基板处理装置、基板处理系统以及基板处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种处理基板的基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的基板处理方法。该基板处理装置的顶板在第一位置由相向构件保持部保持，在第二位置由基板保持部保持，并且与基板保持部一起旋转。就基板处理装置而言，通过控制部控制第一处理液供给部、第二处理液供给部以及喷嘴移动机构，在第一处理液喷嘴位于顶板的被保持部内的供给位置的状态下，经由相向构件开口向基板供给第一处理液，第一处理液喷嘴从供给位置移动至退避位置。然后，第二处理液喷嘴从退避位置移动至供给位置，经由相向构件开口向基板供给第二处理液。这样，与从一个处理液喷嘴依次供给多种处理液的情况相比，能够抑制或者防止产生多种处理液的混合液。

Substrate Processing Device, Substrate Processing System and Substrate Processing Method

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、基板处理系统以及基板处理方法本申请是申请日为2016年02月04日、申请号为201610078393.7、专利技术名称为“基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的基板处理方法”的申请的分案申请。
本专利技术涉及一种处理基板的技术。
技术介绍
以往，在半导体基板(以下，仅称为“基板”)的制造工序中，对基板施加各种各样的处理。例如，通过向表面上形成有光阻的图案的基板上供给药液，对基板的表面进行刻蚀等药液处理。另外，在药液处理结束之后，向基板上供给清洗液来进行清洗处理，然后，进行基板的干燥处理。例如，在JP特许第3621568号公报(文献1)的基板清洗装置中，将盖构件载置于水平地保持晶圆的旋转卡盘上，使其与晶圆一起旋转。当进行基板的清洗处理时，首先，从以与盖构件分离的方式配置于盖构件的上方的上喷嘴经由设于盖构件的旋转中心的开口向正在旋转的基板上供给清洗液。作为清洗液，利用氢氟酸、盐酸、硫酸、磷酸、氨水、过氧化氢等。接下来，通过从该上喷嘴向正在旋转的基板上供给纯水，冲洗附着于基板上的清洗液。然后，当进行基板的干燥处理时，从上述上喷嘴喷出氮气(N2)，经由盖构件的开口供给至晶圆上。这样，能够降低盖构件与晶圆之间的空间的氧浓度，以促进基板的干燥。上述盖构件是由铁等磁性体形成的。当使盖构件向上方远离旋转卡盘时，利用与臂部的顶端的电磁铁连结的吸附构件来吸附盖构件，盖构件与臂部一起向上方移动。就该基板清洗装置而言，在使吸附构件与盖构件接触的状态下，能够通过向电磁铁通电或断电，来吸附或释放盖构件。另外，在文献1的基板清洗装置中，从同一喷嘴依次供给氢氟酸等清洗液与纯水。因此，在该喷嘴中有产生清洗液与纯水的混合液的危险。另外，在文献1的基板清洗装置中，盖构件周围的外部气体从上喷嘴的顶端与盖构件的开口之间的间隙经由该开口进入盖构件与基板之间的空间。因此，盖构件与晶圆之间的空间中的氧浓度会降低。而且，在文献1的基板清洗装置中，为了借助磁力吸附保持盖构件，盖构件必需含有磁性体。另外，在保持盖构件的保持部上也需要设置电磁铁，还需要控制电磁铁的通断。因此，盖构件的保持结构变得复杂。另外，文献1的基板清洗装置存在因供给至晶圆的清洗液反复附着在作为与晶圆相向的相向构件盖构件的下表面，再反复干燥，导致清洗残留物等逐渐积累于盖构件下表面而成为污染源。因此，需要将盖构件从基板清洗装置取出进行维护。此时，存在无法在基板清洗装置中进行基板的清洗等，导致生产性降低。
技术实现思路
本专利技术涉及处理基板的基板处理装置，一个目的为抑制产生多种处理液的混合液。本专利技术的另一个目的是抑制外部气体进入相向构件与基板之间的空间。本专利技术的再一个目的是以简单的结构保持相向构件，并且以简单的结构使相向构件保持部在保持位置与退避位置之间移动。本专利技术的又一个目的是通过更换使用相向构件，来抑制基板处理的生产性降低。本专利技术也涉及处理基板的基板处理系统以及处理基板的基板处理方法。本专利技术的一个技术方案的基板处理装置，具有：基板保持部，以水平状态保持基板，相向构件，与所述基板的上表面相向，并且在中央部设有相向构件开口，相向构件搬运机构，保持所述相向构件，使所述相向构件在上下方向上的第一位置与第二位置之间相对于所述基板保持部相对移动，第一处理液供给部，经由第一处理液喷嘴向所述基板的所述上表面供给第一处理液，第二处理液供给部，经由第二处理液喷嘴向所述基板的所述上表面供给第二处理液，喷嘴移动机构，使所述第一处理液喷嘴以及所述第二处理液喷嘴分别单独地在所述相向构件开口的上方的供给位置与所述基板保持部的周围的各自的退避位置之间移动，基板旋转机构，使所述基板与所述基板保持部一起以朝向所述上下方向的中心轴为中心进行旋转，控制部，控制所述第一处理液供给部、所述第二处理液供给部以及所述喷嘴移动机构，以及气体供给部，向所述相向构件与所述基板之间的空间供给气体；所述相向构件在所述第一位置由所述相向构件搬运机构保持，并且在上方远离所述基板保持部，所述相向构件在所述第二位置由所述基板保持部保持，通过所述基板旋转机构与所述基板保持部一起进行旋转，通过所述控制部进行控制，所述第一处理液喷嘴在位于所述供给位置的状态下，经由所述相向构件开口向所述基板供给所述第一处理液，所述第一处理液喷嘴从所述供给位置移动至所述退避位置，将所述第二处理液喷嘴从所述退避位置移动至所述供给位置，经由所述相向构件开口向所述基板供给所述第二处理液。这样，能够抑制产生多种处理液混合。在本专利技术的一个优选的实施方式中，所述相向构件具有：相向构件主体，与所述基板的所述上表面相向，并且在所述中央部设有所述相向构件开口，以及筒状的被保持部，从所述相向构件主体的所述相向构件开口的周围向上方突出，并且被所述相向构件搬运机构保持；所述第一处理液喷嘴以及所述第二处理液喷嘴在所述供给位置从所述被保持部的上部开口插入。本专利技术的另一技术方案的基板处理装置具有：基板保持部，以水平状态保持基板，相向构件，与所述基板的上表面相向，并且在中央部设有相向构件开口，该相向构件具有从所述相向构件开口的周围向上方突出的筒状的被保持部，相向构件搬运机构，保持所述相向构件的所述被保持部，使所述相向构件在上下方向上的第一位置与第二位置之间相对于所述基板保持部相对移动，处理液喷嘴，位于所述被保持部的内侧，该处理液喷嘴经由所述相向构件开口向所述基板的所述上表面喷出处理液，基板旋转机构，使所述基板与所述基板保持部一起以朝向所述上下方向的中心轴为中心进行旋转，以及气体供给部，向所述相向构件与所述基板之间的空间供给气体；所述相向构件在所述第一位置由所述相向构件搬运机构保持，并且在上方远离所述基板保持部，所述相向构件在所述第二位置由所述基板保持部保持，通过所述基板旋转机构与所述基板保持部一起进行旋转；所述气体供给部向所述相向构件的所述被保持部的内侧面与所述处理液喷嘴的外侧面之间的间隙供给气体。这样，能够抑制外部气体进入相向构件与基板之间的空间。在本专利技术的一个优选的实施方式中，所述处理液喷嘴从所述相向构件搬运机构向下方突出，从所述被保持部的上部开口插入，来自所述气体供给部的气体经由所述相向构件搬运机构从所述被保持部的所述上部开口供给至所述被保持部内。本专利技术的其他技术方案的基板处理装置具有：基板保持部，以水平状态保持基板，相向构件，与所述基板的上表面相向，并且在中央部设有相向构件开口，该相向构件具有从所述相向构件开口的周围向上方突出的筒状的被保持部，相向构件保持部，保持所述相向构件的所述被保持部，相向构件升降机构，使所述相向构件在上下方向上的第一位置与第二位置之间相对于所述基板保持部相对移动，处理液喷嘴，位于所述被保持部的内侧，经由所述相向构件开口向所述基板的所述上表面喷出处理液，基板旋转机构，使所述基板与所述基板保持部一起以朝向所述上下方向的中心轴为中心进行旋转，以及相向构件保持部移动机构，使所述相向构件保持部在所述相向构件的上方的保持位置与所述相向构件的周围的退避位置之间移动；所述相向构件在所述第一位置由所述相向构件保持部保持，并且在上方远离所述基板保持部，所述相向构件在所述第二位置由所述基板保持部保持，通过所述基板旋转机构与所述基板保持部一起进行旋转；所述被保持部具有：圆筒状的凸缘连接本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，用于处理基板，其特征在于，具有：基板保持部，保持水平状态的基板，相向构件，与所述基板的上表面相向，处理液供给部，向所述基板的所述上表面供给处理液，基板旋转机构，使所述基板与所述基板保持部一起以朝向上下方向的中心轴为中心旋转，相向构件容置部，能够容置所述相向构件，以及相向构件搬运机构，保持所述相向构件，在所述上下方向上的第一位置与第二位置之间相对于所述基板保持部相对移动，并且，在所述基板保持部的上方与所述相向构件容置部之间搬运所述相向构件；所述相向构件在所述第一位置由所述相向构件搬运机构保持，并且在上方远离所述基板保持部，所述相向构件在所述第二位置由所述基板保持部保持，通过所述基板旋转机构与所述基板保持部一起进行旋转，所述相向构件被所述相向构件搬运机构从所述基板保持部的上方搬运，并搬入所述相向构件容置部，容置于所述相向构件容置部的其他相向构件被所述相向构件搬运机构取出，并搬运至所述基板保持部的上方。

【技术特征摘要】
2015.02.12 JP 2015-025718;2015.02.12 JP 2015-025711.一种基板处理装置，用于处理基板，其特征在于，具有：基板保持部，保持水平状态的基板，相向构件，与所述基板的上表面相向，处理液供给部，向所述基板的所述上表面供给处理液，基板旋转机构，使所述基板与所述基板保持部一起以朝向上下方向的中心轴为中心旋转，相向构件容置部，能够容置所述相向构件，以及相向构件搬运机构，保持所述相向构件，在所述上下方向上的第一位置与第二位置之间相对于所述基板保持部相对移动，并且，在所述基板保持部的上方与所述相向构件容置部之间搬运所述相向构件；所述相向构件在所述第一位置由所述相向构件搬运机构保持，并且在上方远离所述基板保持部，所述相向构件在所述第二位置由所述基板保持部保持，通过所述基板旋转机构与所述基板保持部一起进行旋转，所述相向构件被所述相向构件搬运机构从所述基板保持部的上方搬运，并搬入所述相向构件容置部，容置于所述相向构件容置部的其他相向构件被所述相向构件搬运机构取出，并搬运至所述基板保持部的上方。2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述相向构件以及所述其他相向构件的种类彼此不同。3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置还具有相向构件清洗机构，该相向构件清洗机构对容置于所述相向构件容置部的所述相向构件进行清洗。4.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述相向构件容置部具有多个容置部，该多个容置部在所述上下方向上层叠，并且分别能够容置相向构件。5.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述相向构件搬运机构具有进退机构，该进退机构使所述相向构件相对于所述相向构件容置部进退。6.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置还具有移动限制部，该移动限制部限制在所述相向构件搬运机构中的所述相向构件的错位。7.如权利要求1～6中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述相向构件具有：相向构件主体，与所述基板的所述上表面相向，并且在中央部设有相向构件开口，以及筒状的被保持部，从所述相向构件主体的所述相向构件开口的周围向上方突出，并且被所述相向构件搬运机构保持；所述被保持部具有：圆筒状的凸缘连接部，以所述中心轴为中心，以及相向构件凸缘部，从所述凸缘连接部的上端部向径向外方延展；所述相向构件搬运机构具有：第一凸缘支撑部，从下侧接触支撑位于所述第一位置的所述相向构件的所述相向构件凸缘部的一部分，第二凸缘支撑部，位于隔着所述凸缘连接部的所述第一凸缘支撑部的相反侧，从下侧接触支撑位于所述第一位置的所述相向构件的所述相向构件凸缘部的一部分，以及保持部主体，安装有所述第一凸缘支撑部以及所述第二凸缘支撑部；在所述相向构件位于所述第二位置的状态下，通过所述相向构件搬运机构使所述保持部主体水平地旋转，...

【专利技术属性】
技术研发人员：村元僚，高桥光和，
申请(专利权)人：株式会社思可林集团，
类型：发明
国别省市：日本,JP