半导体器件封装壳体及激光器系统技术方案

本公开提出一种半导体器件封装壳体及激光器系统，半导体器件封装壳体包括：基座和外壳；外壳设置在基座上，与基座围成一容置腔，容置腔用于放置半导体，当外壳安装在基座上时，使用钎焊会产生一定的应力，由于该应力释放槽相对于基座上的其他结构具有一定的可形变空间，在外壳和基座产生应力的时候，该应力释放槽的形变空间发生形变，释放了外壳和基座产生的应力，从而解决了该半导体器件封装壳体在应力的作用下产生的形变的问题，并且不提高半导体器件封装壳体的成本。

Semiconductor Device Packaging Shell and Laser System

【技术实现步骤摘要】
半导体器件封装壳体及激光器系统
本公开涉及半导体封装结构，具体而言，涉及一种半导体器件封装壳体及激光器系统。
技术介绍
目前，随着半导体行业的发展，半导体器件的应用也越来越多，进而使得半导体器件封装壳体的应用也越来普遍。半导体光源的封装是半导体器件封装壳体的一种常见应用，在半导体光源的封装结构中，由于光源所发出的光束对指向性的要求，使得对封装壳体的机械精度要求较高。在半导体器件封装壳体安装或者使用的过程中会由于应力的作用使得半导体器件封装壳体产生一定的形变，从而使封装壳体机械精度降低。现有技术中，会采用热膨胀系数匹配材料作为壳体的基材，从而减少半导体器件封装壳体在应力的作用下产生的形变。但是，若采用热膨胀系数匹配材料作为壳体的基材，减少半导体器件封装壳体在应力的作用下产生的形变，往往难以兼具壳体的高散热性能，而采用热膨胀系数匹配且具有高散热性能的材料，会使得半导体器件封装壳体的成本提高。
技术实现思路
本公开的目的在于，针对上述现有技术的不足，提供一种半导体器件封装壳体及系统，以在解决现有技术难以获得低成本高导热低应力形变封装结构的问题。为了实现上述目的，本公开采用的技术方案如下：第一方面，本公开提出一种半导体器件封装壳体，该半导体器件封装壳体包括：基座和外壳；外壳设置在基座上，与基座围成一容置腔，容置腔用于放置半导体器件；基座与外壳的连接处设置有应力释放槽，其中，应力释放槽具有形变空间。可选地，该应力释放槽包括多个，多个应力释放槽分别设置于外壳的一侧或者两侧；或者，应力释放槽包括一个，一个应力释放槽设置在外壳的一侧。可选地，应力释放槽环绕设置于外壳的外周或者内周。应力释放槽位于基座上。可选地，应力释放槽的长度与基座的宽度或长度一致，使得在基座的宽度或长度方向上，应力释放槽贯穿基座；或者应力释放槽的尺寸小于基座的宽度或长度，使得在基座的宽度或长度方向上，应力释放槽仅为基座相应的方向上的一段凹槽。可选地，基座上设置有定位孔和/或安装基准，用于对半导体器件封装壳体安装或者定位。可选地，应力释放槽的形变空间截面为长方形，或者半球面。可选地，基座材料包括：无氧铜、钼铜合金和钨铜合金中任意一种；外壳材料包括：铁镍合金、不锈钢和碳钢中任意一种。第二方面，本公开还提出一种激光器系统，该激光器系统包括：激光器和上述第一方面所述的半导体器件封装壳体，激光器设置于半导体器件封装壳体的容置腔内，外壳一面的设置有窗口，窗口用于激光器出射激光。可选地，窗口上镶嵌有蓝宝石镜片。相对现有技术，本公开具有以下有益效果：本申请提供一种半导体器件封装壳体，半导体器件封装壳体包括：基座和外壳；外壳设置在基座上，与基座围成一容置腔，容置腔用于放置半导体，当外壳安装在基座上时，使用钎焊会产生一定的应力，由于该应力释放槽相对于基座上的其他结构具有一定的可形变空间，在外壳和基座产生应力的时候，该应力释放槽的形变空间发生了形变，释放了外壳和基座产生的应力，从而解决了该半导体器件封装壳体在应力的作用下产生的形变的问题，并且不提高半导体器件封装壳体的成本。附图说明为了更清楚地说明本公开的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。图1示出了本公开所提供的一种半导体器件封装壳体的结构示意图；图2示出了本公开所提供的另一种半导体器件封装壳体的结构示意图；图3示出了本公开所提供的另一种半导体器件封装壳体的结构示意图；图4示出了本公开所提供的另一种半导体器件封装壳体的结构示意图；图5示出了本公开所提供的一种激光器系统的结构示意图。图标：100-半导体器件封装壳体；10-外壳；11-窗口；20-容置腔；30-基座；31-应力释放槽；33-定位孔；50-激光器；51-出射口；200-激光器系统。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该专利技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“水平”等术语并不表示要求部件绝对水平，而是可以稍微倾斜。在本专利技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。图1示出了本公开所提供的一种半导体器件封装壳体的结构示意图；如图1所示，该半导体器件封装壳体100包括：基座30和外壳10；外壳10设置在基座30上，与基座30围成一容置腔20，容置腔20用于放置半导体器件；该容置腔20的体积根据该半导体器件的体积设定。基座30与外壳10的连接处上设置有应力释放槽31，其中，应力释放槽31具有形变空间。具体的，基座30和外壳10之间存在一空腔，该空腔为容置腔20。其中，该应力释放槽31中有形变空间，相应地，当该半导体器件封装壳体100中的基座30或外壳10存在应力时，该应力释放槽31中的形变空间发生形变，释放该基座30或外壳10的应力。一般的，应力释放槽31的形变空间截面为长方形，或者半球面，或者也可以为其他形状的形变空间，在此不做限定。需要说明的是，应力释放槽31设置于该基座30与该外壳10的连接处，应理解为应力释放槽31的内壁可直接延伸至基座30和外壳10的接缝处，或者，应力释放槽31的一部分与外壳壁或基座重叠使得基座30和外壳10连接处的焊接面存在空隙，或者应力释放槽31与上述接缝处有微小的间距。但其形变空间的形变足以释放基座30和外壳10产生的应力。具体的，该外壳10和基座30的形状一般可以根据半导体的形状来设置，例如可以为：长方体、半球或者半椭球等规则形状。为了方便说明，本申请用外壳10为长方体，基座30为长方体，并且应力释放槽31设置于该基座30上进行说明。另外，半导体器件封装壳体100可以用于封装半导体器件，该半导体器件可以包括：LED、半导体激光器和其他半导体芯片中一种，在此不对半导体器件进行限定。具体的，外壳10和基座30一般采用不同热膨胀系数的材料，所以在壳体的封装过程中(具体为外壳10和基座30的连接过程)，不同材料会产生不同的形变，所以在该基座30与外壳10的连接处设置有应力释放槽31，由于该应力释放槽31相对于基座30上的其他结构具有一定的可形变空间，所以在外壳10和基座30产生应力的时候，该应力释放槽31的形变空间发生了形变，释放了外壳10和基座30产生的应力，从而使得该半导体器件封装壳体100的形变减少，该应力释放槽31一般与半导体器件封装壳体100的应力垂直设置，从而可以将该半导体器件封装壳体100产生的应力进行释放，由于该基座30为长方体，该外壳10也为长方体，则将该应力释放槽31设置于该基座30与该外壳10的连接处，并且与该基座30的一条中心线垂直。图2示出了本公开所提供的另一种半导体器件封装本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件封装壳体，其特征在于，所述半导体器件封装壳体包括：基座和外壳；所述外壳设置在所述基座上，与所述基座围成一容置腔，所述容置腔用于放置半导体器件；所述基座与所述外壳的连接处设置有应力释放槽，其中，所述应力释放槽具有形变空间。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件封装壳体，其特征在于，所述半导体器件封装壳体包括：基座和外壳；所述外壳设置在所述基座上，与所述基座围成一容置腔，所述容置腔用于放置半导体器件；所述基座与所述外壳的连接处设置有应力释放槽，其中，所述应力释放槽具有形变空间。2.根据权利要求1所述的半导体器件封装壳体，其特征在于，所述应力释放槽包括多个，多个所述应力释放槽分别设置于所述外壳的一侧或者两侧；或者，所述应力释放槽包括一个，一个应力释放槽设置在所述外壳的一侧。3.根据权利要求1所述的半导体器件封装壳体，其特征在于，所述应力释放槽环绕设置于所述外壳的外周或者内周。4.根据权利要求1所述的半导体器件封装壳体，其特征在于，所述应力释放槽位于基座上。5.根据权利要求4所述的半导体器件封装壳体，其特征在于，所述应力释放槽的长度与基座的宽度或长度一致，使得在基座的宽度或长度方向上，应力释放槽贯穿基座；或者应力释放槽的尺寸小于基...

【专利技术属性】
技术研发人员：王刚，李勇，石钟恩，刘兴胜，
申请(专利权)人：西安炬光科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西,61