OLED面板制造技术

技术编号:22061611 阅读:46 留言:0更新日期:2019-09-07 18:52
本发明专利技术的OLED面板中,在比基材(11)靠上侧的位置设置有OLED元件(4)和覆盖上述OLED元件的密封部(5),上述密封部中包含透光性导电膜(30)。

OLED panel

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】OLED面板
本专利技术涉及包含OLED(有机发光二极管)元件的OLED面板。
技术介绍
专利文献1中公开了通过用无机膜和有机膜包围OLED元件而将其密封,由此阻止水分和氧向OLED元件渗透的方案。现有技术文献专利文献专利文献1:日本公开特许公报“特开2016-54144(公开日:2016年4月14日)”。
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题在专利文献1中公开的方案中,密封效果不充分,OLED元件有可能因水、氧等的异物的渗透而受到不良影响。用于解决技术问题的手段本专利技术的一个方式的OLED面板在比基材靠上侧的位置设置有OLED元件和覆盖上述OLED元件的密封部,上述密封部包含透光性导电膜。专利技术效果通过用包含透光性导电膜的密封部覆盖OLED元件,与以往相比能够提高密封效果。附图说明图1是表示实施方式1的显示装置的结构的图,(a)是剖面图,(b)是俯视图。图2是表示实施方式1的显示装置的另一个结构的图,(a)是剖面图,(b)是俯视图。图3是表示实施方式1的显示装置的又一个结构的图,(a)是剖面图,(b)是俯视图。图4的(a)是表示实施方式2的显示装置的结构的剖面图,(b)是表示触摸传感器部的结构的示意图。图5的(a)、(b)是表示图4的显示装置的结构的俯视图,(b)、(d)是表示图4的显示装置的结构的剖面图。图6的(a)是表示实施方式2的显示装置的另一个结构的剖面图,(b)是表示触摸传感器部的结构的示意图。图7的(a)是表示实施方式2的显示装置的又一个结构的剖面图,(b)是表示触摸传感器部的结构的示意图。具体实施方式以下,基于图1~图7对本专利技术的实施方式进行说明。不过,这些实施方式只不过是示例。[实施方式1]图1是表示实施方式1的显示装置的结构的图,(a)是剖面图,(b)是俯视图。如图1所示,实施方式1的显示装置10包括:柔性的OLED(有机发光二极管)面板2;和隔着粘接层8与OLED面板2粘接的柔性的功能面板6。功能面板6是例如具有触摸传感器功能和表面保护功能的面板。OLED面板2包括基材11、隔着粘接层12粘接于基材11的树脂层13、在树脂层13的上层形成的防潮层14、在防潮层14的上层形成的半导体膜15、在半导体膜15的上层形成的栅极绝缘膜16、在栅极绝缘膜16的上层形成的栅极电极G、覆盖栅极电极G的第一层间绝缘膜18、在第一层间绝缘膜18的上层形成的电容电极C、覆盖电容电极C的第二层间绝缘膜20、在第二层间绝缘膜20的上层形成的源极电极S和漏极电极D以及配线W和接触电极E、覆盖源极电极S和漏极电极D以及配线W的平坦化膜21、在平坦化膜21的上层形成的阳极电极22、规定显示区域DA的子像素的分隔壁23c、形成在非显示区域NA的堤23b、在阳极电极22的上层形成的有机EL(有机电致发光)层24、在有机EL层24的上层形成的阴极电极25、覆盖分隔壁23c和阴极电极25的第一密封膜26、覆盖第一密封膜26的第二密封膜27、覆盖第二密封膜27的整面状的透光性导电膜30和覆盖透光性导电膜30的第三密封膜33。基材11例如由绝缘性的柔性材料构成。树脂层13例如由聚酰亚胺构成。防潮层14例如由氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)或者它们的层叠膜构成。半导体膜15例如由非晶硅或氧化物半导体构成。栅极绝缘膜16例如由氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)或者它们的层叠膜构成。栅极电极G、源极电极S、漏极电极D、电容电极C、配线W和接触电极E例如由包含铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)、铜(Cu)中的至少1者的金属的单层膜或层叠膜构成。第一层间绝缘膜18和第二层间绝缘膜20例如能够由氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)构成。平坦化膜21能够由聚酰亚胺、丙烯酸树脂等可涂敷的感光性有机材料构成。阳极电极22例如由ITO(IndiumTinOxide)与含Ag的合金的叠层构成,具有光反射性。半导体膜15、栅极绝缘膜16、栅极电极G、第一层间绝缘膜18、第二层间绝缘膜20、源极电极S和漏极电极D构成TFT(薄层晶体管)。半导体膜15和源极电极S通过贯通栅极绝缘膜16、第一层间绝缘膜18和第二层间绝缘膜20的接触孔hs连接。源极电极S例如与电源线(未图示)连接。半导体膜15和漏极电极D通过贯通栅极绝缘膜16、第一层间绝缘膜18和第二层间绝缘膜20的接触孔hd连接。漏极电极D和阳极电极22通过贯通平坦化膜22的接触孔ha连接。配线W和电容电极C通过贯通第二层间绝缘膜20的接触孔hc连接。分隔壁23c和堤23b能够使用聚酰亚胺、丙烯酸树脂等可涂敷的感光性有机材料,例如在同一工序中形成。平坦化膜21和分隔壁23c形成在显示区域DA,在非显示区域NA未形成。配置在非显示区域NA的堤23b和接触电极E形成在第二层间绝缘膜20上。有机EL层24通过蒸镀法或喷墨法形成在由分隔壁23c包围的区域(子像素区域)中。有机EL层24例如通过从下层侧起依次层叠空穴注入层、空穴输运层、发光层、电子输运层、电子注入层而构成。阴极电极25能够由ITO(IndiumTinOxide:铟锡氧化物)、IZO(IndiumZincOxide:铟锌氧化物)等的透明金属化合物或薄到透光性可识别的程度的半透明金属(例如Ag)构成。由阳极电极22、阴极电极25和被它们夹着的有机EL层24构成OLED(有机发光二极管)元件4。在OLED元件4中,由于阳极电极22和阴极电极25间的驱动电流,空穴和电子在发光层内复合,由此产生的激子落到基态,从而放出光。第一密封膜26和第三密封膜33是透光性的无机绝缘膜,第二密封膜27是比第一密封膜26和第三密封膜33厚的透光性的有机绝缘膜,由从OLED元件4侧起依次层叠的第一密封膜26、第二密封膜27、透光性导电膜30和第三密封膜33构成密封部5。密封部5覆盖OLED元件4,防止水、氧等的异物向OLED元件4渗透。透光性导电膜30例如除了ITO(IndiumTinOxide)、IZO(IndiumZincOxide)等的金属化合物膜之外,还能够由柔性优异的石墨烯膜、金属纳米线膜(例如包含银纳米线或铜纳米线的膜)、金属纳米颗粒膜(例如包含银纳米颗粒或铜纳米颗粒的膜)构成。第一密封膜26例如能够由氧化硅(SiOx)、氧氮化硅(SiOxNy)或氮化硅(SiNx)或者它们的叠层构成。第二密封膜27例如能够通过以喷墨方式涂敷包含丙烯酸树脂等的有机感光性材料的墨,使其UV固化而形成。墨的流动被堤23b止住,在堤23b的外侧没有形成第二密封膜27。以喷墨方式涂敷第二密封膜27的优点是材料损失少,而且不需要使用水、水溶液等的洗涤工序,使OLED元件4劣化的可能性小。第一密封膜26、透光性导电膜30和第三密封膜33在俯视时也形成在堤23b的外侧。俯视时,如图1的(b)所示,第一密封膜26的边缘位于比堤23b靠外侧(基材边缘侧)的位置,第一密封膜26的边缘位于比透光性导电膜30的边缘靠内侧(显示区域侧)的位置,第三密封膜33的边缘位于比透光性导电膜30的边缘靠外侧的位置,(第二层间绝缘膜20上的)接触电极E位于比第一密封膜26的边缘靠外侧的位置,且位于透光性导电膜30的内侧。因此,在接触电极E上没有形成第一密封膜26,而依本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED面板,其特征在于:在比基材靠上侧的位置设置有OLED元件和覆盖所述OLED元件的密封部,所述密封部包含透光性导电膜。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种OLED面板,其特征在于:在比基材靠上侧的位置设置有OLED元件和覆盖所述OLED元件的密封部,所述密封部包含透光性导电膜。2.如权利要求1所述的OLED面板,其特征在于:所述密封部包含形成在比所述透光性导电膜靠下侧的位置的第一密封膜,俯视时,所述透光性导电膜的边缘位于比所述第一密封膜的边缘靠外侧的位置。3.如权利要求2所述的OLED面板,其特征在于:所述密封部包含形成在比所述第一密封膜靠上侧的位置的第二密封膜,所述OLED面板包括与所述第二密封膜的边缘重叠的堤,俯视时,所述透光性导电膜的边缘位于比所述堤靠外侧的位置。4.如权利要求3所述的OLED面板,其特征在于:在比所述堤靠外侧的位置设置有与所述透光性导电膜接触的接触电极。5.如权利要求4所述的OLED面板,其特征在于:所述接触电极设置在所述透光性导电膜的下侧。6.如权利要求3所述的OLED面板,其特征在于:所述密封部包含形成在比所述第二密封膜靠上侧的位置的第三密封膜。7.如权利要求6所述的OLED面板,其特征在于:所述第一密封膜和所述第三密封膜是无机绝缘膜,所述第二密封膜是有机绝缘膜。8.如权利要求7所述的OLED面板,其特征在于:从OLED元件侧起依次形成有所述第一密封膜、所述第二密封膜、所述透光性导电膜、所述第三密封膜。9.如权利要求7所述的OLED面板,其特征在于:从OLED元件侧起依次形成有所述第一密封膜、所述透光性导电膜、所述第二密封膜、所述第三密封膜。10.如权利要求7所述的OLED面板,其特征在于:从OLED元件侧起依次形成有所述第一密封膜、所述第二密封膜、所述第三密封膜、所述透光性导电膜。11.如权利要求8或9所述的OLED面板,其特征在于:俯视时,所述第三密封膜的边缘位于比所述透光性导电膜的边缘靠外侧的位置。12.如权利要求10所述的OLED面板,其特征在于:俯视时,所述第三密封膜的边缘位...

【专利技术属性】
技术研发人员:园田通越智贵志越智久雄妹尾亨平瀬刚松井章宏高桥纯平
申请(专利权)人:夏普株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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