TFT基板的制作方法及TFT基板技术

本发明专利技术提供一种TFT基板的制作方法及TFT基板。本发明专利技术TFT基板的制作方法，以栅极为遮蔽层对金属氧化物半导体层进行UV光照射，使金属氧化物半导体层被UV光照射的部分导体化而形成源极、漏极及像素电极，使金属氧化物半导体层被栅极遮挡的部分仍保留半导体性质而形成半导体沟道，本发明专利技术通过栅极自对准及金属氧化物半导体层导体化工艺实现了源漏极与栅极的对准，能够有效控制源漏极与栅极的重叠区域，从而减小寄生电容，提高显示品质，且制作方法简单，提高了生产效率。

Fabrication of TFT Substrate and TFT Substrate

【技术实现步骤摘要】
TFT基板的制作方法及TFT基板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种TFT基板的制作方法及TFT基板。
技术介绍
在显示
，液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)与有源矩阵驱动式有机电致发光显示器(ActiveMatrixOrganicLight-EmittingDiode，简称AMOLED)等平板显示器已经逐步取代阴极射线管(CathodeRayTube)显示器，广泛的应用于液晶电视、手机、个人数字助理、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。显示面板是LCD、OLED显示器的重要组成部分。不论是LCD显示面板，还是OLED显示面板，通常都具有一薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)基板。以LCD显示面板为例，其主要是由TFT基板、彩色滤光片(ColorFilter，CF)基板、以及配置于两基板间的液晶层(LiquidCrystalLayer)所构成，其工作原理是通过在TFT基板与CF基板上施加驱动电压来控制液晶层中液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。因此，薄膜晶体管是目前LCD和OLED显示器中的主要驱动元件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。薄膜晶体管具有多种结构，制备相应结构的薄膜晶体管有源层的材料也具有多种，其中，金属氧化物薄膜晶体管(metaloxideTFT)具有场效应迁移率高(≥10cm2/V·s)、制备工艺简单、大面积沉积均匀性好、响应速度快及可见光范围内透过率高等特点，被认为是显示器朝着大尺寸及柔性化方向发展的最有潜力的背板技术。随着LCD与OLED显示器的分辨率越来越高，单位面积下薄膜晶体管所占的比例也越来越多。请参阅图1，现有TFT基板中，栅极110与源极120之间以及栅极110与漏极130之间在垂直于基板100的方向上均存在部分重叠区域，导致薄膜晶体管的栅极-漏极寄生电容(parasiticcapacitance)Cgd以及栅极-漏极寄生电容Cgs，相对于储存电容的比例也随之升高。因此，将上述的薄膜晶体管应用于显示面板的驱动电路时，在信号的传输上往往会产生相当大的电阻电容负载(RCloading)，导致显示器的显示品质下降。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种TFT基板的制作方法，通过栅极自对准及金属氧化物半导体层导体化工艺实现源漏极与栅极的对准，能够有效控制源漏极与栅极的重叠区域，从而减小寄生电容，提高显示品质。本专利技术的目的还在于提供一种TFT基板，采用上述TFT基板的制作方法制作形成，能够有效控制源漏极与栅极的重叠区域，从而减小寄生电容，提高显示品质。为实现上述目的，本专利技术提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤：步骤S1、提供衬底基板，在所述衬底基板上沉积金属氧化物半导体层，对该金属氧化物半导体层进行图案化处理得到第一预备图案及与所述第一预备图案一侧连接的第二预备图案；步骤S2、在所述衬底基板及金属氧化物半导体层上沉积第一金属层，对该第一金属层进行图案化处理得到与所述第一预备图案另一侧连接的连接块，对所述连接块进行加热处理，从而诱导所述第一预备图案与所述连接块接触的部分导体化；步骤S3、在所述衬底基板、金属氧化物半导体层及第一金属层上沉积形成栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上沉积第二金属层，对该第二金属层进行图案化处理得到横跨第一预备图案的栅极；步骤S4、以所述栅极为遮蔽层，从所述衬底基板上方对所述第一预备图案及第二预备图案进行UV光照射，使得第一预备图案对应位于所述栅极两侧且分别连接所述连接块和第二预备图案的部分在UV光照射下导体化形成相间隔的源极和漏极，使得第二预备图案在UV光照射下导体化形成像素电极，使得第一预备图案位于所述源极和漏极之间被所述栅极遮挡的部分形成半导体沟道。所述步骤S1还包括，在沉积金属氧化物半导体层之前，在所述衬底基板上形成有机光阻凸台，所述第一预备图案在所述衬底基板上对应覆盖所述有机光阻凸台。所述有机光阻凸台的材料为遮光材料；所述有机光阻凸台的高度大于2μm。所述第一金属层与所述金属氧化物半导体层接触的部分为金属诱导层，该金属诱导层的材料为铝。所述步骤S2中经图案化处理后的第一金属层还包括与所述连接块连接的数据线；所述步骤S3中经图案化处理后的第二金属层还包括与所述数据线垂直绝缘交叉并与所述栅极连接的栅极线。本专利技术还提供一种TFT基板，包括衬底基板及由下至上依次沉积于所述衬底基板上的金属氧化物半导体层、第一金属层、栅极绝缘层、第二金属层；所述金属氧化物半导体层包括半导体沟道及导体化的源极、漏极、像素电极；所述第一金属层包括与所述源极连接的连接块；所述第二金属层包括对应覆盖所述半导体沟道的栅极；所述像素电极与所述漏极连接，所述源极和漏极分别从半导体沟道两侧连接半导体沟道并由所述半导体沟道间隔开，所述源极和漏极相对的内侧边缘与所述栅极的两侧边缘对齐。所述的TFT基板还包括设于所述衬底基板与金属氧化物半导体层之间的有机光阻凸台，连接在一起的源极半导体沟道及漏极对应覆盖所述有机光阻凸台。所述有机光阻凸台的材料为遮光材料；所述有机光阻凸台的高度大于2μm。所述第一金属层与所述金属氧化物半导体层接触的部分为金属诱导层，该金属诱导层的材料为铝。所述第一金属层还包括与所述连接块连接的数据线；所述第二金属层还包括与所述数据线垂直绝缘交叉并与所述栅极连接的栅极线。本专利技术的有益效果：本专利技术提供的一种TFT基板的制作方法，以栅极为遮蔽层对金属氧化物半导体层进行UV光照射，使金属氧化物半导体层被UV光照射的部分导体化而形成源极、漏极及像素电极，使金属氧化物半导体层被栅极遮挡的部分仍保留半导体性质而形成半导体沟道，本专利技术通过栅极自对准及金属氧化物半导体层导体化工艺实现了源漏极与栅极的对准，能够有效控制源漏极与栅极的重叠区域，从而减小器件内的寄生电容，降低在信号传输时的电阻电容负载，提高显示品质，且制作方法简单，提高了生产效率。本专利技术的TFT基板，采用上述TFT基板的制作方法制作形成，能够有效控制源漏极与栅极的重叠区域，从而减小器件内的寄生电容，降低在信号传输时的电阻电容负载，提高显示品质。附图说明下面结合附图，通过对本专利技术的具体实施方式详细描述，将使本专利技术的技术方案及其他有益效果显而易见。附图中，图1为现有一TFT基板的结构示意图；图2为本专利技术的TFT基板的制作方法的流程示意图；图3为本专利技术的TFT基板的制作方法的步骤S1的示意图；图4为本专利技术的TFT基板的制作方法的步骤S2的示意图；图5为本专利技术的TFT基板的制作方法的步骤S3的示意图；图6为本专利技术的TFT基板的制作方法的步骤S4的示意图暨本专利技术的TFT基板的结构示意图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术所采取的技术手段及其效果，以下结合本专利技术的优选实施例及其附图进行详细描述。请参阅图2，本专利技术首先提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤：步骤S1、如图3所示，提供衬底基板10，在所述衬底基板10上形成有机光阻凸台20，在所述衬底基板10及有机光阻凸台20上沉积金属氧化物半导体层30，对该金属氧化物半导体层30进行图案化处理得到对应覆盖所述有机光阻凸台20的第一预备图案31及与所述第一预备图案31一侧连接的第二预备图案33。具体地，所述有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上沉积金属氧化物半导体层(30)，对该金属氧化物半导体层(30)进行图案化处理得到第一预备图案(31)及与所述第一预备图案(31)一侧连接的第二预备图案(33)；步骤S2、在所述衬底基板(10)及金属氧化物半导体层(30)上沉积第一金属层(40)，对该第一金属层(40)进行图案化处理得到与所述第一预备图案(31)另一侧连接的连接块(41)，对所述连接块(41)进行加热处理，从而诱导所述第一预备图案(31)与所述连接块(41)接触的部分导体化；步骤S3、在所述衬底基板(10)、金属氧化物半导体层(30)及第一金属层(40)上沉积形成栅极绝缘层(50)，在所述栅极绝缘层(50)上沉积第二金属层(60)，对该第二金属层(60)进行图案化处理得到横跨第一预备图案(31)的栅极(61)；步骤S4、以所述栅极(61)为遮蔽层，从所述衬底基板(10)上方对所述第一预备图案(31)及第二预备图案(32)进行UV光照射，使得第一预备图案(31)对应位于所述栅极(61)两侧且分别连接所述连接块(41)和第二预备图案(32)的部分在UV光照射下导体化形成相间隔的源极(71)和漏极(72)，使得第二预备图案(32)在UV光照射下导体化形成像素电极(75)，使得第一预备图案(31)位于所述源极(71)和漏极(72)之间被所述栅极(61)遮挡的部分形成半导体沟道(73)。...

【技术特征摘要】
1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上沉积金属氧化物半导体层(30)，对该金属氧化物半导体层(30)进行图案化处理得到第一预备图案(31)及与所述第一预备图案(31)一侧连接的第二预备图案(33)；步骤S2、在所述衬底基板(10)及金属氧化物半导体层(30)上沉积第一金属层(40)，对该第一金属层(40)进行图案化处理得到与所述第一预备图案(31)另一侧连接的连接块(41)，对所述连接块(41)进行加热处理，从而诱导所述第一预备图案(31)与所述连接块(41)接触的部分导体化；步骤S3、在所述衬底基板(10)、金属氧化物半导体层(30)及第一金属层(40)上沉积形成栅极绝缘层(50)，在所述栅极绝缘层(50)上沉积第二金属层(60)，对该第二金属层(60)进行图案化处理得到横跨第一预备图案(31)的栅极(61)；步骤S4、以所述栅极(61)为遮蔽层，从所述衬底基板(10)上方对所述第一预备图案(31)及第二预备图案(32)进行UV光照射，使得第一预备图案(31)对应位于所述栅极(61)两侧且分别连接所述连接块(41)和第二预备图案(32)的部分在UV光照射下导体化形成相间隔的源极(71)和漏极(72)，使得第二预备图案(32)在UV光照射下导体化形成像素电极(75)，使得第一预备图案(31)位于所述源极(71)和漏极(72)之间被所述栅极(61)遮挡的部分形成半导体沟道(73)。2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1还包括，在沉积金属氧化物半导体层(30)之前，在所述衬底基板(10)上形成有机光阻凸台(20)，所述第一预备图案(31)在所述衬底基板(10)上对应覆盖所述有机光阻凸台(20)。3.如权利要求2所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述有机光阻凸台(20)的材料为遮光材料；所述有机光阻凸台(20)的高度大于2μm。4.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一金属层(40)与所述金属氧化物半导体层...

【专利技术属性】
技术研发人员：韦显旺，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44