阵列基板及其制备方法技术

本申请提供了一种阵列基板及其制备方法，所述制备方法还包括以下步骤：在玻璃基板上形成栅极金属层；在栅极金属层上形成可分解层，其中可分解层在紫外线照射前和照射后具有不同的热分解温度；在形成有所述可分解层的玻璃基板上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖可分解层；对形成有第一绝缘层的玻璃基板进行紫外线处理；对紫外线处理后的玻璃基板进行加热，其中在加热过程中可分解层产生分解，所述第一绝缘层和栅极金属层之间形成中空腔室；在第一绝缘层上方形成源极和漏极。有益效果：采用阵列基板制备方法，该阵列基板结构，有效减低了栅极绝缘薄膜击穿，有效改善导电金属铜扩散、静电释放等问题，提高电压保持率。

Array Substrate and Its Preparation Method

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。
技术介绍
随着薄膜晶体管(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，简称TFT-LCD)技术逐渐成熟，高解析如4K/8K及大尺寸65’/75’/85’面板需求日益增加。同时，随着液晶面板尺寸增大，电流传输距离变大，最终导致液晶面板电阻电容负载增大。为降低传输距离变大导致的阻抗增大的问题，目前业界常用的做法是增加导电金属如铝(Al)、铜(Cu)等的厚度。然而，导电金属如Cu厚度增加，湿蚀刻时间需要延长的同时，形成的图案还具有较高的锥形角(taper)，较高的锥形角会产生一系列的负面影响如：应力集中导致的栅极绝缘薄膜(GateInsulator，简称GI)击穿、导电金属铜(Cu)扩散、静电释放(Electro-Staticdischarge，简称ESD)等。综上所述，现有技术的薄膜晶体管存在栅极绝缘薄膜击穿、导电金属铜扩散、静电释放等的问题。
技术实现思路
本专利技术提供的阵列基板及阵列基板方法，为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：一种阵列基板制备方法，所述方法包括如下步骤：在基板上形成栅极金属层；在所述栅极金属层上形成可分解层，其中所述可分解层在紫外线照射前和照射后具有不同的热分解温度；在形成有所述可分解层的基板上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述可分解层；对形成有所述第一绝缘层的基板进行紫外线处理；对紫外线处理后的所述基板进行加热，其中在加热过程中所述可分解层产生分解，所述第一绝缘层和栅极金属层之间形成中空腔室；在所述第一绝缘层上方形成源极和漏极。在一些实施例中，所述第一绝缘层为有机绝缘膜层，所述有机绝缘膜层材料为阵列有机绝缘膜、亚克力树脂、硅氧烷树脂中的一种或者多种；所述对紫外线处理后的所述基板进行加热的步骤包括：以230℃为加热温度，20-30分钟为加热时间对紫外线处理后的所述基板进行加热。在一些实施例中，所述第一绝缘层的材料包括氮硅化合物，所述第一绝缘层的厚度为所述对紫外线处理后的所述基板进行加热，包括：以大于或等于100℃的加热温度，对紫外线处理后的所述基板进行加热。在一些实施例中，在所述第一绝缘层上方形成源极和漏极之前，所述阵列基板制备方法还包括：在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层由氮硅化合物制成，所述氮硅化合物的厚度为所述在所述第一绝缘层上方形成源极和漏极，包括：在所述第二绝缘层上形成源极和漏极。在一些实施例中，所述可分解层的可分解材料包括聚甲基乙撑碳酸酯、光酸产生剂、溶剂、以及添加剂、表面活性剂中的一种或者多种。在一些实施例中，所述栅极金属层上形成可分解层，包括：在所述栅极金属层上涂覆一层所述可分解材料；对所述可分解材料进行黄光制程，得到可分解层，所述黄光制程所用的曝光量在100-1000兆焦耳之间。本专利技术还提供一种阵列基板，所述的阵列基板制备方法制成，所述阵列基板包括基板与制备于所述基板上方的栅极金属层；以及，中间绝缘层，设置于所述栅极金属层上方，所述中间绝缘层和所述栅极金属层之间形成有中空腔室；源漏极层，设置于所述中间绝缘层上方。在一些实施例中，所述中空腔室将所述中间绝缘层与所述栅极金属层隔开。在一些实施例中，所述中空腔室为部分断开结构，使得所述中间绝缘层与所述栅极金属层之间存在接触区域。在一些实施例中，所述中空腔室为真空腔室。本申请提供的阵列基板方法及阵列基板，采用新的薄膜晶体管的结构，有效减低了栅极绝缘薄膜(GateInsulator，简称GI)击穿，有效改善导电金属铜(Cu)扩散、静电释放(Electro-Staticdischarge，简称ESD)等问题，提高电压保持率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的阵列基板制备方法的流程示意图。图2a-图2f为本专利技术实施例的工艺制备流程示意图。图3为本专利技术实施例提供的阵列基板制备方法的另一流程示意图。图4a-图4i为本专利技术实施例提供的制备流程结构另一示意图。图5a-图5h为本专利技术实施例的制备流程结构示意图。图6为本专利技术实施例的阵列基板的侧面示意图。图7为本专利技术实施例的阵列基板的另一侧面示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。如图1所示，本专利技术提供的阵列基板制备方法，所述方法包括：S10，在基板上形成栅极金属层。S20，在所述栅极金属层上形成可分解层，其中所述可分解层在紫外线照射前和照射后具有不同的热分解温度。S30，在形成有所述可分解层的基板上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述可分解层。S40，对形成有所述第一绝缘层的基板进行紫外线处理。S50，对紫外线处理后的所述基板进行加热，其中在加热过程中所述可分解层产生分解，所述第一绝缘层和栅极金属层之间形成中空腔室。S60，在所述第一绝缘层上方形成源极和漏极。此方法制备的阵列基板，有效减低了阵列基板中的栅极绝缘薄膜击穿，有效改善导电金属铜扩散、静电释放等问题，提高电压保持率。实施例一图2a～图2f为本专利技术实施例提供的阵列基板的工艺制备流程图。如图2a所示，包括基板201，所述基板201上方制备有栅极金属层202。进一步的，所述栅极金属层202的导电材料为包括钼铝合金(Mo/Al/Mo)、钼铜合金(Cu/Mo)或者铜钛合金(Cu/Ti)中的一种或多种。如图2b所示，在所述栅极金属层202上形成有可分解层203。进一步的，所述可分解层203是一种正性光刻胶材料，故亦可通过正常的黄光制程形成所需的。其主要组成为：聚甲基乙撑碳酸酯(Polypropylenecarbonate，简称PPC)、光酸产生剂(PhotoAcidGenerator，简称PAG)、溶剂、以及添加剂、表面活性剂等。此外，此可分解层材料还有一性能：未经紫外光(Ultraviolet，简称UV)照射时，该可分解层材料的热分解温度在150-250℃之间。但经紫外光(UV)照射处理后，该可分解层材料203从50℃即可分解，到100℃时接近分解完全。如图2c所示，在形成有所述可分解层203的基板201上形成有第一绝缘层204，所述第一绝缘层204覆盖所述可分解层203。进一步的，该第一绝缘层204为有机绝缘膜层，所述有机绝缘膜层材料为阵列有机绝缘膜(PolymerFilmonArray，简称PFA)、亚克力树脂(PolymethylMethacrylate，简称PMMA)、硅氧烷树脂中的一种或者多种。如图2d所示，对包括所述第一绝缘层204的基板进行紫外光205照射；进一步的，该紫外光205对该第一绝缘层204起到的作用为：对第一绝缘层204进行漂白处理用以提升该第一绝缘层204的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：在基板上形成栅极金属层；在所述栅极金属层上形成可分解层，其中所述可分解层在紫外线照射前和照射后具有不同的热分解温度；在形成有所述可分解层的基板上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述可分解层；对形成有所述第一绝缘层的基板进行紫外线处理；对紫外线处理后的所述基板进行加热，其中在加热过程中所述可分解层产生分解，所述第一绝缘层和栅极金属层之间形成中空腔室；在所述第一绝缘层上方形成源极和漏极。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：在基板上形成栅极金属层；在所述栅极金属层上形成可分解层，其中所述可分解层在紫外线照射前和照射后具有不同的热分解温度；在形成有所述可分解层的基板上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述可分解层；对形成有所述第一绝缘层的基板进行紫外线处理；对紫外线处理后的所述基板进行加热，其中在加热过程中所述可分解层产生分解，所述第一绝缘层和栅极金属层之间形成中空腔室；在所述第一绝缘层上方形成源极和漏极。2.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述第一绝缘层为有机绝缘膜层，所述有机绝缘膜层材料为阵列有机绝缘膜、亚克力树脂、硅氧烷树脂中的一种或者多种；所述对紫外线处理后的所述基板进行加热的步骤包括：以230℃为加热温度，20-30分钟为加热时间对紫外线处理后的所述基板进行加热。3.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述第一绝缘层的材料包括氮硅化合物，所述第一绝缘层的厚度为所述对紫外线处理后的所述基板进行加热，包括：以大于或等于100℃的加热温度，对紫外线处理后的所述基板进行加热。4.根据权利要求3所述的阵列基板制备方法，其特征在于，在所述第一绝缘层上方形成源极和漏极之前...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘国和，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44