【技术实现步骤摘要】
离子注入装置及测定装置
本申请主张基于2018年2月8日申请的日本专利申请第2018-020944号的优先权。其申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。本专利技术涉及一种离子注入装置及测定装置。
技术介绍
半导体制造工序中,出于改变半导体的导电性的目的、改变半导体的晶体结构的目的等,标准性地实施向半导体晶圆注入离子的工序(也称为离子注入工序)。已知根据照射至晶圆的离子束的角度,离子束与晶圆的相互作用的方式发生变化,并影响离子注入的处理结果,因此在离子注入前测定离子束的角度分布。例如,利用沿狭缝宽度方向排列的多个电极来测定通过狭缝的射束的电流值,由此能够获得狭缝宽度方向的角度分布(例如,参考专利文献1)。专利文献1:日本特开2016-4614号公报为了准确掌握离子束的角度信息,不仅获得射束截面内的特定位置的角度分布,还优选获得射束捆束整体的角度分布。然而,为了测定射束捆束整体的角度分布,需要一边使狭缝沿横切射束的方向移动一边在射束截面内的多个位置测定角度,因此至测定结束为止需要时间。为了提高半导体制造工序的吞吐量,优选能够在更短的时间内评价射束的角度分布。本专利技术的一方式的例示性目的之一为,提供一种高速评价离子束的角度分布的技术。
技术实现思路
本专利技术的一方式的离子注入装置具备:束线装置,输送照射至晶圆的离子束;及测定装置,测定离子束的角度信息。测定装置包括:多个狭缝,使离子束入射;束电流测定部,设置于从多个狭缝沿射束行进方向分离的位置;及测定控制部。束电流测定部构成为在与射束行进方向正交的第1方向的位置不同的多个测定位置能够测定束电流,多个狭缝以第1方向 ...
【技术保护点】
1.一种离子注入装置,其特征在于,具备:束线装置,输送照射至晶圆的离子束;及测定装置,测定所述离子束的角度信息,所述测定装置包括:多个狭缝,使所述离子束入射;束电流测定部,设置于从所述多个狭缝沿射束行进方向分离的位置;及测定控制部,所述束电流测定部构成为能够在与所述射束行进方向正交的第1方向的位置不同的多个测定位置测定束电流,所述多个狭缝以所述第1方向与狭缝宽度方向一致的方式沿所述第1方向隔着间隔配置,且以沿所述第1方向能够移动的方式构成,所述测定控制部一边使所述多个狭缝沿所述第1方向移动,一边获取通过所述束电流测定部在所述第1方向的位置不同的多个测定位置测定的多个束电流值。
【技术特征摘要】
2018.02.08 JP 2018-0209441.一种离子注入装置,其特征在于,具备:束线装置,输送照射至晶圆的离子束;及测定装置,测定所述离子束的角度信息,所述测定装置包括:多个狭缝,使所述离子束入射;束电流测定部,设置于从所述多个狭缝沿射束行进方向分离的位置;及测定控制部,所述束电流测定部构成为能够在与所述射束行进方向正交的第1方向的位置不同的多个测定位置测定束电流,所述多个狭缝以所述第1方向与狭缝宽度方向一致的方式沿所述第1方向隔着间隔配置,且以沿所述第1方向能够移动的方式构成,所述测定控制部一边使所述多个狭缝沿所述第1方向移动,一边获取通过所述束电流测定部在所述第1方向的位置不同的多个测定位置测定的多个束电流值。2.根据权利要求1所述的离子注入装置,其特征在于,所述测定控制部根据所述多个狭缝的所述第1方向的位置及在所述第1方向的位置不同的多个测定位置测定的多个束电流值来计算所述离子束的射束捆束整体的所述第1方向的角度分布。3.根据权利要求1或2所述的离子注入装置,其特征在于,所述测定控制部根据所述多个狭缝的所述第1方向的位置及在所述第1方向的位置不同的多个测定位置测定的多个束电流值来计算所述离子束的所述第1方向的相位空间分布。4.根据权利要求1至3中任一项所述的离子注入装置,其特征在于,所述测定控制部一边使所述多个狭缝沿所述第1方向以与狭缝宽度相同的距离逐次移动一边获取在所述第1方向的位置不同的多个测定位置测定的多个束电流值。5.根据权利要求1至3中任一项所述的离子注入装置,其特征在于,所述测定控制部一边使所述多个狭缝沿所述第1方向以恒定速度移动一边获取在所述第1方向的位置不同的多个测定位置测定的多个束电流值。6.根据权利要求1至5中任一项所述的离子注入装置,其特征在于,所述测定控制部使所述多个狭缝移动与所述多个狭缝的所述第1方向的间隔相同的距离。7.根据权利要求1至6中任一项所述的离子注入装置,其特征在于,所述多个狭缝的所述第1方向的间隔为狭缝宽度的整数倍。8.根据权利要求1至7中任一项所述的离子注入装置,其特征在于,所述多个狭缝包括第1狭缝及与所述第1狭缝在所述第1方向上相邻设置的第2狭缝,所述多个狭缝的所述第1方向的间隔被设定为通过所述第2狭缝的所述离子束的第2部分不入射至能够测定通过所述第1狭缝的所述离子束的第1部分的一个以上的测定位置。9.根据权利要求1至8中任一项所述的离子注入装置,其特征在于,所述测定装置具备包括所述多个狭缝的一个射束屏蔽体。10.根据权利要求1至9中任一项所述的离子注入装置,其特征在于,所述多个狭缝包括分别配置于所述第1方向的两端的第1端部狭缝及第2端部狭缝,所述束电流测定部构成为在比所述第1端部狭缝至所述第2端部狭缝为止的所述第1方向的距离长的区间,能够在所述第1方向的位置不同的多个测定位置测定束电流。11.根据权利要求10所述的离子注入装置,其特征在于,所述束电流测定部构成为在比所述第1端部狭缝至所述第2端部狭缝为止的所述第1方向的距离和所述多个狭缝的所述第1方向的移动距离的合计长的区间,能够在所述第1方向的位置不同的多个测定位置测定束电流。12.根据权利要求1至11中任一项所述的离子注入装置,其特征在于,所述测定控制部当所述束电流测定部在所述多个测定位置中分别位于所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员:井门德安,狩谷宏行,大浦正英,
申请(专利权)人:住友重机械离子科技株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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