双滤波器芯片制作方法、芯片及双滤波器技术

本发明专利技术实施例公开了一种双滤波器芯片制作方法，包括以下步骤：提供一压电晶片；对压电晶片的表面进行清洗；在清洗后的压电晶片的表面上沉积形成第一金属指条，并对包括第一金属指条的压电晶体进行去胶处理；对沉积有第一金属条的压电晶片的表面上形成保护膜，并在含有保护膜的压电晶片的表面上沉积形成第二金属指条；对包括第二金属指条的压电晶片进行去胶处理。实施本发明专利技术实施例双滤波器芯片制作方法，使得双滤波器中的两个滤波器中的金属指条能做到最优的膜厚，使每个滤波器的性能达到了最优，从而提升了双滤波器的整体性能。

Fabrication Method, Chip and Dual-filter of Dual-filter Chip

【技术实现步骤摘要】
双滤波器芯片制作方法、芯片及双滤波器
本专利技术涉及半导体器件制作
，具体涉及一种双滤波器芯片制作方法、芯片及双滤波器。
技术介绍
随着CA(CarrierAggregation，载波聚合)的发展，以及频段数量的增加，需要双滤波器/多滤波器来满足两个/多个频段同时使用的需求。SAW(surfaceacousticwave-声表面波)滤波器主要是由沉积在压电晶片材料表面的叉指换能器组成。双SAW滤波器由两个SAW滤波器组成，在一个压电晶片表面有两个滤波器，并且封装在一起。SAW滤波器的基本原理为：输入IDT(InterdigitalTransducers,叉指换能器)通过逆压电效应将输入电信号转化为声信号，声信号沿基片表面传播，最终由输出IDT通过正压电作用实现声电换能，转化后的电信号由输出端输出。整个SAW滤波器可以实现频率选择，它是通过IDT的选频特性并通过对压电基片上，传播的信号进行声电、电声之间的转换实现，主要应用于手机射频前端。通常双滤波器中的两个滤波器工作在两个不同的频段，它们的中心频率f0不同，中心频率f0主要与声表面波的声速以及叉指换能器的周期有关，还跟叉指换能器金属指条膜厚h有关，而指电极的膜厚还会影响着声波的传播损耗和反射损耗，这两个指标会影响到滤波器的性能，因此在进行做SAW滤波器的设计优化时，需要对金属指条的膜厚h进行优化来得到一个最优值，使SAW滤波器的性能达到最佳。根据上述的分析，在设计双SAW滤波器时，根据不同的中心频率f0会得到两个不同的金属指条膜厚h1和h2，为了加工工艺简化，通常会在h1和h2之间取一个合适的值h3，但是这个金属指条膜厚h3，使两个滤波器的性能不会达到最佳，从而会降低这个双滤波器的整体性能。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的在于提供一种双滤波器芯片制作方法、芯片及双滤波器，以使双滤波器中的两个滤波器中的金属指条能做到最优的膜厚，使每个滤波器的性能达到最优，从而提升双滤波器的整体性能。为实现上述目的，本专利技术实施例提供了一种双滤波器芯片制作方法，包括以下步骤：(1)提供一压电晶片；(2)对所述压电晶片的表面进行清洗；(3)在清洗后的所述压电晶片的表面上沉积形成第一金属指条，并对包括第一金属指条的压电晶体进行去胶处理；(4)对沉积有第一金属条的所述压电晶片的表面上形成保护膜，并在含有保护膜的所述压电晶片的表面上沉积形成第二金属指条，其中，所述第一金属指条的厚度为h1，所述第二金属指条厚度为h2，且h1不等于h2；(5)对包括第二金属指条的压电晶片进行去胶处理。作为本申请一种优选的实施方式，所述步骤(1)还包括：提供第一滤波器MASK1及第二滤波器MASK2，步骤(3)具体包括：(301)第一次涂胶：在清洗后的所述压电晶片的表面通过旋转涂胶方式涂光刻胶；(302)第一次曝光：用第一滤波器MASK1对第一次涂光刻胶后的所述压电晶片的表面进行曝光，以得到第一滤波器MASK1的光刻胶膜图形；(303)第一次显影：对步骤(302)中得到光刻胶膜图形进行显影处理，以去除所述压电晶片表面上的多余光刻胶；(304)第一次沉积：对含有第一滤波器MASK1的光刻胶膜图形的所述压电晶片的表面进行第一次镀膜处理，其中，镀膜的膜层厚度为h1；(305)第一次剥离：将经过步骤(304)的所述压电晶片浸入到玻璃液中，以去除所述压电晶片上剩余的光刻胶及其上面的金属。作为本申请一种优选的实施方式，步骤(4)具体包括：(401)第二次涂胶：在含有第一第一滤波器MASK1的光刻胶膜图形的所述压电晶片的表面上，通过旋转涂胶方式涂光刻胶；(402)第二次曝光：用第二滤波器MASK2对第二次涂光刻胶后的所述压电晶片的表面进行曝光，以得到第二滤波器MASK2的光刻胶膜图形；(403)第二次显影：对步骤(402)中得到光刻胶膜图形进行显影处理，以去除所述压电晶片表面上的多余光刻胶；(404)第二次沉积：对含有第二滤波器MASK2的光刻胶膜图形的所述压电晶片的表面进行第二次镀膜处理，其中，镀膜的膜层厚度为h2；(405)第二次剥离：将经过步骤(404)的所述压电晶片浸入到玻璃液中，以去除所述压电晶片上剩余的光刻胶及其上面的金属。本专利技术实施例还提供了一种双滤波器芯片，包括压电晶片、第一滤波器及第二滤波器，所述第一滤波器及第二滤波器设置于所述压电晶片上，所述第一滤波器包括第一金属指条，所述第二滤波器包括第二金属指条。其中，第一金属指条和第二金属指条采用以下方法进行制作：(1)提供一压电晶片；(2)对所述压电晶片的表面进行清洗；(3)在清洗后的所述压电晶片的表面上沉积形成第一金属指条，并对包括第一金属指条的压电晶体进行去胶处理；(4)对沉积有第一金属条的所述压电晶片的表面上形成保护膜，并在含有保护膜的所述压电晶片的表面上沉积形成第二金属指条，其中，所述第一金属指条的厚度为h1，所述第二金属指条厚度为h2，且h1不等于h2；(5)对包括第二金属指条的压电晶片进行去胶处理。作为本申请一种优选的实施方式，第一金属指条的制作步骤具体包括：提供压电晶片、第一滤波器MASK1及第二滤波器MASK2；第一次涂胶：在清洗后的所述压电晶片的表面通过旋转涂胶方式涂光刻胶；第一次曝光：用第一滤波器MASK1对第一次涂光刻胶后的所述压电晶片的表面进行曝光，以得到第一滤波器MASK1的光刻胶膜图形；第一次显影：对第一滤波器MASK1的光刻胶膜图形进行显影处理，以去除所述压电晶片表面上的多余光刻胶；第一次沉积：对含有第一滤波器MASK1的光刻胶膜图形的所述压电晶片的表面进行第一次镀膜处理，其中，镀膜的膜层厚度为h1；第一次剥离：将经过第一次镀膜处理后的所述压电晶片浸入到玻璃液中，以去除所述压电晶片上剩余的光刻胶及其上面的金属。作为本申请一种优选的实施方式，第二金属指条的制作步骤具体包括：第二次涂胶：在含有第一第一滤波器MASK1的光刻胶膜图形的所述压电晶片的表面上，通过旋转涂胶方式涂光刻胶；第二次曝光：用第二滤波器MASK2对第二次涂光刻胶后的所述压电晶片的表面进行曝光，以得到第二滤波器MASK2的光刻胶膜图形；第二次显影：对第二滤波器MASK2的光刻胶膜图形进行显影处理，以去除所述压电晶片表面上的多余光刻胶；第二次沉积：对含有第二滤波器MASK2的光刻胶膜图形的所述压电晶片的表面进行第二次镀膜处理，其中，镀膜的膜层厚度为h2；第二次剥离：将经过第二次镀膜处理的所述压电晶片浸入到玻璃液中，以去除所述压电晶片上剩余的光刻胶及其上面的金属。本专利技术实施例还提供了一种双滤波器，包括外壳及芯片，所述芯片封装于所述外壳内。其中，芯片如前所述。实施本专利技术实施例双滤波器芯片制作方法，先对压电晶片的表面进行清洗，再在清洗后的压电晶片的表面上沉积形成两个厚度不同的第一个滤波器金属指条及第二个滤波器金属指条，最后对包括第一个滤波器金属指条和第二个滤波器金属指条的压电晶片进行去胶处理，使得双滤波器中的两个滤波器中的金属指条能做到最优的膜厚，使每个滤波器的性能达到了最优，从而提升了双滤波器的整体性能。附图说明为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。在所有附图中，类似的元件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双滤波器芯片制作方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)提供一压电晶片；(2)对所述压电晶片的表面进行清洗；(3)在清洗后的所述压电晶片的表面上沉积形成第一金属指条，并对包括第一金属指条的压电晶体进行去胶处理；(4)对沉积有第一金属条的所述压电晶片的表面上形成保护膜，并在含有保护膜的所述压电晶片的表面上沉积形成第二金属指条，其中，所述第一金属指条的厚度为h1，所述第二金属指条厚度为h2，且h1不等于h2；(5)对包括第二金属指条的压电晶片进行去胶处理。

【技术特征摘要】
1.一种双滤波器芯片制作方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)提供一压电晶片；(2)对所述压电晶片的表面进行清洗；(3)在清洗后的所述压电晶片的表面上沉积形成第一金属指条，并对包括第一金属指条的压电晶体进行去胶处理；(4)对沉积有第一金属条的所述压电晶片的表面上形成保护膜，并在含有保护膜的所述压电晶片的表面上沉积形成第二金属指条，其中，所述第一金属指条的厚度为h1，所述第二金属指条厚度为h2，且h1不等于h2；(5)对包括第二金属指条的压电晶片进行去胶处理。2.如权利要求1所述的双滤波器芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤(1)还包括：提供第一滤波器MASK1及第二滤波器MASK2，步骤(3)具体包括：(301)第一次涂胶：在清洗后的所述压电晶片的表面通过旋转涂胶方式涂光刻胶；(302)第一次曝光：用第一滤波器MASK1对第一次涂光刻胶后的所述压电晶片的表面进行曝光，以得到第一滤波器MASK1的光刻胶膜图形；(303)第一次显影：对步骤(302)中得到光刻胶膜图形进行显影处理，以去除所述压电晶片表面上的多余光刻胶；(304)第一次沉积：对含有第一滤波器MASK1的光刻胶膜图形的所述压电晶片的表面进行第一次镀膜处理，其中，镀膜的膜层厚度为h1；(305)第一次剥离：将经过步骤(304)的所述压电晶片浸入到玻璃液中，以去除所述压电晶片上剩余的光刻胶及其上面的金属。3.如权利要求2所述的双滤波器芯片制作方法，其特征在于，步骤(4)具体包括：(401)第二次涂胶：在含有第一第一滤波器MASK1的光刻胶膜图形的所述压电晶片的表面上，通过旋转涂胶方式涂光刻胶；(402)第二次曝光：用第二滤波器MASK2对第二次涂光刻胶后的所述压电晶片的表面进行曝光，以得到第二滤波器MASK2的光刻胶膜图形；(403)第二次显影：对步骤(402)中得到光刻胶膜图形进行显影处理，以去除所述压电晶片表面上的多余光刻胶；(404)第二次沉积：对含有第二滤波器MASK2的光刻胶膜图形的所述压电晶片的表面进行第二次镀膜处理，其中，镀膜的膜层厚度为h2；(405)第二次剥离：将经过步骤(404)的所述压电晶片浸入到玻璃液中，以去除所述压电晶片上剩余的光刻胶及其上面的金属。4.一种双滤波器芯片，包括压电晶片、第一滤波器及第二滤波器，所述第一滤波器及第二滤波器设置于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：付先，肖立，王宇航，陈曦，曹应明，
申请(专利权)人：江苏卓胜微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32