一种在电路衬底上制作保护膜层的方法技术

本发明专利技术公开了一种在电路衬底上制作保护膜层的方法，包括：在电路衬底的电路面上制作剥离图案层，所述剥离图案层覆盖于所述电路衬底的第一电路区域，而露出所述电路衬底的第二电路区域；在所述电路衬底的电路面上制作保护膜层，所述保护膜层覆盖于所述电路衬底的第一电路区域和位于所述第二电路区域上的剥离图案层，其中所述剥离图案层的厚度大于位于所述第一电路区域上的保护膜层的厚度，以使所述保护膜层在所述第一电路区域和第二电路区域之间形成断裂的爬坡结构，所述剥离图案层的侧面从所述爬坡结构的断裂处露出；采用剥离液腐蚀掉所述剥离图案层，以露出所述电路衬底的第二电路区域。该方法可降低在电路衬底上制作保护膜层的设备成本。

A Method of Making Protective Film on Circuit Substrate

【技术实现步骤摘要】
一种在电路衬底上制作保护膜层的方法
本专利技术涉及电路衬底保护方法，尤其涉及一种在电路衬底上制作保护膜层的方法。
技术介绍
随着触控显示技术的成熟，各生产厂家之间的竞争越来越激烈，产品的制作成本已经成为至关重要的竞争力。在触控显示产品中往往需要用到电路衬底，所述电路衬底上具有功能电路层，所述触控显示产品通过所述功能电路层实现触摸功能、显示功能或触摸显示功能等。现有技术中，所述电路衬底的电路功能层表面上会制作一层保护膜层，以对所述电路功能层进行保护，普通保护膜层是OCA光学胶，但是OCA光学胶不耐高温，而产品的某些制程（如AMOLED制程）需要在400-500℃的高温下进行，这种情况下就需要使用SIO2或SI3N4等耐高温保护膜层。而所述电路功能层中有一些电路区域需要从所述保护膜层中露出以绑定FPC、IC等，因此需要对耐高温保护膜层进行刻蚀，以将这些电路区域露出，但是耐高温保护膜层只能采用黄光工艺进行刻蚀，而黄光工艺所使用的黄光设备价格昂贵，一般公司买不起，设备成本很高。
技术实现思路
为了解决上述现有技术的不足，本专利技术提供一种在电路衬底上制作保护膜层的方法，可降低在电路衬底上制作保护膜层的设备成本。本专利技术所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：一种在电路衬底上制作保护膜层的方法，包括：在电路衬底的电路面上制作剥离图案层，所述剥离图案层覆盖于所述电路衬底的第一电路区域，而露出所述电路衬底的第二电路区域；在所述电路衬底的电路面上制作保护膜层，所述保护膜层覆盖于所述电路衬底的第二电路区域和位于所述第一电路区域上的剥离图案层，其中所述剥离图案层的厚度大于位于所述第二电路区域上的保护膜层的厚度，以使所述保护膜层在所述第一电路区域和第二电路区域之间形成断裂的爬坡结构，所述剥离图案层的侧面从所述爬坡结构的断裂处露出；采用剥离液腐蚀掉所述剥离图案层，以露出所述电路衬底的第一电路区域。进一步地，所述剥离图案层为光阻材料，在所述电路衬底的电路面上制作所述剥离图案层的步骤包括：进一步地，在所述电路衬底的电路面上制作一层剥离膜层，所述剥离膜层同时覆盖于所述电路衬底的第一电路区域和第二电路区域；进一步地，对所述剥离膜层进行曝光显影后，去掉位于所述第二电路区域上的剥离膜层，留下位于所述第一电路区域上的剥离膜层，形成所述剥离图案层。进一步地，所述剥离图案层为正性光阻材料，对所述第二电路区域上的剥离膜层进行曝光，然后用显影液腐蚀掉位于所述第二电路区域上被曝光的剥离膜层。进一步地，所述剥离图案层为负性光阻材料，对所述第一电路区域上的剥离膜层进行曝光，然后用显影液腐蚀掉位于所述第二电路区域上未被曝光的剥离膜层。进一步地，所述剥离液为碱性溶液。进一步地，所述电路衬底包括透明衬底和制作于所述透明衬底一面上的功能电路层。进一步地，所述功能电路层包括需要从所述保护膜层中露出的第一电路区域和需要被覆盖于所述保护膜层下保护的第二电路区域。进一步地，所述保护膜层为耐高温保护膜层。进一步地，所述保护膜层为无机非金属化合物膜层。进一步地，所述剥离液能够腐蚀所述剥离图案层，而无法腐蚀所述保护膜层。本专利技术具有如下有益效果：该方法在所述电路衬底上制作所述保护膜层时，通过剥离位于所述第二电路区域上的剥离图案层，进而将位于所述剥离图案层上的保护膜层一同去掉，无需通过黄光工艺对所述保护膜层进行刻蚀，而所述剥离图案层的制作只需采用普通的光刻工艺即可，普通的光刻设备很便宜，可降低设备成本。附图说明图1为本专利技术提供的在电路衬底上制作保护膜层的方法的步骤框图；图2为本专利技术提供的在电路衬底上制作保护膜层的示意图；图3为本专利技术提供的在电路衬底上制作保护膜层的另一示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术进行详细的说明。如图1-3所示，一种在电路衬底1上制作保护膜层3的方法，包括：S101：在电路衬底1的电路面上制作剥离图案层2，所述剥离图案层2覆盖于所述电路衬底1的第一电路区域11，而露出所述电路衬底1的第二电路区域12；所述电路衬底1包括透明衬底和制作于所述透明衬底一面上的功能电路层，所述功能电路层可以为具有触摸功能的触摸电路层、具有显示功能的显示电路层或者同时具有触摸和显示功能的触摸显示电路层，在此不对所述功能电路层的功能类型作限制。其中所述功能电路层的第一电路区域11为最终需要从保护膜层3中露出绑定FPC和IC的电路区域，而所述功能电路层的第二电路区域12为最终需要被覆盖于保护膜层3下进行保护的电路区域。所述透明衬底可以为塑料衬底、玻璃衬底或蓝宝石衬底等常规材料衬底；所述功能电路层可以为ITO电路层、纳米银电路层或石墨烯电路层等常规材料电路层。具体的，所述剥离图案层2为光阻材料，在所述电路衬底1的电路面上制作所述剥离图案层2的步骤包括：在所述电路衬底1的电路面上制作一层剥离膜层，所述剥离膜层同时覆盖于所述电路衬底1的第一电路区域11和第二电路区域12；对所述剥离膜层进行曝光显影后，去掉位于所述第二电路区域12上的剥离膜层，留下位于所述第一电路区域11上的剥离膜层，形成所述剥离图案层2。在曝光显影的过程中，依据光阻材料的不同进行曝光和显影的电路区域也不相同，若所述剥离图案层2为正性光阻材料，则对所述第二电路区域12上的剥离膜层进行曝光，然后用显影液腐蚀掉位于所述第二电路区域12上被曝光的剥离膜层；若所述剥离图案层2为负性光阻材料，则对所述第一电路区域11上的剥离膜层进行曝光，然后用显影液腐蚀掉位于所述第二电路区域12上未被曝光的剥离膜层。S102：在所述电路衬底1的电路面上制作保护膜层3，如图2所示，所述保护膜层3覆盖于所述电路衬底1的第二电路区域12和位于所述第一电路区域11上的剥离图案层2，其中所述剥离图案层2的厚度大于位于所述第二电路区域12上的保护膜层3的厚度，以使所述保护膜层3在所述第一电路区域11和第二电路区域12之间形成断裂的爬坡结构31，所述剥离图案层2的侧面从所述爬坡结构31的断裂处32露出；所述保护膜层3优选为耐高温保护膜层3，材质可以为SIO2或SI3N4等无机非金属化合物膜层。由于所述剥离图案层2的厚度要大于位于所述第二电路区域12上的保护膜层3的厚度，所述保护膜层3在所述第一电路区域11和第二电路区域12之间会由于高度差而形成所述爬坡结构31，当高度差达到一定量时，所述保护膜层3会由于所述爬坡结构31的坡度太大而发生断裂，以将所述剥离图案层2的侧面从所述爬坡结构31的断裂处32露出。S103：采用剥离液腐蚀掉所述剥离图案层2，以露出所述电路衬底1的第一电路区域11；由于所述剥离图案层2的侧面从所述爬坡结构31的断裂处32露出，所述剥离液能够进入所述爬坡结构31的断裂处32而与所述剥离图案层2的侧面相接触以将所述剥离图案层2腐蚀掉，而位于所述剥离图案层2上的保护膜层3自然也会在所述剥离图案层2被腐蚀掉后而脱落，最终露出所述电路衬底1的第一电路区域11。通过选择合适的剥离液来对所述剥离图案层2进行腐蚀，所述剥离液应当仅能够腐蚀所述剥离图案层2，而无法腐蚀所述保护膜层3。由于SIO2或SI3N4等无机非金属化合物膜层制作的耐高温保护膜层一般仅会被酸性溶液腐蚀，不会被碱性溶液腐蚀，而制作所述剥离图案层2的光阻材料则刚好可以被碱性溶液腐蚀，因本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在电路衬底上制作保护膜层的方法，其特征在于，包括：在电路衬底的电路面上制作剥离图案层，所述剥离图案层覆盖于所述电路衬底的第一电路区域，而露出所述电路衬底的第二电路区域；在所述电路衬底的电路面上制作保护膜层，所述保护膜层覆盖于所述电路衬底的第二电路区域和位于所述第一电路区域上的剥离图案层，其中所述剥离图案层的厚度大于位于所述第二电路区域上的保护膜层的厚度，以使所述保护膜层在所述第一电路区域和第二电路区域之间形成断裂的爬坡结构，所述剥离图案层的侧面从所述爬坡结构的断裂处露出；采用剥离液腐蚀掉所述剥离图案层，以露出所述电路衬底的第一电路区域。

【技术特征摘要】
1.一种在电路衬底上制作保护膜层的方法，其特征在于，包括：在电路衬底的电路面上制作剥离图案层，所述剥离图案层覆盖于所述电路衬底的第一电路区域，而露出所述电路衬底的第二电路区域；在所述电路衬底的电路面上制作保护膜层，所述保护膜层覆盖于所述电路衬底的第二电路区域和位于所述第一电路区域上的剥离图案层，其中所述剥离图案层的厚度大于位于所述第二电路区域上的保护膜层的厚度，以使所述保护膜层在所述第一电路区域和第二电路区域之间形成断裂的爬坡结构，所述剥离图案层的侧面从所述爬坡结构的断裂处露出；采用剥离液腐蚀掉所述剥离图案层，以露出所述电路衬底的第一电路区域。2.根据权利要求1所述的在电路衬底上制作保护膜层的方法，其特征在于，所述剥离图案层为光阻材料，在所述电路衬底的电路面上制作所述剥离图案层的步骤包括：在所述电路衬底的电路面上制作一层剥离膜层，所述剥离膜层同时覆盖于所述电路衬底的第一电路区域和第二电路区域；对所述剥离膜层进行曝光显影后，去掉位于所述第二电路区域上的剥离膜层，留下位于所述第一电路区域上的剥离膜层，形成所述剥离图案层。3.根据权利要求2所述的在电路衬底上制作保护膜层的方法，其特征在于，所述剥离图案层为正性光阻材料，对...

【专利技术属性】
技术研发人员：林汉良，苏初榜，
申请(专利权)人：信利光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44