一种从中心到边缘肖特基接触逐渐增大的结型势垒肖特基二极管制造技术

本发明专利技术公开了一种从中心到边缘肖特基接触逐渐增大的结型势垒肖特基二极管，包括：N

A Shaped Barrier Schottky Diode with Increasing Schottky Contact from Center to Edge

【技术实现步骤摘要】
一种从中心到边缘肖特基接触逐渐增大的结型势垒肖特基二极管
本专利技术属于半导体
，具体涉及一种从中心到边缘肖特基接触逐渐增大的结型势垒肖特基二极管。
技术介绍
宽带隙半导体材料碳化硅具有较大的禁带宽度，较高的临界击穿电场，高热导率和高电子饱和漂移速度等优良物理和化学特性，适合制作高温，高压，大功率，抗辐照的半导体器件。在功率电子领域中，JBS(Junctionbarrierschottkydiode，结势垒肖特基二极管)二极管已被广泛应用，它具有良好正向导通特性，反向漏电流小等特点。相比于传统的结型势垒肖特基二极管，槽型结型势垒肖特基二极管(TJBS，TrenchJunctionbarrierschottkydiode)由于减小了肖特基区的电场，所以二极管漏电流明显减小。但由于TJBS二极管不同位置所接触的封装面积不同，导致TJBS二极管不同位置的散热条件不同，最终导致TJBS二极管中心温度大于TJBS二极管周围温度。这个温度差会导致TJBS二极管不同位置载流子迁移率不同，电流分布不均匀，TJBS二极管出现局部电迁移现象，影响器件可靠性。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种从中心到边缘肖特基接触逐渐增大的结型势垒肖特基二极管。本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现：一种从中心到边缘肖特基接触逐渐增大的结型势垒肖特基二极管，包括：N-外延层、若干P型离子注入区和第一金属层，其中，若干所述P型离子注入区设置于所述N-外延层内表面，且每个所述P型离子注入区表面的中心位置均设置有一沟槽，第一金属层设置于所述N-外延层上、且覆盖所述P型离子注入区，相邻两个所述P型离子注入区之间的N-外延层与所述第一金属层形成第一肖特基接触区，第一肖特基接触区的面积从所述结型势垒肖特基二极管的中心至边缘逐渐增大。在本专利技术的一个实施例中，所述第一肖特基接触区的面积从所述结型势垒肖特基二极管的中心到边缘逐个依次增大。在本专利技术的一个实施例中，所述第一肖特基接触区的面积从所述结型势垒肖特基二极管的中心至边缘每隔n个所述第一肖特基接触区增大一次，其中，n为大于等于2的整数。在本专利技术的一个实施例中，所有所述沟槽的宽度和深度均相等。在本专利技术的一个实施例中，所有所述P型离子注入区的深度均相等。在本专利技术的一个实施例中，所述P型离子注入区与所述第一金属层形成第二肖特基接触区或欧姆接触区。在本专利技术的一个实施例中，还包括N+衬底层，位于所述N-外延层的下表面。在本专利技术的一个实施例中，还包括两个二氧化硅隔离层，分别位于所述N-外延层两端的表面。在本专利技术的一个实施例中，还包括第二金属层，位于所述第一金属层上。本专利技术的有益效果：本专利技术的第一肖特基接触区的面积从结型势垒肖特基二极管的中心至边缘逐渐增大，在保证反向漏电流和正向导通电阻没有退化的前提下，减小了器件中心与边缘的温度差，有效抑制了局部电迁移现象的发生，从而提高了器件的可靠性。以下将结合附图及实施例对本专利技术做进一步详细说明。附图说明图1是本专利技术实施例提供的一种从中心到边缘肖特基接触逐渐增大的结型势垒肖特基二极管的结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的一种从中心到边缘肖特基接触逐渐增大的结型势垒肖特基二极管的结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的一种从中心到边缘肖特基接触逐渐增大的结型势垒肖特基二极管的俯视图。具体实施方式下面结合具体实施例对本专利技术做进一步详细的描述，但本专利技术的实施方式不限于此。实施例一请参见图1，图1是本专利技术实施例提供的一种从中心到边缘肖特基接触逐渐增大的结型势垒肖特基二极管的结构示意图。本专利技术实施例提供一种从中心到边缘肖特基接触逐渐增大的结型势垒肖特基二极管，该结型势垒肖特基二极管包括：N+衬底层1、N-外延层2、若干P型离子注入区3、两个二氧化硅隔离层5、第一金属层6和第二金属层8。具体地，所述N+衬底层1是高掺杂的n型碳化硅，所述n型碳化硅是磷材料与碳化硅材料的掺杂，其磷材料的掺杂浓度为≥1×1019/cm-3。进一步地，所述n型碳化硅的厚度为200μm-500μm。进一步地，在所述高掺杂的n型碳化硅下表面生长一层第一金属后形成欧姆接触区，再在第一金属下表面生长一层第二金属，之后在第二金属的表面用导线引出来后形成阴极。优选地，所述第一金属为金属Ni，其厚度为50-100nm；优选地，所述第二金属为Ti/Ni/Ag的金属依次堆叠形成，其厚度为2-5μm。优选地，所述导线可以是金属铜或者铝，用所述铜或者铝导线从所述第二金属的表面Ag层引出来后形成所述阴极。具体地，N-外延层2，位于所述N+衬底层1上。进一步地，所述N-外延层2是磷材料与碳化硅材料的掺杂，其中，磷材料的掺杂浓度根据所需结型势垒肖特基二极管的击穿电压确定，例如：所述结型势垒肖特基二极管的击穿电压为1200V时，所述磷掺杂浓度为1×1015/cm-3。进一步地，所述N-外延层2的厚度根据所需结型势垒肖特基二极管的击穿电压确定，例如：所述结型势垒肖特基二极管的击穿电压为1200V时，所述N-外延层2的厚度为10μm。具体地，若干所述P型离子注入区3设置于所述N-外延层2内表面，且每个所述P型离子注入区3表面的中心位置均设置有一沟槽4。所述P型离子注入区3与所述第一金属层6形成第二肖特基接触区或欧姆接触区。进一步地，所有所述沟槽4的宽度D、深度P1均对应相等。优选地，所述沟槽4的深度P1≥1μm，所述沟槽4的宽度D≤5μm；优选地，所述沟槽4的宽度D为2.5μm。进一步地，所述沟槽4的结深即所述沟槽4的深度。优选地，所述P型离子注入区3的深度P2≥2.5μm。优选地，所有所述P型离子注入区3的宽度DP相等，且其宽度DP≤6.2μm。优选地，请参见图3，所述P型离子注入区3的注入形状包括长方形和正方形。具体地，两个二氧化硅隔离层5，分别位于N-外延层2两端的表面。优选地，所述二氧化硅隔离层6的厚度为200-500nm。具体地，第一金属层6设置于所述N-外延层2上、且覆盖所述P型离子注入区3，相邻两个所述P型离子注入区3之间的N-外延层2与所述第一金属层6形成第一肖特基接触区7，第一肖特基接触区7的面积从所述结型势垒肖特基二极管的中心至边缘逐渐增大。进一步地，所述第一肖特基接触区7的面积从所述结型势垒肖特基二极管的中心至边缘逐个依次增大。例如，请参见图2，该结型势垒肖特基二极管设置有10个P型离子注入区3，并将第一肖特基接触区7的面积从结型势垒肖特基二极管的左侧至右侧分别记为WS1-WS9，其中，第一肖特基接触区7的面积关系为：WS1>WS2>WS3>WS4>WS5<WS6<WS7<WS8<WS9，即第一肖特基接触区7的面积从所述结型势垒肖特基二极管的中心至边缘逐个依次增大。进一步地，所述第一肖特基接触区7的面积从所述结型势垒肖特基二极管的中心至边缘每隔n个所述第一肖特基接触区7增大一次，其中，n为大于等于2的整数。例如，请再次参见图2，该结型势垒肖特基二极管设置有10个P型离子注入区3，且n取值为2，并将第一肖特基接触区7的面积从结型势垒肖特基二极管的左侧至右侧分别记为WS1-WS9，其中，所述第一肖特基接触区7的面积关系为：WS1＝WS2&本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种从中心到边缘肖特基接触逐渐增大的结型势垒肖特基二极管，其特征在于，包括：N

【技术特征摘要】
1.一种从中心到边缘肖特基接触逐渐增大的结型势垒肖特基二极管，其特征在于，包括：N-外延层(2)、若干P型离子注入区(3)和第一金属层(6)，其中，若干所述P型离子注入区(3)设置于所述N-外延层(2)内表面，且每个所述P型离子注入区(3)表面的中心位置均设置有一沟槽(4)，第一金属层(6)设置于所述N-外延层(2)上、且覆盖所述P型离子注入区(3)，相邻两个所述P型离子注入区(3)之间的N-外延层(2)与所述第一金属层(6)形成第一肖特基接触区(7)，第一肖特基接触区(7)的面积从所述结型势垒肖特基二极管的中心至边缘逐渐增大。2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第一肖特基接触区(7)的面积从所述结型势垒肖特基二极管的中心到边缘逐个依次增大。3.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第一肖特基接触区(7)的面积...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤晓燕，范鑫，宋庆文，袁昊，何晓宁，张玉明，张艺蒙，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61