晶体硅太阳能电池组件制造技术

技术编号:21896336 阅读:40 留言:0更新日期:2019-08-17 16:17
本实用新型专利技术公开了一种晶体硅太阳能电池组件。该晶体硅太阳能电池组件包括以24行×6列的矩阵形式排列的144片晶体硅太阳能电池,所述晶体硅太阳能电池为长方形,且所述长方形的长边的延伸方向与所述矩阵的行的延伸方向相同,所述长方形的短边与所述长方形的长边的比率为0.530~0.850。本实用新型专利技术的晶体硅太阳能电池组件中,通过将所述长方形的短边与所述长方形的长边的比率设定为特定范围的值,可以实现晶体硅太阳能电池组件的功率的提升。

Crystalline Silicon Solar Cell Module

【技术实现步骤摘要】
晶体硅太阳能电池组件
本技术涉及一种晶体硅太阳能电池组件。
技术介绍
传统的晶体硅太阳能电池组件中,通常将多片整片的晶体硅太阳能电池(整片的晶体硅太阳能电池是指正方形的晶体硅太阳能电池)通过焊带相互连接,使焊带的一端连接至晶体硅太阳能电池的一面的电极,另一端连接至相邻晶体硅太阳能电池的另一面的电极,从而形成晶体硅太阳能电池的串列。然而,随着市场对高功率晶体硅太阳能电池组件的需求越来越高,传统晶体硅太阳能电池组件的功率已经很难达到这样高的需求。在专利文献1中公开了一种用于晶体硅太阳能电池串的高效配置(HighEfficiencyConfigurationForSolarCellString),其包含以重叠叠瓦形式布置的串联晶体硅太阳能电池。但是重叠叠瓦形式布置的晶体硅太阳能电池(其也可以被认为是晶体硅太阳能电池组件)存在其中一片晶体硅太阳能电池被另一片晶体硅太阳能电池遮挡的情况。而且专利文献1中使用的晶体硅太阳能电池的短边与长边的比率为1/3左右,因此,其整体提供的功率较低或者说功率还有待进一步提高。现有技术文献专利文献专利文献1:US20140124013A1
技术实现思路
本技术所要解决的问题在于提供一种可以以非遮挡形式制作的且具有较高的功率的晶体硅太阳能电池组件。为了解决上述技术问题,本技术提供以下的技术方案:晶体硅太阳能电池组件,其包括以24行×6列的矩阵形式排列的144片晶体硅太阳能电池,所述晶体硅太阳能电池为长方形,且所述长方形的长边的延伸方向与所述矩阵的行的延伸方向相同,所述长方形的短边与所述长方形的长边的比率为0.530~0.850。优选地,所述长方形的短边与所述长方形的长边的比率为0.530~0.560。优选地,所述长方形的短边与所述长方形的长边的比率为0.540~0.549。优选地,所述长方形的长边为156.0~160.0mm。优选地,所述144片晶体硅太阳能电池分为六组,每组具有24片晶体硅太阳能电池,其中每组的24片晶体硅太阳能电池以串联形式被电连接在一起,从而形成一串晶体硅太阳能电池。优选地,在每两串的48片晶体硅太阳能电池中,其中一串的24片晶体硅太阳能电池在以串联形式电连接之后,与另一串的24片晶体硅太阳能电池以并联形式电连接。优选地,其中两串的48片晶体硅太阳能电池在以并联形式电连接之后,与另外两串的48片晶体硅太阳能电池以串联形式电连接。优选地,所述每两串的48片晶体硅太阳能电池与1个二极管并联。优选地,每组的24片晶体硅太阳能电池以矩阵形式排列。本技术的晶体硅太阳能电池组件具有以下的技术效果:(1)通过将所述长方形的短边与所述长方形的长边的比率设定为特定的值,当以非遮挡形式制作(即晶体硅太阳能电池彼此之间不存在遮挡)时,可以实现晶体硅太阳能电池的功率提升。(2)工作电流低,从而产生的热斑温度低,具体而言,热斑温度可以低于140℃左右,甚至更低,可以满足使用要求。因为通常对于热斑温度的要求为低于160℃。附图说明图1为本技术的晶体硅太阳能电池组件的平面示意图。图2为表示本技术的晶体硅太阳能电池组件的第一种电连接方式的示意图。图3为表示本技术的晶体硅太阳能电池组件的第二种电连接方式的示意图。图中的附图标记分别表示:1晶体硅太阳能电池组件101晶体硅太阳能电池102二极管L长方形的长边W长方形的短边X矩阵的行的延伸方向Y矩阵的列的延伸方向具体实施方式请参见图1,图1为本技术的晶体硅太阳能电池组件的平面示意图。在图1中,本技术提供的晶体硅太阳能电池组件1包括以24行×6列的矩阵形式排列的144片晶体硅太阳能电池101,所述晶体硅太阳能电池101为长方形,且所述长方形的长边L的延伸方向与所述矩阵的行的延伸方向X相同,并且所述长方形的短边W与所述长方形的长边L的比率W/L为0.530~0.850。可选地,所述长方形的短边W与所述长方形的长边L的比率W/L的范围也可以为0.530~0.560,优选为0.540~0.549。通过将所述长方形的短边W与所述长方形的长边L的比率W/L设定为特定范围的值,并且结合特定的排列方式,可以实现晶体硅太阳能电池的功率提升,并且在特定的电连接方式中,可以保证晶体硅太阳能电池组件在运行中所产生的热斑温度低于160℃,甚至为140℃左右,从而保证晶体硅太阳能电池组件能够长期稳定地运行。当所述长方形的短边W与所述长方形的长边L的比率W/L小于0.53且通过排列较多片的晶体硅太阳能电池而形成晶体硅太阳能电池组件时,虽然晶体硅太阳能电池在串联起来之后的电流较小,不会导致较高的热斑效应中的热斑温度,然而需要排布较多片的晶体硅,在不使用叠瓦形式的排布方式的情况下,晶体硅太阳能电池彼此之间的间隔数量较多,从而导致晶体硅太阳能电池组件的面积增大,相应地,需要更大尺寸的制造用设备,例如边框安装机及层压机、以及EL测试仪等,最终体现为晶体硅太阳能电池组件的制造成本的上升。另外,在现有技术的半片形式的晶体硅太阳能电池组件中,晶体硅太阳能电池的短边与长边的比率为0.50左右,在按照本技术的图1的方式进行排布和制造时,就会存在组件输出功率低的问题。当所述长方形的短边W与所述长方形的长边L的比率W/L大于0.85且通过排列较少片的晶体硅太阳能电池而形成晶体硅太阳能电池组件时,晶体硅太阳能电池在串联起来之后的电流较大,会导致较高的热斑效应中的热斑温度,给该晶体硅太阳能电池组件的使用带来风险。在现有技术的整片形式的晶体硅太阳能电池组件中,晶体硅太阳能电池的短边与长边的比率为1左右(即正方形晶体硅太阳能电池),在按照本技术的图1的方式进行排布和制造时,其相对于本技术的晶体硅太阳能电池组件而言具有更高的热斑温度。因此本技术中,所述长方形的短边W与所述长方形的长边L的比率W/L为0.530~0.850。例如,所述长方形的短边W与所述长方形的长边L的比率W/L可以为0.530、0.540、0.550、0.560、0.570、0.580、0.590、0.600、0.650、0.700、0.750、0.800、0.840等。此外,考虑到与现有技术中的半片形式的晶体硅太阳能电池组件的制备用的设备相匹配,本技术中的所述长方形的短边W与所述长方形的长边L的比率W/L优选为0.560以下,更优选为0.550以下,更优选为0.540~0.549。而且,如果本技术中的所述长方形的短边W与所述长方形的长边L的比率W/L为0.560以下,尤其为0.550、0.540左右时,本技术的晶体硅太阳能电池组件,相对于现有技术中的长方形的短边W与所述长方形的长边L的比率W/L为0.5的情况而言,具有相同的晶体硅太阳能电池组件的宽度尺寸(即,大致为6个长方形的长边及2个边框的宽度),具有基本相同的晶体硅太阳能电池组件的长度尺寸(即,大致为24个长方形的短边的尺寸及2个边框的宽度),因此,在实际使用过程中,例如在排列多个晶体硅太阳能电池组件(成千上万个晶体硅太阳能电池组件)而形成太阳能电站的过程中,不需要改变电站设计形式,或者说不需要增加(或非常微小地增加)晶体硅太阳能电池组件彼此之间的间距就可以使用本技术的晶体硅太阳能电池组件。换言之,在其他本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.晶体硅太阳能电池组件,其包括以24行×6列的矩阵形式排列的144片晶体硅太阳能电池,所述晶体硅太阳能电池为长方形,且所述长方形的长边的延伸方向与所述矩阵的行的延伸方向相同,其特征在于,所述长方形的短边与所述长方形的长边的比率为0.530~0.850。

【技术特征摘要】
1.晶体硅太阳能电池组件,其包括以24行×6列的矩阵形式排列的144片晶体硅太阳能电池,所述晶体硅太阳能电池为长方形,且所述长方形的长边的延伸方向与所述矩阵的行的延伸方向相同,其特征在于,所述长方形的短边与所述长方形的长边的比率为0.530~0.850。2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池组件,其特征在于,所述长方形的短边与所述长方形的长边的比率为0.530~0.560。3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池组件,其特征在于,所述长方形的短边与所述长方形的长边的比率为0.540~0.549。4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池组件,其特征在于,所述长方形的长边为156.0~160.0mm。5.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池组件,其特征在于,所述144片晶体硅太阳能电池分...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈道远张凯李欣
申请(专利权)人:上海晶澳太阳能科技有限公司
类型:新型
国别省市:上海,31

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