用以处理半导体装置阵列的方法制造方法及图纸

技术编号:21896463 阅读:27 留言:0更新日期:2019-08-17 16:20
本发明专利技术公开了一种用以处理半导体装置阵列的方法,该方法包含:将半导体装置阵列设置于接收基板上,其中半导体装置阵列具有至少一个故障部分;以及修理半导体装置阵列内的故障部分,其中修理半导体装置阵列内的故障部分包含下面两者的至少一个:当故障部分包含至少一个空缺时以至少一个补丁半导体装置修补半导体装置阵列内的空缺,以及当故障部分包含至少一个损毁半导体装置时以至少一个修复半导体装置修复半导体装置阵列内的损毁半导体装置。借此,当微型装置分别被转移至接收基板的像素时,有瑕疵的微型装置不会被转移至接收基板且也不会占据接收基板的对应像素的空间。

A Method for Processing Arrays of Semiconductor Devices

【技术实现步骤摘要】
用以处理半导体装置阵列的方法本案是申请日为2017年02月24日,申请号为201710105802.2,专利技术名称为“用于转移的中间结构以及转移的多个微型装置的制备方法”的分案申请。
本专利技术是关于主动固态元件。
技术介绍
近年来,发光二极管广泛地用于一般与商业上的照明应用。作为光源,发光二极管具有许多优点,包含低的能量损耗、长的寿命、小的尺寸以及快的开关速度,因此传统的照明,例如白炽灯,逐渐地被发光二极管取代。在发光二极管刚形成的时候,部分的发光二极管可能是有瑕疵的。当发光二极管分别转移至接收基板的各个像素中时,有瑕疵的发光二极管占据了对应的像素,却难以提供发光性能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种当微型装置分别被转移至接收基板的像素时,有瑕疵的微型装置不会被转移至接收基板且也不会占据接收基板的对应像素空间的用以处理半导体装置阵列的方法。根据本专利技术的部分实施方式,提供一种用以处理半导体装置阵列的方法。该方法包含将半导体装置阵列设置于接收基板上,其中半导体装置阵列具有至少一个故障部分;以及修理半导体装置阵列内的故障部分,其中该修理包含下面两者的至少一个:当故障部分包含至少一个空缺时以至少一个补丁半导体装置修补半导体装置阵列内的空缺,以及当故障部分包含至少一个损毁半导体装置时以至少一个修复半导体装置修复半导体装置阵列内的损毁半导体装置。本专利技术与现有技术相比,其具有当微型装置分别被转移至接收基板的像素时,有瑕疵的微型装置不会被转移至接收基板且也不会占据接收基板的对应像素的空间的有益效果。附图说明图1为根据本专利技术的部分实施方式的用以转移多个微型装置至接收基板的制备方法的流程图。图2A至图2N为根据本专利技术的部分实施方式的用以转移多个微型装置至接收基板的制备方法的剖面图。图3为根据本专利技术的部分实施方式的接收基板的俯视图。具体实施方式以下将以附图公开本专利技术的多个实施方式,为明确说明起见,许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。此外,为简化附图起见,一些公知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式为。在此使用的“微型”装置或“微型”发光二极管(light-emittingdiode;LED)等用词,指的是根据本专利技术的实施方式的某些元件或结构的描述性尺寸。在此使用的“微型”装置或“微型”发光二极管指的是尺度的范围为约1微米至5毫米。然而,应当理解的是,本专利技术并未以此为限,且这些实施方式的某些范畴可应用至更大或更小的尺度。能理解到,当一个元件是位于另一个元件“上”,它可以是直接位于另一个元件上或者有中间元件位于两者之间。相对地,当一个元件是“直接”位于另一个元件“上”,没有中间元件设置于两者之间。图1为根据本专利技术的部分实施方式的用以转移多个微型装置至接收基板的方法100的流程图。图2A至图2N为根据本专利技术的部分实施方式的用以转移多个微型装置200至接收基板700的方法的剖面图。能理解到,额外的步骤可能在方法100之前、之中或之后实行,且在方法100的其他实施方式中,部分提到的步骤可以被替换或取消。同时参照图1以及图2A,方法100起始于步骤102,将微型装置200暂时性地黏贴至承载基板310上。微型装置200可通过磊晶成长与蚀刻多个半导体层而形成。换句话说,微型装置200可包含半导体装置,例如微型发光二极管。在部分实施方式中,暂时性贴合层320可先设置于承载基板310上。半导体层堆叠以及导体层220黏贴至暂时性贴合层320,其中导体层220与暂时性贴合层320接触。半导体层被图案化,而导体层220并未被图案化。经图案化的半导体层形成贴于导体层220的微型装置200。在部分实施方式中,微型装置200阵列排列于承载基板310上,且相邻的微型装置200具有装置间距P1。本专利技术的部分实施方式中,暂时性贴合层320将微型装置200以及导体层220的组合黏贴至承载基板310上。暂时性贴合层320可以是可分解胶,例如热解胶(thermalreleaseadhesive)或紫外线解胶(ultraviolet-releaseadhesive)。换句话说,暂时性贴合层320适用于通过各种机制,例如热、紫外线照或其组合而解胶。经解胶的暂时性贴合层对导体层220以及承载基板310提供非常小的黏着力。同时参照图1以及图2B,方法100来到步骤104,测试承载基板310上的微型装置200,以决定微型装置200中是否有至少一个第一损毁微型装置200A。在测试微型装置200的各种方法的至少一种中,通过测试工具410驱动微型装置200工作,且使用光侦测器420以决定微型装置200是否被点亮。在此,测试工具410可包含透明基板412、透明导电层416以及透明光阻层414,透明光阻层414设置于透明基板412以及透明导电层416之间。测试工具410的透明导电层416用于接触微型装置200。具体而言,测试工具410可接触微型装置200的上表面。透明光阻层414的设置是可选择的,且在部分实施方式中可以省略透明光阻层414的设置。经过此设置,微型装置200的上表面被提供第一电位。同时,导体层220被提供第二电位,第二电位不同于第一电位。透过测试工具410的透明导电层416,可以形成电位差,且第一电位与第二电位之间的电位差驱动微型装置200工作。光侦测器420,例如高分辨率数码相机,可以感测微型装置200的发光性能。如果微型装置200没有展现发光性能或展现不规则的发光性能,微型装置200可能是有瑕疵的,且标记作为第一损毁微型装置200A(以十字点状图样表示)。更甚者,在部分实施方式中,采用分析仪以分析微型装置200的I-V(电流-电压)曲线或漏电流。如果微型装置200展现不规则的I-V曲线或者不正常的漏电流,微型装置200可能是有瑕疵的,且标记作为第一损毁微型装置200A。在部分实施方式中,为了让来自微型装置200的光线能经由测试工具410传送至光侦测器420,测试工具410的导电层416可以由透明导电材料所形成,例如氧化铟锡(indiumtinoxide)。导电层416可以或可以不被图案化。或者,测试工具410的导电层416可以是纳米银线,其宽度在大约10纳米至大约20纳米之间,而使大部分来自微型装置200的光线不被纳米银线所遮蔽。此外,透明基板412可以由不会阻挡光线穿透的玻璃或压克力所组成。在部分实施方式中,大部分的微型装置200被同时启动,但不应以此限制本专利技术的多个实施方式。在部分其他实施方式中,测试工具410每次可以接触微型装置200中的一个。举例而言,测试工具410可包含至少一个探针,以每次接触微型装置200中的至少一个,且依序测试多个微型装置200。在此详细说明用于侦测微型装置200的方法,可了解到,可能有其他适当的方法也能用于侦测微型装置200。在其他实施方式中,可能通过测试微型装置200的光激发萤光(photo-luminescence;PL)而决定第一损毁微型装置200A,此时可不通过启动微型装置200。在此,可以用紫外线(例如紫外线激光)照射或扫描微型装置200,而使微型装置200吸收紫外线且发出萤光。配备有彩色滤光片的光侦测器420可以侦测萤光。举例而言,对于红光微型发光二极管,光侦测器420配备有红色滤光片以侦测萤光。如果本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用以处理半导体装置阵列的方法,其特征在于,包含:将所述半导体装置阵列设置于接收基板上,其中所述半导体装置阵列具有至少一个故障部分;以及修理所述半导体装置阵列内的所述故障部分,其中修理所述半导体装置阵列内的所述故障部分包含下面两者的至少一个:当所述故障部分包含至少一个空缺时以至少一个补丁半导体装置修补所述半导体装置阵列内的所述空缺,以及当所述故障部分包含至少一个损毁半导体装置时以至少一个修复半导体装置修复所述半导体装置阵列内的所述损毁半导体装置。

【技术特征摘要】
2016.03.25 US 15/080,6071.一种用以处理半导体装置阵列的方法,其特征在于,包含:将所述半导体装置阵列设置于接收基板上,其中所述半导体装置阵列具有至少一个故障部分;以及修理所述半导体装置阵列内的所述故障部分,其中修理所述半导体装置阵列内的所述故障部分包含下面两者的至少一个:当所述故障部分包含至少一个空缺时以至少一个补丁半导体装置修补所述半导体装置阵列内的所述空缺,以及当所述故障部分包含至少一个损毁半导体装置时以至少一个修复半导体装置修复所述半导体装置阵列内的所述损毁半导体装置。2.如权利要求1所述的用以处理半导体装置阵列的方法,其特征在于,修理所述半导体装置阵列内的所述故障部分是通过至少一个转移头而进行,所述转移头适用于能够确定位置地吸取所述多个半导体装置的至少一个。3.如权利要求1所述的用以处理半导体装置阵列的方法,其特征在于,修...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈立宜张佩瑜詹志辉张俊仪林师勤李欣薇
申请(专利权)人:美科米尚技术有限公司
类型:发明
国别省市:萨摩亚,WS

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