一种新型玻璃基板的背板结构制造技术

技术编号:21905760 阅读:33 留言:0更新日期:2019-08-21 10:04
本发明专利技术提供了一种新型玻璃基板的背板结构,包括玻璃基板本体和氮化硅层;所述氮化硅层上表面设置于所述玻璃基板本体的下表面;所述氮化硅层与玻璃基板本体的切割位置对应的位置的左右两侧分别对称设置有多个贯通氮化硅层的第一通孔以及多个贯通氮化硅层的第二通孔,多个第一通孔和多个第二通孔均匀分布设置。本发明专利技术通过氮化硅层在切割位置左右两侧设置的通孔,能够有效将切割时,氮化硅层上产生的应力进行有效释放,能够解决氮化硅层在玻璃基板切割时会产生应力,应力积累到一定程度后会使氮化硅层产生裂痕,影响玻璃基板的正常使用,同时导致玻璃基板密合性降低的问题。

A New Backplane Structure of Glass Substrate

【技术实现步骤摘要】
一种新型玻璃基板的背板结构
本专利技术涉及液晶面板的玻璃基板
,尤其涉及一种新型玻璃基板的背板结构。
技术介绍
液晶面板的玻璃基板包括玻璃基板本体和设置在玻璃基板本体下表面的氮化硅SiNx层,在玻璃基板进行切割时,因受到外力作用,其玻璃基板上的SiNx绝缘层内部的应力会逐渐积累,当达到一定程度时会使SiNx绝缘层产生裂痕,由于裂痕产生的位置具有不确定性,会影响玻璃基板的正常使用。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是:本专利技术提供了一种新型玻璃基板的背板结构,能够保证切割后玻璃基板的正常使用。为了解决上述技术问题,本专利技术提供了一种新型玻璃基板的背板结构,包括玻璃基板本体和氮化硅层;所述氮化硅层上表面设置于所述玻璃基板本体的下表面;所述氮化硅层与玻璃基板本体的切割位置对应的位置的左右两侧分别对称设置有多个贯通氮化硅层的第一通孔以及多个贯通氮化硅层的第二通孔,多个第一通孔和多个第二通孔均匀分布设置。进一步的,所述玻璃基板本体的厚度为0.2-0.5mm,所述氮化硅层的厚度为0.2-0.5mm。进一步的,所述玻璃基板本体上表面具有多条切割线,所述氮化硅层上与每一条切割线对应位置的左侧均设有多个均匀分布的第一通孔,所述氮化硅层上与每一条切割线对应位置的右侧均设有多个均匀分布的第二通孔。进一步的,所述第一通孔和第二通孔关于对应的切割线对称设置。进一步的,所述氮化硅层上与每一条切割线对应位置的左侧均设有多个呈第一阵列分布的第一通孔,所述第一阵列为多行两列的阵列;所述氮化硅层上与每一条切割线对应位置的右侧均设有多个呈第二阵列分布的第二通孔,所述第二阵列为多行两列的阵列。进一步的,所述第一通孔的大小和形状与第二通孔的大小和形状分别相同,且均为方形通孔、菱形通孔或圆形通孔。进一步的,所述圆形通孔的孔径为10um。进一步的,所述方形通孔的长度和宽度相等,且均为10um。进一步的,所述菱形通孔的边长为10um。进一步的,所述第一通孔和第二通孔均位于氮化硅层中金属走线外的位置处。本专利技术的有益效果为:本专利技术提供的一种新型玻璃基板的背板结构,在玻璃基板本体的切割位置的左右两侧分别对称设置多个均匀分布且贯通氮化硅层的通孔,能够实现在切割玻璃基板时,通过氮化硅层在切割位置左右两侧设置的通孔,能够有效将切割时,氮化硅层上产生的应力进行有效释放,能够解决氮化硅层在玻璃基板切割时会产生应力,应力积累到一定程度后会使氮化硅层产生裂痕,影响玻璃基板的正常使用,同时导致玻璃基板密合性降低的问题。附图说明图1为根据本专利技术实施例的一种新型玻璃基板的背板结构的截面示意图;图2为根据本专利技术实施例的一种新型玻璃基板的背板结构的仰视图;图3为根据本专利技术实施例的一种新型玻璃基板的背板结构的俯视图;标号说明:1、玻璃基板本体;2、氮化硅层;3、切割线;4、第一通孔;5、第二通孔。具体实施方式为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果,以下结合实施方式并配合附图详予说明。本专利技术最关键的构思为:氮化硅层上表面设置于玻璃基板本体的下表面;氮化硅层上位于玻璃基板本体的切割位置的左右两侧分别对称设置有多个贯通氮化硅层的第一通孔以及多个贯通氮化硅层的第二通孔,多个第一通孔和多个第二通孔均匀分布设置。请参照图1-图3,本专利技术提供了一种新型玻璃基板的背板结构,包括玻璃基板本体和氮化硅层;所述氮化硅层上表面设置于所述玻璃基板本体的下表面;所述氮化硅层与玻璃基板本体的切割位置对应的位置的左右两侧分别对称设置有多个贯通氮化硅层的第一通孔以及多个贯通氮化硅层的第二通孔,多个第一通孔和多个第二通孔均匀分布设置。从上述描述可知,本专利技术提供的一种新型玻璃基板的背板结构,在玻璃基板本体的切割位置的左右两侧分别对称设置多个均匀分布且贯通氮化硅层的通孔,能够实现在切割玻璃基板时,通过氮化硅层在切割位置左右两侧设置的通孔,能够有效将切割时,氮化硅层上产生的应力进行有效释放,能够解决氮化硅层在玻璃基板切割时会产生应力,应力积累到一定程度后会使氮化硅层产生裂痕,影响玻璃基板的正常使用,同时导致玻璃基板密合性降低的问题。进一步的,所述玻璃基板本体的厚度为0.2-0.5mm,所述氮化硅层的厚度为0.2-0.5mm。从上述描述可知,通过上述厚度的玻璃基板本体、氮化硅层以及上述通孔的设置,能够最大限度地释放切割玻璃基板时产生的应力,保证切割后的玻璃基板的正常使用。进一步的,所述玻璃基板本体上表面具有多条切割线,所述氮化硅层上与每一条切割线对应位置的左侧均设有多个均匀分布的第一通孔,所述氮化硅层上与每一条切割线对应位置的右侧均设有多个均匀分布的第二通孔。从上述描述可知,玻璃基板本体上表面具有多条切割线,以及在每一条切割线的左右两侧均设有通孔,能够提示工作人员在切割线上进行切割,有利于切割时氮化硅层上产生的应力的释放。进一步的,所述第一通孔和第二通孔关于对应的切割线对称设置。从上述描述可知,通过上述结构,能够保证切割时,玻璃基板左右两侧产生的应力同时进行释放。进一步的,所述氮化硅层上与每一条切割线对应位置的左侧均设有多个呈第一阵列分布的第一通孔,所述第一阵列为多行两列的阵列;所述氮化硅层上与每一条切割线对应位置的右侧均设有多个呈第二阵列分布的第二通孔,所述第二阵列为多行两列的阵列。从上述描述可知,通过上述结构,既能保证氮化硅层上应力释放,又不会影响玻璃基板的正常使用。进一步的,所述第一通孔的大小和形状与第二通孔的大小和形状分别相同,且均为方形通孔、菱形通孔或圆形通孔。进一步的,所述圆形通孔的孔径为10um。进一步的,所述方形通孔的长度和宽度相等,且均为10um。进一步的,所述菱形通孔的边长为10um。从上述描述可知,通过上述形状的通孔,能够有效对氮化硅层由于切割玻璃基板时产生的应力进行有效释放。进一步的,所述第一通孔和第二通孔均位于氮化硅层中金属走线外的位置处。从上述描述可知,通过上述结构,并不会影响玻璃基板的正常使用;同时本专利技术中的切割玻璃基板均指切割玻璃基板本板以及切割设置在玻璃基板本板下表面的氮化硅层。请参照图1-图3,本专利技术的实施例一为:本专利技术提供了一种新型玻璃基板的背板结构,包括玻璃基板本体1和氮化硅层2;所述氮化硅层2上表面设置于所述玻璃基板本体1的下表面;所述氮化硅层2上与玻璃基板本体1的切割位置对应的位置的左右两侧分别对称设置有多个贯通氮化硅层2的第一通孔4以及多个贯通氮化硅层2的第二通孔5,多个第一通孔4和多个第二通孔5均匀分布设置;所述玻璃基板本体1的厚度为0.2-0.5mm,所述氮化硅层2的厚度为0.2-0.5mm。本专利技术的实施例二为:本实施例二与实施例一的区别在于,所述玻璃基板本体1上表面具有多条切割线3,所述氮化硅层2上与每一条切割线3对应位置的左侧均设有多个均匀分布的第一通孔4,所述氮化硅层2上与每一条切割线3对应位置的右侧均设有多个均匀分布的第二通孔5;所述第一通孔4和第二通孔5关于对应的切割线3对称设置;所述第一通孔4的大小和形状与第二通孔5的大小和形状分别相同,且均为方形通孔、菱形通孔或圆形通孔;所述圆形通孔的孔径为10um;所述方形通孔的长度和宽度相等,且均为10um;所述菱形通孔的边长为10um;所述第一通孔4和第二通孔5均位于氮化硅层2中金属走线外的位置处。本本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种新型玻璃基板的背板结构,其特征在于,包括玻璃基板本体和氮化硅层;所述氮化硅层上表面设置于所述玻璃基板本体的下表面;所述氮化硅层与玻璃基板本体的切割位置对应的位置的左右两侧分别对称设置有多个贯通氮化硅层的第一通孔以及多个贯通氮化硅层的第二通孔,多个第一通孔和多个第二通孔均匀分布设置。

【技术特征摘要】
1.一种新型玻璃基板的背板结构,其特征在于,包括玻璃基板本体和氮化硅层;所述氮化硅层上表面设置于所述玻璃基板本体的下表面;所述氮化硅层与玻璃基板本体的切割位置对应的位置的左右两侧分别对称设置有多个贯通氮化硅层的第一通孔以及多个贯通氮化硅层的第二通孔,多个第一通孔和多个第二通孔均匀分布设置。2.根据权利要求1所述的一种新型玻璃基板的背板结构,其特征在于,所述玻璃基板本体的厚度为0.2-0.5mm,所述氮化硅层的厚度为0.2-0.5mm。3.根据权利要求1所述的一种新型玻璃基板的背板结构,其特征在于,所述玻璃基板本体上表面具有多条切割线,所述氮化硅层上与每一条切割线对应位置的左侧均设有多个均匀分布的第一通孔,所述氮化硅层上与每一条切割线对应位置的右侧均设有多个均匀分布的第二通孔。4.根据权利要求3所述的一种新型玻璃基板的背板结构,其特征在于,所述第一通孔和第二通孔关于对应的切割线对称设置。5.根据权利要求3所述的一种新...

【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人
申请(专利权)人:福建华佳彩有限公司
类型:发明
国别省市:福建,35

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