薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示面板技术

本发明专利技术提供了薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板，该薄膜晶体管包括低温多晶硅有源层和第一栅极，所述低温多晶硅有源层与所述第一栅极通过第一栅绝缘层间隔开；金属氧化物有源层与第二栅极，所述金属氧化物有源层与所述第二栅极通过第二栅绝缘层间隔开；和源/漏极，所述源/漏极设置在所述低温多晶硅有源层和所述金属氧化物有源层之间，并分别与所述低温多晶硅有源层和所述金属氧化物有源层电连接。该薄膜晶体管稳定性好、Ioff低、Ion高、且使用寿命长。

Thin film transistor and its fabrication method, array substrate and display panel

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示面板
本专利技术涉及显示
，具体的，涉及薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示面板。
技术介绍
金属氧化物薄膜晶体管(如IGZOTFT)以其迁移率较高(几～几十cm2/Vs)、大面积均匀性较好、制备工艺温度较低等诸多优势被认为最有可能应用于下一代平板显示，但其长期受稳定性的影响，且长时间工作可能出现沙点mura等问题，因而，目前亟需一种稳定性好、使用寿命长且电性能好的薄膜晶体管。
技术实现思路
本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种稳定性好、使用寿命长或者开态电流(Ion)大的薄膜晶体管。在本专利技术的一个方面，本专利技术提供了一种薄膜晶体管(TFT)。根据本专利技术的实施例，该薄膜晶体管包括：低温多晶硅有源层和第一栅极，所述低温多晶硅有源层与所述第一栅极通过第一栅绝缘层间隔开；金属氧化物有源层与第二栅极，所述金属氧化物有源层与所述第二栅极通过第二栅绝缘层间隔开；和源/漏极，所述源/漏极设置在所述低温多晶硅有源层和所述金属氧化物有源层之间，并分别与所述低温多晶硅有源层和所述金属氧化物有源层电连接。该薄膜晶体管中，第一栅极、低温多晶硅有源层、源/漏极可以构成一个低温多晶硅薄膜晶体管，而第二栅极、金属氧化物有源层、源/漏极可以构成一个金属氧化物薄膜晶体管，而上述电连接方式可以使得两个薄膜晶体管同时开启也可以独立开启，既发挥低温多晶硅TFT的稳定性的优势，又兼顾了金属氧化物TFTIoff低的特点，同时可以减少金属氧化物TFT的工作时间，提高器件寿命，两者同时工作还可以有效提高Ion。根据本专利技术的实施例，该薄膜晶体管还包括：欧姆接触层，所述欧姆接触层设置在所述源/漏极和所述低温多晶硅有源层之间。根据本专利技术的实施例，所述欧姆接触层包括：N+掺杂非晶硅层；第一非晶硅层，所述第一非晶硅层设置在所述N+掺杂非晶硅层靠近所述低温多晶硅有源层的表面上；第二非晶硅层，所述第二非晶硅层设置在所述第一非晶硅层靠近所述低温多晶硅有源层的表面上。在本专利技术的另一方面，本专利技术提供了一种制作薄膜晶体管的方法。根据本专利技术的实施例，该方法包括：形成第一栅极、第一栅绝缘层和低温多晶硅有源层，所述低温多晶硅有源层与所述第一栅极通过所述第一栅绝缘层间隔开；在所述低温多晶硅有源层远离所述第一栅极的一侧形成源/漏极，所述源/漏极与所述低温多晶硅有源层电连接；在所述源/漏极远离所述低温多晶硅有源层的一侧形成金属氧化物有源层、第二栅绝缘层和第二栅极，所述金属氧化物有源层与所述第二栅极通过所述第二栅绝缘层间隔开，并与所述源/漏极电连接。该方法步骤简单、方便，易于操作，得到的薄膜晶体管中，第一栅极、低温多晶硅有源层、源/漏极可以构成一个低温多晶硅薄膜晶体管，而第二栅极、金属氧化物有源层、源/漏极可以构成一个金属氧化物薄膜晶体管，而上述电连接方式可以使得两个薄膜晶体管同时开启也可以独立开启，既发挥低温多晶硅TFT的稳定性的优势，又兼顾了金属氧化物TFTIoff低的特点，同时可以减少金属氧化物TFT的工作时间，提高器件寿命，两者同时工作还可以有效提高Ion。根据本专利技术的实施例，所述低温多晶硅有源层是通过区域化激光退火工艺形成的。在本专利技术的又一方面，本专利技术提供了一种阵列基板。根据本专利技术的实施例，该阵列基板前面所述的薄膜晶体管。该阵列基板具有前面所述的薄膜晶体管的所有特征和优点，在此不再一一赘述。根据本专利技术的实施例，该阵列基板包括：基板；第一栅极，所述第一栅极设置在所述基板的第一表面上；第一栅绝缘层，所述第一栅绝缘层设置在所述第一表面上，且覆盖所述第一栅极；低温多晶硅有源层，所述低温多晶硅有源层设置在所述第一栅绝缘层远离所述基板的表面上；源/漏极，所述源/漏极设置在所述第一栅绝缘层和所述低温多晶硅有源层远离所述基板的部分表面上；第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述第一栅绝缘层和所述低温多晶硅有源层远离所述基板、且未被所述源/漏极覆盖的表面上；金属氧化物有源层，所述金属氧化物有源层设置在所述源/漏极和所述第一绝缘层远离所述基板的部分表面上；第二栅绝缘层，所述第二栅绝缘层设置在所述金属氧化物有源层远离所述基板的表面上以及所述第一绝缘层、所述源/漏极远离所述基板、且未被所述金属氧化物有源层覆盖的表面上；第二栅极，所述第二栅极设置在所述第二栅绝缘层远离所述基板的表面上。根据本专利技术的实施例，该阵列基板还包括：第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述第二栅极远离所述基板的表面上和所述第二栅绝缘层远离所述基板、且未被所述第二栅极覆盖的表面上。根据本专利技术的实施例，该阵列基板还包括：像素电极，所述像素电极设置在所述第二绝缘层远离所述基板的表面上且通过过孔与所述源/漏极电连接。在本专利技术的再一方面，本专利技术提供了一种显示面板。根据本专利技术的实施例，该显示面板包括前面所述的阵列基板。该显示面板具有前面所述的阵列基板的所有特征和优点，在此不再一一赘述。附图说明图1是本专利技术一个实施例的薄膜晶体管的结构示意图。图2是本专利技术另一个实施例的薄膜晶体管的结构示意图。图3是本专利技术另一个实施例的薄膜晶体管的结构示意图。图4是本专利技术一个实施例的阵列基板的结构示意图。具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施例。下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。在本专利技术的一个方面，本专利技术提供了一种薄膜晶体管。根据本专利技术的实施例，参照图1，该薄膜晶体管包括低温多晶硅有源层2和第一栅极1，所述低温多晶硅有源层2与所述第一栅极1通过第一栅绝缘层9间隔开；金属氧化物有源层5与第二栅极6，所述金属氧化物有源层5与所述第二栅极6通过第二栅绝缘层11间隔开；和源/漏极3，所述源/漏极3设置在所述低温多晶硅有源层2和所述金属氧化物有源层5之间，并分别与所述低温多晶硅有源层2和所述金属氧化物有源层5电连接。该薄膜晶体管中，第一栅极、低温多晶硅有源层、源/漏极可以构成一个低温多晶硅薄膜晶体管，而第二栅极、金属氧化物有源层、源/漏极可以构成一个金属氧化物薄膜晶体管，而上述电连接方式可以使得两个薄膜晶体管同时开启也可以独立开启，既发挥低温多晶硅薄膜晶体管的稳定性的优势，又兼顾了金属氧化物TFTIoff低的特点，同时可以减少金属氧化物TFT的工作时间，提高器件寿命，两者同时工作还可以有效提高Ion。本领域技术人员可以理解，本文中的描述方式“源/漏极”包括同层设置的源极和漏极，具体设置方式等可以与常规技术一致，在此不再过多赘述。根据本专利技术的实施例，该薄膜晶体管中栅极、有源层、源/漏极的具体设置位置关系没有特别限制，只要满足第一栅极、低温多晶硅有源层、源/漏极可以作为一个低温多晶硅薄膜晶体管工作、第二栅极、金属氧化物有源层、源/漏极可以作为一个金属氧化物薄膜晶体管工作即可，具体的设置位置可以根据需要灵活选择。本领域技术人员可以理解，该薄膜晶体管还可以包括必要的绝缘层，具体如第一绝缘层10等，具体的绝缘层设置位置、数量、材质等均可以按照常规技术进行操作，在此不再一一赘述。根据本专利技术的一些具本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：低温多晶硅有源层和第一栅极，所述低温多晶硅有源层与所述第一栅极通过第一栅绝缘层间隔开；金属氧化物有源层与第二栅极，所述金属氧化物有源层与所述第二栅极通过第二栅绝缘层间隔开；和源/漏极，所述源/漏极设置在所述低温多晶硅有源层和所述金属氧化物有源层之间，并分别与所述低温多晶硅有源层和所述金属氧化物有源层电连接。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：低温多晶硅有源层和第一栅极，所述低温多晶硅有源层与所述第一栅极通过第一栅绝缘层间隔开；金属氧化物有源层与第二栅极，所述金属氧化物有源层与所述第二栅极通过第二栅绝缘层间隔开；和源/漏极，所述源/漏极设置在所述低温多晶硅有源层和所述金属氧化物有源层之间，并分别与所述低温多晶硅有源层和所述金属氧化物有源层电连接。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：欧姆接触层，所述欧姆接触层设置在所述源/漏极和所述低温多晶硅有源层之间。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述欧姆接触层包括：N+掺杂非晶硅层；第一非晶硅层，所述第一非晶硅层设置在所述N+掺杂非晶硅层靠近所述低温多晶硅有源层的表面上；第二非晶硅层，所述第二非晶硅层设置在所述第一非晶硅层靠近所述低温多晶硅有源层的表面上。4.一种制作薄膜晶体管的方法，其特征在于，包括：形成第一栅极、第一栅绝缘层和低温多晶硅有源层，所述低温多晶硅有源层与所述第一栅极通过所述第一栅绝缘层间隔开；在所述低温多晶硅有源层远离所述第一栅极的一侧形成源/漏极，所述源/漏极与所述低温多晶硅有源层电连接；在所述源/漏极远离所述低温多晶硅有源层的一侧形成金属氧化物有源层、第二栅绝缘层和第二栅极，所述金属氧化物有源层与所述第二栅极通过所述第二栅绝缘层间隔开，并与所述源/漏极电连接。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述低温多晶硅有源层是通过区域化激光退火工艺形成的。6.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：王治，关峰，袁广才，许晨，强朝辉，王学勇，高宇鹏，吕杨，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11