一种介质波导滤波器制造技术

本发明专利技术提供了一种介质波导滤波器，包括至少两个谐振器，谐振器之间通过耦合结构耦合，耦合结构包括导体图案和与导体图像连接的盲孔，导体图案位于谐振器之间，盲孔位于谐振器内部，从而可以通过调节导体图案和/或盲孔的尺寸，调节耦合结构的耦合强度，进而不必只通过调节导体图案的尺寸来调节耦合结构的耦合强度，进而可以改善因为图案耦合量过大而在近端引起谐波的情况。并且，通过灵活地调节导体图案和/或盲孔的尺寸，可以大幅度的调节谐波的位置，使得谐波调整的范围较大。

A Dielectric Waveguide Filter

【技术实现步骤摘要】
一种介质波导滤波器
本专利技术涉及滤波器
，更具体地说，涉及一种介质波导滤波器。
技术介绍
随着通信系统的发展，对滤波器的要求不断提高。受限于腔体尺寸及重量要求，滤波器小型化、轻量化逐渐成为一种趋势。利用介质材料的高介电常数及材料的高Q值，介质波导滤波器可以大幅减小产品尺寸和重量，还具有温漂小等优点。现有的介质波导滤波器中，两层或者两层以上的谐振器结构需要用图案耦合进行能量的传递。如图1所示，101与102分别为介质波导滤波器的谐振器，谐振器101与谐振器102通过图案103、图案104相连，通过调节图案103、图案104的直径，调节谐振器101和102之间的耦合强度。一般来说，耦合量越大，图案越大，谐波越靠近通道，越能对近端谐波进行抑制。但是，在实际研发与生产中发现：1、若两个谐振器之间的耦合量过于大，很容易在近端引起谐波，造成近端带外抑制较差，严重的甚至影响传输零点，使带外抑制不能满足指标要求。2、为了避免图案谐波过于靠近通带，只能通过改变环宽来移动谐波的位置，但是，其只能小幅度地移动谐波的位置，使得谐波调整的局限性较大。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种介质波导滤波器，以解决现有的介质波导滤波器中由于图案耦合而导致的上述问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种介质波导滤波器，包括至少两个谐振器，所述谐振器之间通过耦合结构耦合；所述耦合结构包括导体图案和与所述导体图案连接的盲孔，所述导体图案位于所述谐振器之间，所述盲孔位于所述谐振器内部，以通过调节所述导体图案和/或所述盲孔的尺寸，调节所述耦合结构的耦合强度。可选地，所述至少两个谐振器包括第一谐振器和第二谐振器，所述第一谐振器位于所述第二谐振器顶部，所述第一谐振器和所述第二谐振器通过第一耦合结构耦合；所述第一耦合结构包括第一导体图案和与所述第一导体图案连接的第一盲孔、第二导体图案和与所述第二导体图案连接的第二盲孔，所述第一导体图案和所述第二导体图案位于所述第一谐振器和所述第二谐振器之间，所述第一盲孔位于所述第一谐振器内部，所述第二盲孔位于所述第二谐振器内部。可选地，所述至少两个谐振器还包括第三谐振器和第四谐振器，所述第四谐振器位于所述第三谐振器底部，所述第二谐振器和所述第四谐振器通过第二耦合结构耦合，所述第一谐振器和所述第四谐振器通过第三耦合结构耦合；所述第二耦合结构和所述第三耦合结构包括通孔。可选地，所述导体图案为环形图案，所述环形图案的投影包裹所述盲孔的投影。可选地，所述盲孔的孔径为2mm～3mm。可选地，所述盲孔的深度小于或等于1mm。与现有技术相比，本专利技术所提供的技术方案具有以下优点：本专利技术所提供的介质波导滤波器，包括至少两个谐振器，谐振器之间通过耦合结构耦合，耦合结构包括导体图案和与导体图像连接的盲孔，导体图案位于谐振器之间，盲孔位于谐振器内部，从而可以通过调节导体图案和/或盲孔的尺寸，调节耦合结构的耦合强度，进而不必只通过调节导体图案的尺寸来调节耦合结构的耦合强度，进而可以改善因为图案耦合量过大而在近端引起谐波的情况。并且，通过灵活地调节导体图案和/或盲孔的尺寸，可以大幅度的调节谐波的位置，使得谐波调整的范围较大。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为现有的一种滤波器的剖面结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种滤波器的剖面结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的另一种滤波器的剖面结构示意图；图4为图3所示的滤波器中第一谐振器和第二谐振器的俯视图；图5为图3所示的滤波器中第三谐振器和第四谐振器的俯视图；图6为图3所示的滤波器的谐波曲线图。具体实施方式以上是本专利技术的核心思想，为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供了一种介质波导滤波器，如图2或图3所示，包括至少两个谐振器，谐振器之间通过耦合结构耦合，耦合结构包括导体图案和与导体图案连接的盲孔，导体图案位于谐振器之间，盲孔位于谐振器内部，从而可以通过调节导体图案和/或盲孔的尺寸，调节耦合结构的耦合强度。在本专利技术的一个具体实施例中，如图2所示，至少两个谐振器包括第一谐振器201和第二谐振器202，第一谐振器201位于第二谐振器202顶部，第一谐振器201和第二谐振器202通过第一耦合结构耦合。其中，该第一耦合结构包括第一导体图案205和与第一导体图案205连接的第一盲孔203、第二导体图案206和与第二导体图案206连接的第二盲孔204，第一导体图案205和第二导体图案206位于第一谐振器201和第二谐振器202之间，并且，第一导体图案205位于第一谐振器201底部，第一盲孔203位于第一谐振器201内部，且第一盲孔203与第一谐振器201底部的第一导体图案205连接，第二导体图案206位于第二谐振器202顶部，第二盲孔204位于第二谐振器202内部，且第二盲孔204与第二谐振器202顶部的第二导体图案206连接。基于此，第一谐振器201与第二谐振器202可以通过第一导体图案205、第二导体图案206、第一盲孔203和第二盲孔204进行能量的传递，不仅可以通过增加的第一盲孔203和第二盲孔204增大第一谐振器201与第二谐振器202之间的耦合量，而且可以通过调节第一导体图案205、第一盲孔203、第二导体图案206和第二盲孔204的尺寸，调节第一谐振器201与第二谐振器202之间的耦合量，从而避免了导体图案的耦合量过大的问题，进而可以改善因为图案耦合量过大而在近端引起谐波的情况。并且，通过灵活地调节导体图案和/或盲孔的尺寸，可以大幅度的调节谐波的位置，使得谐波调整的范围较大。此外，相比传统优化谐波的方法，本专利技术实施例提供的优化谐波的方法，只需要在图案侧添加盲孔即可，操作简单，稳定性好，可以进行大批量的生产。在本专利技术的一个具体实施例中，如图3所示，至少两个谐振器包括第一谐振器703、第二谐振器702、第三谐振器704和第四谐振器701，第一谐振器703位于第二谐振器702顶部，第三谐振器704位于第四谐振器701顶部，第一谐振器703和第三谐振器704同层设置，第二谐振器702和第四谐振器701同层设置，第一谐振器703和第二谐振器702通过第一耦合结构耦合，第二谐振器702和第四谐振器701通过第二耦合结构耦合，第三谐振器704和第一谐振器703通过第三耦合结构耦合。如图4和图5所示，第二耦合结构包括通孔715和716，第三耦合结构包括通孔713和714，也就是说，第二谐振器702和第四谐振器701通过通孔715和716耦合，第三谐振器704和第一谐振器703通过通孔713和714耦合。如图3所示，第一耦合结构包括第一导体图案709和与第一导体图案709连接的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种介质波导滤波器，其特征在于，包括至少两个谐振器，所述谐振器之间通过耦合结构耦合；所述耦合结构包括导体图案和与所述导体图案连接的盲孔，所述导体图案位于所述谐振器之间，所述盲孔位于所述谐振器内部，以通过调节所述导体图案和/或所述盲孔的尺寸，调节所述耦合结构的耦合强度。

【技术特征摘要】
1.一种介质波导滤波器，其特征在于，包括至少两个谐振器，所述谐振器之间通过耦合结构耦合；所述耦合结构包括导体图案和与所述导体图案连接的盲孔，所述导体图案位于所述谐振器之间，所述盲孔位于所述谐振器内部，以通过调节所述导体图案和/或所述盲孔的尺寸，调节所述耦合结构的耦合强度。2.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述至少两个谐振器包括第一谐振器和第二谐振器，所述第一谐振器位于所述第二谐振器顶部，所述第一谐振器和所述第二谐振器通过第一耦合结构耦合；所述第一耦合结构包括第一导体图案和与所述第一导体图案连接的第一盲孔、第二导体图案和与所述第二导体图案连接的第二盲孔，所述第一导体图案和所述第二导体图案位于所述第一谐振器和所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄伟杰，何钟鑫，龙志勇，杨继聪，黄万强，
申请(专利权)人：广东国华新材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44