一种铜铟镓硒CIGS组件及太阳能薄膜电池制造技术

本实用新型专利技术涉及太阳能电池技术领域，公开了一种铜铟镓硒CIGS组件及太阳能薄膜电池，该CIGS组件包括由N行×M列个芯片组成的芯片阵列，每一列芯片中的相邻两个芯片相互电连接，每个芯片包括负极区域和正极区域，每一列芯片中的第一个芯片的负极区域弯折到该芯片的背面，且弯折到芯片背面的区域为第一区域，该CIGS组件还包括设置在每一列芯片的第一区域中的第一粘结层，用以粘合第一区域所对应的负极区域和芯片背面；其中，第一粘结层由在常温下具有绝缘性的双面粘性材料形成。由于CIGS组件、太阳能薄膜电池使用了在常温下具有绝缘性的双面粘性材料替代现有技术中的SPS或APA，所以能够有效的降低生产成本、提高生产效率。

A CIGS Module of Copper, Indium, Gallium and Selenium and Solar Thin Film Cell

【技术实现步骤摘要】
一种铜铟镓硒CIGS组件及太阳能薄膜电池
本技术涉及太阳能电池
，特别涉及一种铜铟镓硒CIGS组件及太阳能薄膜电池。
技术介绍
在铜铟镓硒(CuInxGa(1-x)Se2，CIGS)组件封装制造过程中，需要对翻折负极后的芯片进行绝缘处理。由于芯片的基底是一层不锈钢衬底，芯片负极翻折到背面后，需要在芯片的负极与正极不锈钢衬底之间进行绝缘；而在芯片背后连接汇流条时，为避免汇流条与芯片的不锈钢衬底接触导致短路，也需要在汇流条与芯片的不锈钢衬底之间进行绝缘。目前，常规使用的方法是使用SPS(为沙林(Surlyn)树脂是乙烯-甲基丙烯酸为基的离子聚合物)或APA(为拜牢(Bynel)粘合树脂，共挤粘合树脂通常称为粘结层)材料进行绝缘。然而，由于SPS或APA材料的成本昂贵，且在常温条件下不具有粘性，需要使SPS或APA表面达到高温后才能产生粘性，故在太阳能薄膜电池组件的封装过程中，敷设SPS或APA时，需要使用电烙铁高温点焊固定SPS或APA，待芯片负极翻折到背面后，或汇流条敷设完后，再使用电烙铁在芯片负极和汇流条上高温点焊定位，以避免周转时偏移，这使得封装太阳能薄膜电池组件的操作较复杂。另外，由于SPS或APA与不锈钢之间高温点焊后粘性较小，若周转动作大则出现偏移的风险也较大，故在周转时都需要进行平行移动。由于SPS/APA高温点焊后，绝缘材料间或与芯片点焊处粘接性较强，若出现返工(用新的SPS/APA替换已焊接的SPS/APA)，则较难将SPS/APA取下，并且容易出现破损的现象。进一步的，在芯片串较多的产品中，比如某款产品，由25片小芯片串焊，长度1米以上，在芯片背后的汇流条需要从芯片负极引出到芯片正极。常规操作是在芯片搭接处粘贴胶带，依次共需贴24条，再从负极顶端到正极敷设一条SPS/APA绝缘材料，使用电烙铁高温点焊对SPS/APA进行定位，翻折芯片负极，点焊定位芯片负极及SPS。再在其上敷设汇流条，再通过在汇流条上高温点焊固定汇流条与SPS/APA。这使得封装太阳能薄膜电池组件的操作变得十分繁琐，且还需要辅助工装，耗费较多时间，造成生产效率低下。鉴于此，如何有效的降低封装CIGS组件的成本、提高生成效率，成为一个亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本技术提供了一种铜铟镓硒CIGS组件及太阳能薄膜电池，用于解决现有技术中存在的封装CIGS组件的成本较高、生产效率较低的技术问题。第一方面，为达到上述目的，本技术提供一种铜铟镓硒CIGS组件，所述CIGS组件包括由N行×M列个芯片组成的芯片阵列，其中，每一列芯片中的相邻两个芯片相互电连接，每个芯片包括负极区域和正极区域，每一列芯片中的第一个芯片的负极区域弯折到该芯片的背面，且弯折到所述芯片背面的区域为第一区域，所述N、M为非零自然数，所述CIGS组件还包括：设置在每一列芯片中第一个芯片背面的第一粘结层，所述第一粘结层位于所述第一区域，用以粘合所述第一区域所对应的负极区域和所述芯片背面；其中，所述第一粘结层由在常温下具有绝缘性的双面粘性材料形成。可选地，所述CIGS组件还包括：第一汇流条、第二汇流条分别设置为所述CIGS组件的正极、负极，用于向外供电；其中，所述第一汇流条、第二汇流条分别至少与所述芯片阵列中的一列芯片电连接；第三汇流条，设置在所述芯片阵列背面，用于电连接相邻两列芯片；其中，所述芯片阵列中第一列芯片与最后一列芯片也为相邻两列芯片。可选地，所述第三汇流条，包括：正极连接端、负极连接端，以及设置在所述正极连接端和所述负极连极端之间的连接部；所述正极连接端电连接相邻两列芯片中第一列芯片的第一个芯片的负极区域；所述负极连接端电连接相邻两列芯片中第二列芯片的最后一个芯片的正极区域；所述连接部通过第二粘结层固定在所述芯片阵列的背面，所述第二粘结层为在常温下具有绝缘性的双面粘性材料形成。可选地，所述第二粘结层在所述芯片阵列背面的正投影至少覆盖所述连接部在所述芯片阵列背面的正投影。可选地，所述第二粘结层在所述芯片阵列背面的正投影覆盖相邻两列芯片之间的过渡区域。可选地，第一粘结层或第二粘结层的厚度不大于100um。可选地，所述第一粘结层或第二粘结层包括绝缘材料制成的基底，以及设置在所述基底上下表面的粘胶剂；其中，所述绝缘材料为聚对苯二甲酸乙二酯PET或聚对苯二甲酸丁二酯PBT，所述粘胶剂为改性丙烯酸材料。可选地，位于所述过渡区域的第二粘结层为黑色。第二方面，本技术还提供一种太阳能薄膜电池，该太阳能薄膜电池包括：如第一方面所述的CIGS组件、与所述CIGS组件电连接的接线盒。在本技术提供的实施例中，在制造CIGS组件时，通过在芯片阵列的每一列芯片中第一个芯片背面，设置有在常温下具有绝缘性的双面粘性材料形成的第一粘结层，便可将每一列芯片中第一个芯片的负极区域进行弯折并按压负极区域，就能使第一个芯片背面的负极区域与芯片背面粘合在一起，并将正面的负极区域展示在芯片背面，从而可以不必像现有技术中那样使用SPS或APA进行粘合，进而能够有效的节约成本。并且，由于第一粘结层为常温下绝缘性的双面粘性材料形成的，所以也不必再像使用SPS或APA时需使用电烙铁高温电焊固定SPS或APA，从而能够有效的减少操作、提高生产效率。附图说明图1为本技术实施例提供的CIGS组件中芯片阵列的结构示意图；图2为本技术实施例提供的CIGS组件中每一芯片背面的结构示意图；图3为本技术实施例提供的CIGS组件中任一列芯片的第一个芯片的负极区域弯折到该芯片的背面的示意图；图4和图5为本技术实施例提供的CIGS组件中任一列芯片的第一个芯片中的第一区域的示意图；图6为本技术实施例提供的6×4的芯片阵列正面示意图；图7为本技术实施例提供的6×4的芯片阵列背面示意图；图8为本技术实施例提供的6×4的芯片阵列中每列芯片的第一个芯片的负极区域弯折后的背面示意图；图9和图10分别为本技术实施例提供的第一粘结层在6×4的芯片阵列中的示意图；图11为本技术实施例提供的第一汇流条、第二汇流条、第三汇流条在6×4的芯片阵列中的示意图；图12为本技术实施例提供的第一汇流条、第二汇流条的结构示意图；图13为本技术实施例提供的第三汇流条的结构示意图；图14为本技术实施例提供的第二粘结层在6×4的芯片阵列中的示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参考图1及图2，本技术提供一种铜铟镓硒CIGS组件1，该CIGS组件1包括由N行×M列个芯片11组成的芯片阵列，其中，每一列芯片中的相邻两个芯片相互电连接，每个芯片11包括负极区域111和正极区域112，其中，如图2所示，每一芯片11的正面包括负极区域111，背面包括正极区域112和负极区域111，每一列芯片中的第一个芯片处于正面的负极区域111部分弯折到该芯片的背面(请参见图3，图3为第一个芯片的负极区域弯折到该芯片的背面的示意图)，且弯折本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铜铟镓硒CIGS组件，所述CIGS组件包括由N行×M列个芯片组成的芯片阵列，其中，每一列芯片中的相邻两个芯片相互电连接，每个芯片包括负极区域和正极区域，每一列芯片中的第一个芯片的负极区域弯折到该芯片的背面，且弯折到所述芯片背面的区域为第一区域，所述N、M为非零自然数，其特征在于，所述CIGS组件还包括：设置在每一列芯片中第一个芯片背面的第一粘结层，所述第一粘结层位于所述第一区域，用以粘合所述第一区域所对应的负极区域和所述芯片背面；其中，所述第一粘结层由在常温下具有绝缘性的双面粘性材料形成。

【技术特征摘要】
1.一种铜铟镓硒CIGS组件，所述CIGS组件包括由N行×M列个芯片组成的芯片阵列，其中，每一列芯片中的相邻两个芯片相互电连接，每个芯片包括负极区域和正极区域，每一列芯片中的第一个芯片的负极区域弯折到该芯片的背面，且弯折到所述芯片背面的区域为第一区域，所述N、M为非零自然数，其特征在于，所述CIGS组件还包括：设置在每一列芯片中第一个芯片背面的第一粘结层，所述第一粘结层位于所述第一区域，用以粘合所述第一区域所对应的负极区域和所述芯片背面；其中，所述第一粘结层由在常温下具有绝缘性的双面粘性材料形成。2.如权利要求1所述的CIGS组件，其特征在于，所述CIGS组件还包括：第一汇流条、第二汇流条，分别设置为所述CIGS组件的正极、负极，用于向外供电；其中，所述第一汇流条、第二汇流条分别至少与所述芯片阵列中的一列芯片电连接；第三汇流条，设置在所述芯片阵列背面，用于电连接相邻两列芯片；其中，所述芯片阵列中第一列芯片与最后一列芯片也为相邻两列芯片。3.如权利要求2所述的CIGS组件，其特征在于，所述第三汇流条，包括：正极连接端、负极连接端，以及设置在所述正极连接端和所述负极连极端之间的连接部；所述正极连接端电连接相邻两列芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员：李秀，杨生，
申请(专利权)人：米亚索能光伏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11