硅片清洗装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及太阳能电池用硅片制绒清洗装置，具体涉及一种太阳电池基体硅片清洗装置。所述硅片清洗装置包括清洗槽，所述清洗槽包括浸泡槽和喷淋槽，所述浸泡槽和喷淋槽之间隔有隔液板；所述清洗槽中设有用于传送硅片的输送辊轮组，所述输送辊轮组依次穿过浸泡槽和喷淋槽，所述输送辊轮组包括上辊轮和下辊轮，所述输送辊轮组的上方和下方分别设有上喷头和下喷头。所述硅片清洗装置增加清洗时间，以充分洗净硅片表面残液。

Silicon wafer cleaning device

【技术实现步骤摘要】
硅片清洗装置
本技术涉及太阳能电池用硅片制绒清洗装置，具体涉及一种太阳电池基体硅片清洗装置。
技术介绍
太阳电池生产过程中，当使用P型硅作为电池基体材料时，在扩散过程中，磷和硅会在硅片表面形成一层化合物，我们称之为磷硅玻璃。这层物质会影响太阳光的入射，而且也会降低硅片表面和电极的接触性能，导致电池质量下降，所以需要去除这层磷硅玻璃。在实际生产中一般是利用稀氢氟酸溶液与磷硅化合物反应来去除磷硅玻璃，采用将硅片在清洗槽中浸泡的方式。现有的清洗设备提速后容易使得喷淋清洗时间不足从而不能充分清洗干净硅片，造成工艺质量异常。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的不足，本技术提供的一种硅片清洗装置，所述硅片清洗装置增加清洗时间，以充分洗净硅片表面残液。根据本技术提供的技术方案，一种硅片清洗装置，所述硅片清洗装置包括清洗槽，所述清洗槽包括浸泡槽和喷淋槽，所述浸泡槽和喷淋槽之间隔有隔液板；所述清洗槽中设有用于传送硅片的输送辊轮组，所述输送辊轮组依次穿过浸泡槽和喷淋槽，所述输送辊轮组包括上辊轮和下辊轮，所述输送辊轮组的上方和下方分别设有上喷头和下喷头。进一步地，位于所述浸泡槽中的输送辊轮组的上方设有用于喷射清洗液的上喷头；位于所述喷淋槽中的输送辊轮组的上方和下方分别设有用于喷射清洗液的上喷头和下喷头。进一步地，所述喷淋槽包括分别位于所述浸泡槽两侧的第一喷淋槽和第二喷淋槽，所述第一喷淋槽与浸泡槽之间设有第一隔板，浸泡槽与第二喷淋槽之间设有第二隔板；所述第一隔板和第二隔板的顶部分别开设有溢流口，所述第一喷淋槽和第二喷淋槽的中部分别开设有第一出流口和第二出流口。进一步地，所述浸泡槽中的液体平面高于所述喷淋槽中的液体平面。进一步地，位于所述浸泡槽中的输送辊轮组为向所述清洗槽槽底凹陷的形状。进一步地，浸泡槽中的液体平面高于输送辊轮组上的硅片所在的平面。进一步地，位于所述喷淋槽中的输送辊轮组处于同一水平面上。从以上所述可以看出，本技术提供的硅片清洗装置，与现有技术相比具备以下优点：位于所述浸泡槽中的输送辊轮组的上方设有用于喷射清洗液的上喷头；位于所述喷淋槽中的输送辊轮组的上方和下方分别设有用于喷射清洗液的上喷头和下喷头。所述喷淋槽中的喷淋头用于喷射清洗液至硅片的上下表面，对输送辊轮组上传送的硅片进行喷射清洗，所述浸泡槽用于储水浸泡硅片增加清洗时间，以充分洗净硅片表面残液。附图说明图1为本技术的结构示意图。100.清洗槽，110.浸泡槽，120.喷淋槽，121.第一喷淋槽，122.第二喷淋槽，130.隔液板，131.第一隔板，132.第二隔板，140.溢流口，151.第一出流口，152.第二出流口，200.输送辊轮组，210.上辊轮，220.下辊轮，310.上喷头，320.下喷头。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本技术进一步详细说明。其中相同的零部件用相同的附图标记表示。需要说明的是，下面描述中使用的词语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附图中的方向。使用的词语“内”和“外”分别指的是朝向或远离特定部件几何中心的方向。硅片清洗装置，如图1所示，所述硅片清洗装置包括清洗槽100，所述清洗槽100包括浸泡槽110和喷淋槽120，所述浸泡槽110和喷淋槽120之间隔有隔液板130；所述清洗槽100中设有用于传送硅片的输送辊轮组200，所述输送辊轮组200依次穿过浸泡槽110和喷淋槽120，所述输送辊轮组200包括上辊轮210和下辊轮220。位于所述浸泡槽110中的输送辊轮组200的上方设有用于喷射清洗液的上喷头310；位于所述喷淋槽120中的输送辊轮组200的上方和下方分别设有用于喷射清洗液的上喷头310和下喷头320。所述喷淋槽120中的喷淋头用于喷射清洗液至硅片的上下表面，对输送辊轮组200上传送的硅片进行喷射清洗，所述浸泡槽110用于储水浸泡硅片增加清洗时间，以充分洗净硅片表面残液。为了使得进一步地充分洗净硅片表面残液，所述喷淋槽120包括分别位于所述浸泡槽110两侧的第一喷淋槽121和第二喷淋槽122，所述第一喷淋槽121与浸泡槽110之间设有第一隔板131，浸泡槽110与第二喷淋槽122之间设有第二隔板132；所述第一隔板131和第二隔板132的顶部分别开设有溢流口140，所述第一喷淋槽121和第二喷淋槽122的中部分别开设有第一出流口151和第二出流口152。按照所述输送辊轮组200的输送方向，硅片能够依次经过第一喷淋槽121的喷射清洗，浸泡槽110的浸泡清洗和第二喷淋槽122的喷射清洗，两次喷射清洗加依次浸泡清洗一方面能够增加硅片的清洗时间，另一方面能够避免硅片表面腐蚀液的残留，达到充分清洗的目的。为了使得位于所述浸泡槽110中的硅片能够得到充分的浸泡清洗，所述浸泡槽110中的液体平面高于所述喷淋槽120中的液体平面。位于所述浸泡槽110中的输送辊轮组200为向所述清洗槽100槽底凹陷的形状。浸泡槽110中的液体平面高于输送辊轮组200上的硅片所在的平面。所述清洗槽100包括沿所述输送辊轮组200的输送方向依次设置的第一喷淋槽121、浸泡槽110和第二喷淋槽122，所述浸泡槽110与第一喷淋槽121之间设有第一隔板131，所述浸泡槽110与第二喷淋槽122之间设有第二隔板132，所述第一隔板131和第二隔板132的顶部分别开设有溢流口140，所述第一喷淋槽121和第二喷淋槽122的中部分别开设有第一出流口151和第二出流口152。所属领域的普通技术人员应当理解：以上所述仅为本技术的具体实施例而已，并不用于限制本技术，凡在本技术的主旨之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片清洗装置，其特征在于，所述硅片清洗装置包括清洗槽（100），所述清洗槽（100）包括浸泡槽（110）和喷淋槽（120），所述浸泡槽（110）和喷淋槽（120）之间隔有隔液板（130）；所述清洗槽（100）中设有用于传送硅片的输送辊轮组（200），所述输送辊轮组（200）依次穿过浸泡槽（110）和喷淋槽（120），所述输送辊轮组（200）包括上辊轮（210）和下辊轮（220），所述输送辊轮组（200）的上方和下方分别设有上喷头（310）和下喷头（320）。

【技术特征摘要】
1.一种硅片清洗装置，其特征在于，所述硅片清洗装置包括清洗槽（100），所述清洗槽（100）包括浸泡槽（110）和喷淋槽（120），所述浸泡槽（110）和喷淋槽（120）之间隔有隔液板（130）；所述清洗槽（100）中设有用于传送硅片的输送辊轮组（200），所述输送辊轮组（200）依次穿过浸泡槽（110）和喷淋槽（120），所述输送辊轮组（200）包括上辊轮（210）和下辊轮（220），所述输送辊轮组（200）的上方和下方分别设有上喷头（310）和下喷头（320）。2.如权利要求1所述的硅片清洗装置，其特征在于，位于所述浸泡槽（110）中的输送辊轮组（200）的上方设有用于喷射清洗液的上喷头（310）；位于所述喷淋槽（120）中的输送辊轮组（200）的上方和下方分别设有用于喷射清洗液的上喷头（310）和下喷头（320）。3.如权利要求1或2所述的硅片清洗装置，其特征在于，所述喷淋槽（120）包括分别位于所述浸泡槽（110）两侧的第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈玉，陈龙，
申请(专利权)人：无锡尚德太阳能电力有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32