晶圆测试设备以及测试方法技术

本发明专利技术一种提供晶圆测试设备以及测试方法，晶圆测试设备包括：探测装置，用于承载晶圆并对所述晶圆的待探测部位进行探测，形成探测信号；测试装置，接收探测信号，判断所述待探测部位的性能；激光退火装置，位于所述测试装置内或位于所述探测装置内，加热所述晶圆的待探测部位；利用本发明专利技术的晶圆测试设备能够实现对晶圆的待探测部位的加热，避免在晶圆测试过程中对整个晶圆进行加热，保证不需要测量的芯片的性能，从而提高不需要加热的芯片或者器件的出货率，提高生产效率。

Wafer Testing Equipment and Testing Method

【技术实现步骤摘要】
晶圆测试设备以及测试方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种晶圆测试设备以及测试方法。
技术介绍
在半导体工艺中，于晶圆上加工制作各种电路元件结构，而使晶圆成为有特定电性功能之IC产品。对于计算机产品而言，晶圆的品质影响着整个计算机的性能。目前，在半导体产品制造过程中，晶圆是当前集成电路的基础半成品，晶圆的好坏直接影响半导体成品的质量，所以需要对晶圆进行测试。晶圆测试的目的是将坏的管芯挑出来，以节约废芯片封装成本。当需要在一定的温度条件下对晶圆进行性能测试的时候，就需要对晶圆进行加热。如何避免在晶圆测试过程中对整个晶圆进行加热，保证不需要测量的芯片的性能，这是目前急需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种晶圆测试设备，避免在晶圆测试过程中对整个晶圆进行加热，保证不需要测量的芯片的性能，从而提高不需要加热的芯片或者器件的出货率，提高生产效率。为解决上述问题，本专利技术一种提供晶圆测试设备，包括：探测装置，用于承载晶圆并对所述晶圆的待探测部位进行探测，形成探测信号；测试装置，接收探测信号，判断所述晶圆的待探测部位的性能；激光退火装置，位于所述测试装置的内部或位于所述探测装置的内部，加热所述晶圆的待探测部位。可选的，所述探测装置包括测试平台和装载平台，所述晶圆放置于所述测试平台。可选的，所述测试平台的内部还安装有温度卡盘和探针卡，所述晶圆安装于所述温度卡盘，所述温度卡盘活动连接在所述测试平台的内部，所述探针卡固定连接在所述测试平台的内部。可选的，所述探针卡内设置有通孔，用于所述激光退火装置发射的激光穿过。可选的，所述通孔为圆形或椭圆形或方形或长条形。可选的，所述激光退火装置连接于所述测试平台的内部，所述激光退火装置、所述探针卡以及所述温度卡盘依次排布于所述测试平台内部。可选的，还包括连接孔，设置于所述测试平台。可选的，所述测试装置包括测试仪和测试头，所述测试仪和所述测试头之间活动连接，所述测试头通过所述连接孔与所述探针卡之间连接。可选的，所述激光退火装置位于所述测试头的内部，受控于所述测试仪。可选的，还包括移动装置，位于所述测试仪内，用于所述激光退火装置的定位与校准。可选的，还包括通讯装置，连接在所述探测装置和所述测试装置之间，用于所述探测信号的传输。本专利技术还提供利用上述晶圆测试设备进行测试的方法，包括步骤：将晶圆放置于探测装置上；采用激光退火装置对所述晶圆的待探测部位进行加热；所述探测装置对加热后的所述晶圆的待探测部位进行探测，形成探测信号；测试装置接收所述探测信号，判断所述晶圆的待探测部位的性能。可选的，所述激光退火装置对所述晶圆的待探测部位进行加热的时间小于1秒钟。与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点：利用激光退火装置对晶圆的待探测部位进行加热，探测装置对晶圆的待探测部分进行探测，形成探测信号；测试装置，接受到探测信号便可判断待探测部位的性能，这种晶圆测试设备即实现了对晶圆的待探测部位的性能探测，又利用激光的加热方式保证了只对晶圆的待探测部位进行加热，而不是对整个晶圆进行加热，从而保证了不需要被加热或者不能加热的芯片或者器件的性能良好，提高正常的芯片或者器件的出货率，使得生产效率得到提高，能源得到节约。附图说明图1至图2是本专利技术第一实施例中晶圆测试设备的结构示意图；图3是利用第一实施例的晶圆测试设备在测试过程中激光束的路径示意图；图4是本专利技术第二实施例中晶圆测试设备的结构示意图。具体实施方式目前，需要在一定的温度条件下测试晶圆性能时，通常采用温度卡盘对整个晶圆进行加热，从而使得整个晶圆达到测试温度，在此温度条件下对需要测试的晶圆的部位进行性能的测试；但是这种测试过程中对整个晶圆都进行了加热，一方面导致不需要被加热的芯片或者器件也被加热，造成不需要被加热的芯片或者器件的损坏，导致正常的芯片或者器件不能出货而浪费；另一方面，由于给整个晶圆都进行加热，导致能源的浪费。专利技术人研究发现，采用激光退火装置实现只针对待探测部位进行热，不会对整个晶圆进行加热，这样既能实现在特定的温度条件下对晶圆的待探测部分进行性能测试，同时能够保证不需要进行加热的芯片或者器件性能的良好，从而保证未经加热的芯片或者器件的出货率，提高生产率并且节约能源。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细地说明。第一实施例图1至图2为本专利技术第一实施例中晶圆测试设备的结构示意图。参考图1至图2，提供晶圆测试设备100，包括探测装置110、测试装置120、激光退火装置130以及通讯装置140。所述探测装置110，用于承载晶圆，并且对晶圆的待探测部位进行探测，形成探测信号；所述测试装置120，接受到由所述探测装置110发出的探测信号，通过对探测信号的判断，从而判断所述待探测部位的性能。所述激光退火装置130，位于所述探测装置110内，对晶圆的待探测部位进行加热使其温度达到探测需要的温度条件。本实施例中，所述探测装置110具体为一个全自动的探针台(prober)；其他实施例中，所述探测装置110还可为半自动的探针台或者手动的探针台或者具有类似功能的探测装置等。本实施例中，所述测试装置120具体为一个测试机，比如型号为Keysight(aglient)4080andTSKUF3000EX-e的测试机，该测试机能够接受到探测装置110的探测信号，并且能够对其进行信号分析；其他实施例中，所述测试装置120为一个起到测试作用的机器，具有能够分析探测信号的能力即可。本实施例中，所述激光退火装置130采用传统的激光退火装置，是一种能够实现在很短的时间内在晶圆的待探测的部位内产生热量，使得温度刚好低于硅的熔点，在冷却的过程中，也能够很快的将热量散发出去的工艺的装置，具体型号可以采用Ultratechlaseranneal。本实施例中，还包括通讯装置140，连接在所述探测装置110和所述测试装置120之间，用于所述探测信号的传输，所述通讯设备140可以为通讯协议GPIB。本实施例中，利用所述激光退火装置给晶圆的待探测部位进行的加热方式改变了传统的利用探测台中的温度卡盘对整个晶圆进行加热的方式，这种针对待探测部位进行加热的加热方式只对晶圆的待探测部位进行加热使其达到测试需要的温度条件，保证了其余不需要加热的芯片或者器件性能的良好，提高了不需要加热的芯片或者器件的出货率；同时仅仅是针对晶圆的待探测部位进行加热，大大节约了加热需要消耗的能源。参考图1，所述探测装置110包括测试平台111和装载平台112。其中：所述测试平台111用于承载晶圆并对晶圆进行冷却处理，所述探测装置110用于晶圆(wafer)的传输、定位、扎针。本实施例中，所述测试平台111(Stage)和所述装载平台112(Loadport)之间采用固定连接的方式连接在一起，具体的所述测试平台111(Stage)和所述装载平台112(Loadport)之间可以采用螺丝固定连接。其他实施例中，所述测试平台111(Stage)和所述装载平台112(Loadport)还可采用活动连接的方式连接在一起，所述测试平台111(Stage)和所述装载平台112(Loadport)之间可以相对转动。参考图2，所述测试平台111的内部还安装有温度卡盘本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆测试设备，其特征在于，包括：探测装置，用于承载晶圆并对所述晶圆的待探测部位进行探测，形成探测信号；测试装置，接收探测信号，判断所述晶圆的待探测部位的性能；激光退火装置，位于所述测试装置的内部或位于所述探测装置的内部，加热所述晶圆的待探测部位。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆测试设备，其特征在于，包括：探测装置，用于承载晶圆并对所述晶圆的待探测部位进行探测，形成探测信号；测试装置，接收探测信号，判断所述晶圆的待探测部位的性能；激光退火装置，位于所述测试装置的内部或位于所述探测装置的内部，加热所述晶圆的待探测部位。2.如权利要求1所述的晶圆测试设备，其特征在于，所述探测装置包括测试平台和装载平台，所述晶圆放置于所述测试平台。3.如权利要求2所述的晶圆测试设备，其特征在于，所述测试平台的内部还安装有温度卡盘和探针卡，所述晶圆安装于所述温度卡盘，所述温度卡盘活动连接在所述测试平台的内部，所述探针卡固定连接在所述测试平台的内部。4.如权利要求3所述的晶圆测试设备，其特征在于，所述探针卡内设置有通孔，用于所述激光退火装置发射的激光穿过。5.如权利要求4所述的晶圆测试设备，其特征在于，所述通孔为圆形或椭圆形或方形或长条形。6.如权利要求3所述的晶圆测试设备，其特征在于，所述激光退火装置连接于所述测试平台的内部，所述激光退火装置、所述探针卡以及所述温度卡盘依次排布于所述测试平台的内部。7.如权利要求3所述的晶圆测试设...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱鹏，王永耀，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32