OLED面板的制造方法和OLED面板的制造装置制造方法及图纸

本发明专利技术的OLED面板的制造方法包括：在支承基板(50)的上侧，将树脂层(12)、平均应力(Px)为零或为拉伸应力的无机层(3)、TFT层(4)、OLED元件层(5)和密封层(6)依次层叠而形成层叠体(7)的工序；和将支承基板(50)从层叠体(7)分离的工序。

Manufacturing Method of OLED Panel and Manufacturing Device of OLED Panel

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】OLED面板的制造方法和OLED面板的制造装置
本专利技术涉及OLED面板的制造方法。
技术介绍
在柔性的OLED(有机发光二极管)面板的制造工序中，例如，在玻璃基板等支承基板的上侧形成由塑料层、底涂层、TFT层、发光元件层、密封层、覆盖基板等构成的层叠体，然后从玻璃基板的下表面侧向上述层叠体照射激光等，将支承基板剥离(参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015-194642号公报(2015年11月5日公开)
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题通常，在底涂层和TFT层会产生压缩应力，因此，存在如下问题：当将支承基板剥离(即，释放压缩应力)时，这些层会伸长而导致层叠体产生翘曲(卷曲)或褶皱，对其后的工序带来不良影响。用于解决技术问题的手段进行：在支承基板的上侧，将树脂层、平均应力为零或为拉伸应力的无机层、TFT层、OLED元件层和密封层依次层叠而形成层叠体的工序；和将上述支承基板从上述层叠体分离的工序。专利技术效果通过形成平均应力为零或为拉伸应力的无机层，能够使上述层叠体的平均应力接近零，能够抑制将层叠体从支承基板分离时产生的翘曲和褶皱。附图说明图1是本实施方式的OLED面板的平面图。图2是图1的a-a截面图。图3是图1的b-b截面图。图4是表示OLED面板的制造方法的示意图。图5是表示无机层的形成例的示意图。图6是表示无机层的另外的形成例的示意图。图7是表示非显示部的形成例的示意图。图8是表示OLED面板的另一个制造工序的截面图。具体实施方式下面，基于图1～图6，对本专利技术的实施方式进行说明。但是，这些实施方式只不过是例示。图1是本实施方式的OLED面板的平面图，图2是图1的a-a截面图，图3是图1的b-b截面图。如图1～图3所示，OLED面板2具有挠性，包括：下表面膜10；粘接层12；树脂层12；在树脂层12的上侧形成的无机层3；在无机层3的上侧形成的半导体膜15；在半导体膜15的上侧形成的栅极绝缘膜16；在栅极绝缘膜16的上侧形成的栅极电极G；在栅极电极G的上侧形成的第一层间绝缘膜18；在第一层间绝缘膜18的上侧形成的第二层间绝缘膜20；在第二层间绝缘膜20的上侧形成的源极电极S、漏极电极D和端子T；在源极电极S和漏极电极D的上侧形成的平坦化膜21；在平坦化膜21的上侧形成的阳极电极22；规定显示区域DC的子像素的分隔壁23c；形成在非显示区域NA的堤(bank)23b；在阳极电极22的上侧形成的有机EL(有机电致发光)层24；在有机EL层24的上侧形成的阴极电极25；覆盖分隔壁23c和阴极电极25的第一密封膜26；覆盖第一密封膜26的第二密封膜27；覆盖第二密封膜27的第三密封膜28；粘接层8；和上表面膜9。在非显示部NA的端子部XA不形成OLED元件层5和密封层6，在TFT层4的最上表面形成外部连接用的端子T。下表面膜10例如由绝缘性的柔性材料构成。树脂层13例如由聚酰亚胺构成。具有防湿功能的无机层3由包括阻挡膜(防湿膜)和应力调整膜在内的多个绝缘性的无机膜构成(将在后面说明)。半导体膜15例如由低温多晶硅(LPTS)或氧化物半导体构成。栅极绝缘膜16例如由氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)或者它们的层叠膜构成。栅极电极G、源极电极S、漏极电极D和端子T例如由包含铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)和铜(Cu)中的至少1者的金属的单层膜或层叠膜构成。在图2等中，以半导体膜15为沟道的TFT(薄膜晶体管)被表示为顶栅构造，但是也可以为底栅构造(例如，TFT的沟道为氧化物半导体的情况)。第一层间绝缘膜18和第二层间绝缘膜20例如可以由氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)构成。平坦化膜21可以由聚酰亚胺、丙烯酸树脂等可涂敷的感光性有机材料构成。阳极电极22例如由ITO(IndiumTinOxide：铟锡氧化物)与含Ag的合金的叠层构成，具有光反射性。半导体膜15、栅极绝缘膜16、栅极电极G、第一层间绝缘膜18、第二层间绝缘膜20、源极电极S和漏极电极D包含在TFT层4中。分隔壁23c和堤23b可以使用聚酰亚胺、丙烯酸树脂等可涂敷的感光性有机材料，例如在同一工序中形成。平坦化膜21和分隔壁23c形成在显示区域DA(在非显示区域NA不形成)。非显示区域NA的堤23b形成在第二层间绝缘膜20上。堤23b规定第二密封膜27的边缘。有机EL层24可利用蒸镀法或喷墨法形成在由分隔壁23c包围的区域(子像素区域)。有机EL层24例如通过从下层侧起依次层叠空穴注入层、空穴输运层、发光层、电子输运层、电子注入层而构成。阴极电极25可以由ITO(IndiumTinOxide：铟锡氧化物)、IZO(IndiumZincumOxide：铟锌氧化物)等透明金属构成。由阳极电极22和阴极电极25与由它们夹着的有机EL层24构成OLED(有机发光二极管)元件层5。在OLED元件层5中，由于阳极电极22和阴极电极25间的驱动电流，空穴和电子在发光层内复合，由此产生的激子下降到基态，从而放出光。被放出的光向OLED面板2的上侧出射。第一密封膜26和第三密封膜28例如可以由氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)构成。第二密封膜27是比第一密封膜26和第三密封膜28厚的透光性的有机绝缘膜，可以由聚酰亚胺、丙烯酸树脂等可涂敷的感光性有机材料构成。由从OLED元件层5侧起依次层叠的第一密封膜26、第二密封膜27和第三密封膜28构成密封层6。密封层6覆盖OLED元件层5，防止水、氧气等异物向OLED元件层5渗透。上表面膜9例如由透光性的柔性材料构成。图4的(a)～(d)是表示OLED面板2的制造工序的示意图。首先，如图4的(a)所示，在玻璃基板(支承基板)50的上侧，将树脂层12、具有防湿功能的无机层3、TFT层4、OLED元件层5和密封层6依次层叠而形成挠性的层叠体7，在密封层5上经由粘接层8粘接挠性的上表面膜9。在此，无机层3的平均应力Px为零或为正的值(拉伸应力)，TFT层4的平均应力Py为负的值(压缩应力)。接着，如图4的(b)所示，对玻璃基板50的下表面照射激光LZ，如图4的(c)所示，将玻璃基板50从层叠体7分离(剥离)。接着，如图4的(d)所示，在层叠体7的下表面(树脂层12的下表面)经由粘接层11粘接挠性的下表面膜10。图4的(a)～(d)所示的各工序由OLED面板的制造装置进行。当利用CVD法等在基板上成膜时，在膜内，在厚度方向的截面的法线方向会产生应力(每单位面积的力)。该应力有压缩应力(单位：帕斯卡)和拉伸应力(单位：帕斯卡)，其中，压缩应力是与使膜收缩的方向的外力相应的力，拉伸应力是与使膜拉伸的方向的外力相应的力，压缩应力用负的值表示，拉伸应力用正的值表示。具有压缩应力的膜，当外力消失(压缩应力被释放)时会伸长，具有拉伸应力的膜，当外力消失(拉伸应力被释放)时会收缩。成膜时产生的应力由成膜的物质、成膜条件和成膜的基底等决定。[实施方式1]图5是表示无机层的形成例的示意图。图4的(a)中的无机层3例如如图5的(a)所示的那样，由厚度为Df且应力为-Pf(压缩应力)的下侧(树脂层侧)的无机膜F和厚度为Dn且应力为+Pn(拉伸应力)的上侧(TFT层侧)的无机膜N构本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED面板的制造方法，其特征在于，包括：在支承基板的上侧，将树脂层、平均应力为零或为拉伸应力的无机层、TFT层、OLED元件层和密封层依次层叠而形成层叠体的工序；和将所述支承基板从所述层叠体分离的工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种OLED面板的制造方法，其特征在于，包括：在支承基板的上侧，将树脂层、平均应力为零或为拉伸应力的无机层、TFT层、OLED元件层和密封层依次层叠而形成层叠体的工序；和将所述支承基板从所述层叠体分离的工序。2.如权利要求1所述的OLED面板的制造方法，其特征在于：所述无机层包括：具有拉伸应力的第一无机膜；和具有压缩应力的第二无机膜。3.如权利要求1或2所述的OLED面板的制造方法，其特征在于：在所述密封层上粘接挠性的上表面膜后，将所述支承基板剥离。4.如权利要求1至3中任一项所述的OLED面板的制造方法，其特征在于：以与所述树脂层接触的方式形成所述无机层。5.如权利要求1至4中任一项所述的OLED面板的制造方法，其特征在于：将所述支承基板分离后，在树脂层的下侧粘接挠性的下表面膜。6.如权利要求2所述的OLED面板的制造方法，其特征在于：在所述第一无机膜的上侧形成所述第二无机膜。7.如权利要求2所述的OLED面板的制造方法，其特征在于：将所述第一无机膜形成得比所述第二无机膜厚。8.如权利要求2所述的OLED面板的制造方法，其特征在于：利用CVD法分别形成所述第一无机膜和第二无机膜。9.如权利要求2所述的OLED面板的制造方法，其特征在于：由不同的无机化合物构成所述第一无机膜和第二无机膜。10.如权利要求2所述的OLED面板的制造方法，其特征在于：由氧氮化硅构成所述第一无机膜。11.如权利要求2所述的OLED面板的制造方法，其特征在于：由氮化硅或氧化硅构成所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中哲宪，冈崎庄治，安田有希，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP