衬底处理装置和衬底的制造方法制造方法及图纸

技术编号:21958641 阅读:27 留言:0更新日期:2019-08-24 21:58
衬底处理装置具有:保持衬底(W)并在减压加热处理室内被加热的衬底保持件(H);使从衬底保持件(H)放射的放射热线(La)向减压加热处理室外透过的透过窗(23);在减压加热处理室外测量透过了透过窗(23)的放射热线(La)的放射温度计(25);以及从朝向透过窗(23)开口的气体导入口(24a)向透过窗(23)喷射气体而将气体导入减压加热处理室内的气体导入装置(24)。

Substrate Processing Unit and Substrate Manufacturing Method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】衬底处理装置和衬底的制造方法
本专利技术涉及进行加热处理的衬底处理装置和衬底的制造方法。
技术介绍
在作为半导体制造装置的衬底处理装置中,一般来说,在减压环境下在半导体衬底(以下,仅称为“衬底”)上进行成膜或蚀刻这样的表面处理。在表面处理的工序中,通常,在真空导入室例如负载锁定室中在减压环境下对衬底实施加热处理。在加热处理中,衬底的温度控制很重要,所以,衬底的温度的测量精度很重要。作为衬底和保持衬底的衬底保持件的加热方法,有使发热体直接接触衬底和衬底保持件的方法、以及用辐射热以非接触的方式来加热衬底和衬底保持件的方法。在衬底和衬底保持件的加热中,为了实现所要求的加热速度和加热温度,多采用成本低廉的灯加热器。在此情况下,在尤其考虑加热速度时,优选灯加热器与衬底的表面和作为衬底保持件的衬底载置面的上表面相面对。衬底的表面是被处理面,所以,衬底的表面和衬底保持件的上表面的并未载置衬底的部分的表面状态显著变化。因此,在衬底的温度的测量中,测量衬底保持件的背面侧的温度来相对地测量衬底的温度。另外,在衬底的温度的测量中,在衬底和衬底保持件移动的情况下,多采用与衬底和衬底保持件非接触的放射温度计。因此,衬底处理装置具有设置于减压加热处理室内并在上表面载置衬底的衬底保持件、以及设置于减压加热处理室的底侧并使放射热线透过的窗,在减压加热处理室的外侧,采用例如放射温度计来测量从衬底保持件放射并透过了窗的放射热线的强度。放射热线是指从物体放射的红外线和可见光线的总称。放射热线也被称为辐射热线。在衬底处理装置中,通过测量衬底保持件的温度来相对地测量衬底的温度。在多次反复加热处理时,在减压加热处理室中附着于衬底保持件的膜、减压加热处理室内的灰尘或衬底的碎片这样的异物就会附着并堆积于使上述的放射热线透过的窗上。在异物附着和堆积于使放射热线透过的窗上时,会由该异物遮住来自衬底保持件的放射热线,从而可能引起无法准确地进行采用放射温度计的温度测量的问题。例如,在专利文献1所记载的技术中,通过在具有放射热线透过性的窗上设置遮蔽部件,异物难以物理性地堆积于窗上。在先技术文献专利文献专利文献1:日本特开2012-230049号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题但是,在上述专利文献1的技术中,一旦异物附着于上述的窗上,由于在窗上设置着遮蔽部件,该遮蔽部件会阻碍该异物的移动,从而难以从窗上除去该异物。由于反复加热处理,因此该未除去的异物就会堆积于该窗上,由该异物遮住来自衬底保持件的放射热线,从而无法准确地进行采用放射温度计的温度测量。另外,在上述专利文献1的技术中,气体导入口位于遮蔽部件的附近,所以,由从气体导入口导入的气体吹飞的异物的一部分会弹回该遮蔽部件。弹回该遮蔽部件的异物在该遮蔽部件内落下,该异物会附着并堆积于上述的窗上。本专利技术是鉴于上述而完成的,其目的在于得到一种衬底处理装置,其能够抑制无法准确地进行利用放射热线的温度测量的情况。用于解决课题的手段为了解决上述的课题而达到目的,本专利技术的衬底处理装置在减压环境的处理室内对衬底实施加热处理。衬底处理装置具有保持衬底并在处理室内被加热的衬底保持部。衬底处理装置具有使从衬底保持部放射的放射热线向处理室外透过的透过部。衬底处理装置具有在处理室外测量透过了透过部的放射热线的测量部。衬底处理装置具有从朝向透过部开口的气体导入口向透过部喷射气体并将气体导入处理室内的气体导入部。专利技术效果根据本专利技术的衬底处理装置,会起到如下的效果,即,能够抑制无法准确地进行利用放射热线的温度测量的情况。附图说明图1是用于说明本专利技术的实施方式的衬底处理装置的结构的概略图。图2是用于详细说明图1中的减压加热处理室的一部分的结构的放大概略图。图3是用于说明图1中的减压加热处理室的透过窗的俯视图。图4是用于说明图1中的减压加热处理室的衬底保持件与透过窗的位置关系的图。图5是在图1中的减压加热处理室内进行的处理的流程图。图6是用于说明图1中的减压加热处理室的透过窗的周边的形状的变型例的图。图7是用于说明图1中的减压加热处理室的透过窗的周边的形状的变型例的图。具体实施方式以下,基于附图,对本专利技术的实施方式的衬底处理装置和衬底的制造方法进行详细说明。需要说明的是,本专利技术并不由该实施方式所限定。实施方式.首先,对本专利技术的实施方式的衬底处理装置进行说明。图1是用于说明本专利技术的实施方式的衬底处理装置的结构的概略图。如图1所示,衬底处理装置10具有:在减压环境下对作为处理对象的衬底W和衬底保持件H实施加热处理的减压加热处理室20;对在减压加热处理室20实施了加热处理的衬底W上实施成膜或蚀刻这样的表面处理的反应处理室30;以及供在反应处理室30实施了表面处理的衬底W搬出的卸载室40。衬底W是例如集成电路用的半导体晶圆或用于制造太阳能电池的晶圆。衬底处理装置10可以是串联(日文:インライン)方式的衬底处理装置,也可以是群集(日文:クラスタ)方式的衬底处理装置。衬底处理装置10具有反应处理室30和卸载室40,但也可以不具有反应处理室30和卸载室40而是由减压加热处理室20这1个腔室构成。衬底处理装置10具有反应处理室30,但也可以不具有反应处理室30而是由减压加热处理室20和卸载室40这2个腔室构成。衬底处理装置10具有卸载室40,但也可以是使减压加热处理室20具有卸载室40的功能而不具有卸载室40的结构。在此情况下,将在反应处理室30实施了表面处理的衬底W搬出到减压加热处理室20。在本实施方式中,衬底W和衬底保持件H由未图示的至少1个运送臂来转移。如图1所示,将衬底保持件H搬入减压加热处理室20。在衬底保持件H的上表面A侧载置衬底W。衬底保持件H是衬底保持部的一个例子。在本实施方式中,将衬底保持件H搬入减压加热处理室20,但也可以是将衬底保持件H设置于减压加热处理室20内、将衬底W搬入减压加热处理室20并将搬入减压加热处理室20的衬底W载置于衬底保持件H的结构。在此情况下,衬底保持件H是载置衬底W的衬底载置台。在减压加热处理室20中设置有对载置于衬底保持件H的衬底W和衬底保持件H进行加热的加热装置21。加热装置21只要是能够加热衬底W的装置即可。在本实施方式中,作为加热装置21,采用灯加热器为宜。在本实施方式中,采用灯加热器来进行衬底W的加热为宜,但也可以采用套加热器(日文:シースヒータ)来进行衬底W的加热。在本实施方式中,为了维持例如载置于衬底保持件H的衬底W的温度,也可对在减压加热处理室20内未载置衬底W的衬底保持件H进行加热。在减压加热处理室20,在减压加热处理室20的底部22的位于衬底保持件H下方的位置,设置有透过窗23。衬底保持件H由加热装置21加热,放射与衬底保持件H的温度相应的放射热线。透过窗23使从衬底保持件H放射的放射热线中的从衬底保持件H下方放射的放射热线透过。透过窗23的材质是例如氟化钙或氟化钡。透过窗23是透过部。在减压加热处理室20中设置有气体导入装置24,该气体导入装置24将例如氮气或干燥空气这样的净化用的气体导入减压加热处理室20内。气体导入装置24将净化用的气体导入减压加热处理室20内,从而能够使减压加热处理室20内的压力恢复到大气压。气体导入装置24是气体导入部的一个例子。在减压加热处理室20的外部的位于本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种衬底处理装置,是在减压环境的处理室内对衬底实施加热处理的衬底处理装置,其特征在于,该衬底处理装置具有:保持所述衬底并在所述处理室内被加热的衬底保持部;使从所述衬底保持部放射的放射热线向所述处理室外透过的透过部;在所述处理室外测量透过了所述透过部的所述放射热线的测量部;以及从朝向所述透过部开口的气体导入口向所述透过部喷射气体而将所述气体导入所述处理室内的气体导入部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.01.13 JP 2017-0044781.一种衬底处理装置,是在减压环境的处理室内对衬底实施加热处理的衬底处理装置,其特征在于,该衬底处理装置具有:保持所述衬底并在所述处理室内被加热的衬底保持部;使从所述衬底保持部放射的放射热线向所述处理室外透过的透过部;在所述处理室外测量透过了所述透过部的所述放射热线的测量部;以及从朝向所述透过部开口的气体导入口向所述透过部喷射气体而将所述气体导入所述处理室内的气体导入部。2.如权利要求1所述的衬底处理装置,其特征在于,所述衬底保持部具有上表面和底面;所述衬底在所述衬底保持部的所述上表面侧被支撑;所述透过部使从所述衬底保持部的所述底面放射的放射热线向所述处理室外透过,以上表面与所述衬底保持部的所述底面平行的方式设置于所述处理室的底部。3.如权利要求2所述的衬底处理装置,其特征在于,所述气体导入部在所述处理室内设置于比所述透过部的上表面靠外侧的位置。4.如权利要求2或3所述的衬底处理装置,其特征在于,所述透过部的上表面和...

【专利技术属性】
技术研发人员:横川政弘川崎隆裕中岛保田中芳雄
申请(专利权)人:三菱电机株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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