；上部电极，其设置在上述光电转换层之上；以及下部电极，其设置在上述光电转换层之下，与上述薄膜晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：美崎克纪，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP