一种化合物、OLED显示面板以及电子设备制造技术

本发明专利技术提供了一种化合物、OLED显示面板以及电子设备，所述化合物具有式(I)结构；所述OLED显示面板包括第一电极、第二电极以及设置于所述第一电极和第二电极之间的有机薄膜层，所述有机薄膜层包括主体材料、电子传输层，所述主体材料、电子传输层包括所述化合物中的任意一种或至少两种的组合；所述电子设备包括所述OLED显示面板；该化合物用作电子传输层材料或红光主体材料用于制备OLED显示面板时，能够降低驱动电压，提高电流效率以及使用寿命。

A compound, OLED display panel and electronic equipment

【技术实现步骤摘要】
一种化合物、OLED显示面板以及电子设备
本专利技术涉及OLED显示面板
，尤其涉及一种化合物、OLED显示面板以及电子设备。
技术介绍
传统电致发光器件中使用的电子传输材料是Alq3，但Alq3的电子迁移率比较低(大约在l0-6cm2/Vs)，使得器件的电子传输与空穴传输不均衡。随着电发光器件产品化和实用化，人们希望得到传输效率更高、使用性能更好的ETL材料，在这一领域，研究人员做了大量的探索性工作。市场上现有较多使用的电子传输材料像红菲略啉(batho-phenanthroline，BPhen)、浴铜灵(bathocuproine，BCP)和TmPyPB，大体上能符合有机电致发光面板的市场需求，但它们的玻璃化转变温度较低，一般小于85℃，器件运行时，产生的焦耳热会导致分子的降解和分子结构的改变，使面板效率较低和热稳定性较差。同时，这种分子结构对称化很规则，长时间后很容易结晶。一旦电子传输材料结晶，分子间的电荷跃迀机制跟正常运作的非晶态薄膜机制就会产生差异，导致电子传输的性能降低，使得整个器件的电子和空穴迀移率失衡，激子形成效率大大降低，并且激子形成会集中在电子传输层与发光层的界面处，导致器件效率和寿命严重下降。因此，开发一种具有较高的三线态能级、较高电子迁移率、优异的热稳定性以及薄膜稳定性的能够用于OLED显示面板的化合物非常有必要。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术的目的之一在于提供一种化合物，所述化合物具有式(I)结构：式(I)中，B和C均各自独立地表示C6-C45的芳环、C10-C45的稠和芳环、C6-C45的芳杂环或C8-C45的稠和芳杂环中的任意一种；式(I)中，Rx1、Rx2均各自独立地选自取代或未取代的C1-C60的烷基，取代或未取代的C6-C60的芳基，取代或未取代的C6-C60的杂芳基，取代或未取代的C6-C60的稠环芳基中的任意一种；式(I)中，w为0-3的整数，x1为1-w的整数；式(I)中，l为0-3的整数，x2为1-l的整数；式(I)中，Lm均各自独立地选自取代或者未取代的C6-C40的亚芳基、取代或未取代的C5-C40的亚杂芳基中的任意一种；式(I)中，n为0-2的整数，m为1-n的整数；式(I)中，Ai均各自独立地选自取代或未取代的咔唑基及其衍生物基团、取代或未取代的芳胺基及其衍生物基团、取代或未取代的吖啶基及其衍生物基团中的任意一种；式(I)中，j为1-3的整数，i为1-j的整数；所述取代的取代基选自C1～C10的烷基、C2～C10烯基、C1～C6的烷氧基、C6～C30的单环芳烃或稠环芳烃基团、C3～C30的单环杂芳烃或稠环杂芳烃基团中的任意一种。本专利技术的目的之二在于提供一种OLED显示面板，所述OLED显示面板包括第一电极、第二电极以及设置于所述第一电极和第二电极之间的有机薄膜层，所述有机薄膜层包括电子传输层，所述电子传输层的材料包括目的之一所述的化合物中的任意一种或至少两种的组合。本专利技术的目的之三在于提供一种电子设备，所述电子设备包括目的之二所述的OLED显示面板。与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：本专利技术提供的化合物母环为稠环并吖啶，该基团共轭程度较大，电子离域程度很强，导致化合物具有较高的电子迁移能力；配合特定种类的供电子基使用，使得到的化合物具有合适的HOMO值(5.6～6.0eV)和较低的LUMO值(2.6-2.8eV)，可以提高电子传输的能力，使其可以用作电子传输材料；本专利技术化合物具有较低的HOMO能级(可以小于-6.0eV)，可以有效地阻挡空穴，将空穴限制在发光区内，与电子有效的复合，可以作为空穴阻挡层材料使用；本专利技术化合物具有相对较高的三线态能级(ET均大于2.3eV)，可以有效地阻挡激子的回传，将激子限制在发光区，利于扩宽发光区域，提升发光效率，可以作为红光主体材料使用；并具有较高的电子迁移率，保证电子与空穴可以均衡的在发光层中复合，使得激子的产生速率提高；具有较高的玻璃化温度和热分解温度，玻璃化转换温度均大于120℃，能够避免器件在工作时产生的焦耳热对器件寿命和效率的影响；具有优异的薄膜稳定性和均匀性，避免光散射或结晶诱导产生的降解或衰减；具有较高的还原电位，便于电子的传输。当化合物用于电子传输材料，制备得到的OLED显示面板具有较低的驱动电压，以及较高的发光效率和使用寿命，其中驱动电压<3.4V，电流效率>20.1Cd/A，寿命>130h；该化合物用作发光主体材料，制备得到的OLED显示面板具有较低的驱动电压，以及较高的发光效率和使用寿命，其中驱动电压<3.4V，电流效率>19.3Cd/A，寿命>127h。附图说明图1是本专利技术的一个具体实施方式中提供的OLED显示面板的示意图；图2是本专利技术的一个具体实施方式中提供的电子设备的示意图。具体实施方式为便于理解本专利技术，本专利技术列举实施例如下。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本专利技术，不应视为对本专利技术的具体限制。本专利技术的目的之一在于提供一种化合物，所述化合物具有式(I)的结构；式(I)中，B和C均各自独立地表示C6-C45的芳环、C10-C45的稠和芳环、C6-C45的芳杂环或C8-C45的稠和芳杂环中的任意一种；式(I)中，Rx1、Rx2均各自独立地选自取代或未取代的C1-C60的烷基，取代或未取代的C6-C60的芳基，取代或未取代的C6-C60的杂芳基，取代或未取代的C6-C60的稠环芳基中的任意一种；式(I)中，w为0-3的整数，x1为1-w的整数；式(I)中，l为0-3的整数，x2为1-l的整数；式(I)中，Lm均各自独立地选自取代或者未取代的C6-C40的亚芳基、取代或未取代的C5-C40的亚杂芳基中的任意一种；式(I)中，n为0-2的整数，m为1-n的整数；式(I)中，Ai均各自独立地选自取代或未取代的咔唑基及其衍生物基团、取代或未取代的芳胺基及其衍生物基团、取代或未取代的吖啶基及其衍生物基团中的任意一种；式(I)中，j为1-3的整数，i为1-j的整数；所述取代的取代基选自C1～C10的烷基、C2～C10烯基、C1～C6的烷氧基、C6～C30的单环芳烃或稠环芳烃基团、C3～C30的单环杂芳烃或稠环杂芳烃基团中的任意一种，本专利技术中本专利技术中涉及到的“所述取代的取代基”作如下解释：当所述“取代或未取代”的基团为取代的基团时，基团上面的取代基即为“取代的取代基”，取代基种类的选择范围如前段所述，下文涉及到相同的表达方式时，具有同样的意义。示例性的，当Ai基团选自烷基取代的咔唑基时，咔唑基上的烷基即为“取代的取代基”。式(I)中采用Ai、Lm、Rx1和Rx2的方式来表示取代基，意义在于，Ai、Lm、Rx1和Rx2代表基团的选择范围，而并非代表一个具体的基团，如当Ai的个数大于等于两个时，取代基Ai可以相同也可以不同，示例性的，当母体基团上取代有两个Ai基团时，即j为2，i为1～2的整数，当两个Ai中的i均为1时，即母核基团上取代有两个A1基团，意味着这两个基团是相同，当着两个Ai中的i分别为1和2时，即母核基团上取代有一个A1和一个为A2，这时候的两个Ai基团则可以是相同的，也可以是不同的。本专利技术提供的化合物以稠环并吖啶，该基团本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化合物，其特征在于，所述化合物具有式(I)的结构；

【技术特征摘要】
1.一种化合物，其特征在于，所述化合物具有式(I)的结构；式(I)中，B和C均各自独立地表示C6-C45的芳环、C10-C45的稠和芳环、C6-C45的芳杂环或C8-C45的稠和芳杂环中的任意一种；式(I)中，Rx1、Rx2均各自独立地选自取代或未取代的C1-C60的烷基，取代或未取代的C6-C60的芳基，取代或未取代的C6-C60的杂芳基，取代或未取代的C6-C60的稠环芳基中的任意一种；式(I)中，w为0-3的整数，x1为1-w的整数；式(I)中，l为0-3的整数，x2为1-l的整数；式(I)中，Lm均各自独立地选自取代或者未取代的C6-C40的亚芳基、取代或未取代的C5-C40的亚杂芳基中的任意一种；式(I)中，n为0-2的整数，m为1-n的整数；式(I)中，Ai均各自独立地选自取代或未取代的咔唑基及其衍生物基团、取代或未取代的芳胺基及其衍生物基团、取代或未取代的吖啶基及其衍生物基团中的任意一种；式(I)中，j为1-3的整数，i为1-j的整数；所述取代的取代基选自C1-C10的烷基、C2-C10烯基、C1-C6的烷氧基、C6-C30的单环芳烃或稠环芳烃基团、C3-C30的单环杂芳烃或稠环杂芳烃基团中的任意一种。2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述Lm各自独立地选自如下基团2-1至2-20中的任意一种：其中，Zr、Zx、Za、Zb、Zy、Zu、Zo、Zv均各自独立地选自氢原子、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30稠芳基、取代或未取代的C6-C30稠杂芳基、取代或未取代的C1-C16亚烷基、取代或未取代的C1-C16亚烷氧基；p为0-4的整数，r为1-p的整数；q为0-6的整数，x为1-q的整数；s、t均各自独立地选自0-3的整数，a为1-t的整数，b为1-s的整数；g为0-2的整数，y为1-g的整数；c为0-5的整数，u为1-c的整数；d为0-3的整数，o为1-d的整数；e为0-2的整数，v为1-e的整数；所述取代的取代基选自C1-C10的烷基、C2-C10烯基、C1-C6的烷氧基、C6-C30的单环芳烃或稠环芳烃基团、C3-C30的单环杂芳烃或稠环杂芳烃基团中的任意一种；虚线表示连接位点。3.根据权利要求2所述的化合物，其特征在于，所述Lm各自独立地选自如下基团中的任意一种：虚线表示连接位点。4.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述j为1或2。5.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述Ai各自独立地选自取代或未取代的咔唑基及其衍生物基团，所述取代或未取代的咔唑基及其衍生物基团选自如下基团中的任意一种：其中，Y选自碳原子、氮原子、氧原子、硫原子或硅原子中的任意一种；所述r和s均各自独立地选自0-4的整数，所述g为1-r的整数，所述h为1-s的整数；所述t选自0～3的整数，所述w为1～t的整数；所述p选自0-2的整数，所述v为1-p的整数；所述a为0～5的整数，所述d为1～a的整数；Rg、Rh、Rv、Rw均各自独立地选自氢原子、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、取代或未取代的C6-C40芳基、取代或未取代的C4-C40杂芳基、取代或未取代的C12-C40咔唑基及其衍生物基团、取代或未取代的C12-C40二苯胺基及其衍生物基团、取代或未取代的C12-C40吖啶基及其衍生物基团中的任意一种；所述Rd均各自独立地选自取代或未取代的C1～C20亚烷基、取代或未取代的C1～C20亚烷氧基、取代或未取代的C6～C30亚芳基、取代或未取代的C3～C30亚杂芳基中的任意一种；所述取代的取代基选自C1-C10的烷基、C2-C10烯基、C1-C6的烷氧基、C6-C30的单环芳烃或稠环芳烃基团、C3-C30的单环杂芳烃或稠环杂芳烃基团中的任意一种；虚线表示连接位点。6.根据权利要求5所述的化合物，其特征在于，所述取代或未取代的咔唑基及其衍生物基团选自如下基团中的任意一种：其中，R选自...

【专利技术属性】
技术研发人员：张磊，高威，牛晶华，代文朋，邓东阳，朱红岩，刘营，刘忆，
申请(专利权)人：上海天马有机发光显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31