线圈结构及其制作方法技术

技术编号:21896066 阅读:40 留言:0更新日期:2019-08-17 16:10
本发明专利技术提供一种线圈结构及其制作方法,所述线圈结构包括基板与第一线圈回路。基板具有第一表面。第一线圈回路配置于基板的第一表面上,其中第一线圈回路包括彼此相连以形成回路的多个线圈,各线圈的导线剖面为上窄下宽的梯形,且相邻的线圈之间的基板具有V字凹陷。

Coil structure and its fabrication method

【技术实现步骤摘要】
线圈结构及其制作方法
本专利技术涉及一种线圈结构及其制作方法。
技术介绍
随着科技不断的进步,市面上如数码相机或是具有拍照功能的手机、电玩游乐器、PDA…等图像获取装置已日渐普及化,其具有可随拍即看的便利功能,已成为大众在日常生活或工作上用来记录事物的便捷工具。然而,为了携带方便,消费者对于照相装置的尺寸要求朝向轻薄短小,因此如何进一步缩小照相装置中的线圈尺寸以及维持基材的刚性仍是本领域待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种线圈结构,其具有较小的线宽与线距。本专利技术提供一种线圈结构的制作方法,可制作出具有较小的线宽与线距的线圈结构。本专利技术的线圈结构包括基板与第一线圈回路。基板具有第一表面。第一线圈回路配置于基板的第一表面上,其中第一线圈回路包括彼此相连以形成回路的多个线圈,各线圈的导线剖面为上窄下宽的梯形,且相邻的线圈之间的基板具有V字凹陷。在本专利技术的一实施例中,上述的梯形的顶部与底部之间的尺寸差异介于5%-25%。在本专利技术的一实施例中,上述的V字凹陷的深度大于3微米。在本专利技术的一实施例中,还包括第一保护层,配置于第一线圈回路上。在本专利技术的一实施例中,还包括第二线圈回路,其中第二线圈回路配置于基板的与第一表面相对设置的第二表面上,且第一线圈回路与第二线圈回路电性连接。在本专利技术的一实施例中,还包括配置于基板中的通孔,其中第一线圈回路与第二线圈回路经由通孔电性连接。在本专利技术的一实施例中,还包括第二保护层,配置于第二线圈回路上。本专利技术的线圈结构的制作方法包括以下步骤。在基板的第一表面上形成第一导电层。在基板的第二表面上形成第二导电层,其中第二表面与第一表面相对。在基板中形成通孔。对第一导电层进行喷砂工艺、激光工艺或等离子体工艺,以移除部分第一导电层与部分基板,使得所留下的第一导电层包括第一线圈回路。对第二导电层进行喷砂工艺、激光工艺或等离子体工艺,以移除部分第二导电层与部分基板,使得所留下的第二导电层包括第二线圈回路,其中第一线圈回路与第二线圈回路经由通孔电性连接。在本专利技术的一实施例中,上述的激光工艺包括二氧化碳(CO2)激光工艺、紫外光(UV)激光工艺或皮秒(PICO)激光工艺。在本专利技术的一实施例中,上述的所留下的第一导电层还包括与第一线圈回路电性绝缘的第一残余部分。在本专利技术的一实施例中,上述的所留下的第二导电层还包括与第二线圈回路电性绝缘的第二残余部分。在本专利技术的一实施例中,还包括在第一线圈回路上形成第一保护层。在本专利技术的一实施例中,还包括在第二线圈回路上形成第二保护层。在本专利技术的一实施例中,上述的通孔的形成方法包括:在基板中形成贯孔;以及在贯孔中形成通孔。在本专利技术的一实施例中,上述的第一线圈回路包括彼此相连以形成回路的多个线圈,各线圈的导线剖面为上窄下宽的梯形。在本专利技术的一实施例中,上述的第一线圈回路包括彼此相连以形成回路的多个线圈,相邻的线圈之间的基板具有V字凹陷。在本专利技术的一实施例中,上述的第二线圈回路包括彼此相连以形成回路的多个线圈,各线圈的导线剖面为上窄下宽的梯形。在本专利技术的一实施例中,上述的第二线圈回路包括彼此相连以形成回路的多个线圈,相邻的线圈之间的基板具有V字凹陷。基于上述,在本专利技术实施例中,通过喷砂工艺、激光工艺或等离子体工艺移除部分导电层,以于基板上形成具有较小线宽与线距的线圈回路。如此一来,可大幅缩减线圈回路的体积,以在有限基板面积下增加线圈的圈数。此外,除了形成线圈回路以外,上述工艺还可以进一步于基板上保留与线圈回路绝缘的残余导电层。如此一来,能提升基板的刚性,以避免发生翘曲(warpage)等现象发生。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。附图说明图1A至图1D是依照本专利技术的一实施例的一种线圈结构的制作方法的剖面示意图;图2A与图2B分别是依照本专利技术的一实施例的一种线圈结构的上视示意图;图3是依照本专利技术的一实施例的一种线圈结构的上视示意图;图4是依照本专利技术的一实施例的一种线圈结构的上视示意图。具体实施方式图1A至图1D是依照本专利技术的一实施例的一种线圈结构的制作方法的剖面示意图。图2A与图2B分别是依照本专利技术的一实施例的一种线圈结构的上视示意图。请参照图1A,在基板102的第一表面102a上形成第一导电层104。在本实施例中,基板102例如是可挠性基板或硬质基板,其中可挠性基板的材质例如是聚对苯二甲酸乙烯酯(Polyethyleneterephthalate,PET)、聚乙烯(polyethylene,PE)、聚酰亚胺(polyimide,PI)或其他合适的材质,硬质基板的材质例如包括金属基材、陶瓷、FR-4、FR-5或者双顺丁烯二酸酰亚胺(Bismaleimide-Triazine,BT)、环氧树脂、玻璃纤维或其他合适的材质。基板102的厚度例如是25微米至150微米。在本实施例中,第一导电层104的材质例如包括钛铜复合层、铜、钛、钯、银、镍、锡等或其所组群组之一。第一导电层104的厚度例如是12微米-35微米。第一导电层104的形成方法例如是化学镀、电镀或其他合适的方法。在本实施例中,还包括在基板102的第二表面102b上形成第二导电层106,其中第二表面102b与第一表面102a相对。第二导电层106的材质、厚度以及形成方法可以参照第一导电层104中所述,于此不赘述。在其他实施例中,基板102也可以是已形成有第一导电层104与第二导电层106(诸如铜箔等金属箔)的市售基板。请参照图1B,接着,在基板102中形成通孔112,以电性连接第一导电层104与第二导电层106。在本实施例中,形成通孔112的方法包括以下步骤。首先,形成贯孔110,以贯穿第一导电层104、第二导电层106以及位于两者之间的基板102。在本实施例中,贯孔110的形成方法例如是机械钻孔、激光钻孔或其他合适的方法。贯孔110的直径例如是50微米至200微米。接着,对基板102进行电镀工艺,以于贯孔110的侧壁上形成通孔112。在本实施例中,通孔112例如是通孔环,其形成贯孔110的侧壁上于但未填满贯孔110。在本实施例中,通孔环的厚度例如是大于3微米。通孔112的材质例如包括钛铜复合层、铜、钛、钯、银、镍、锡等或其所组群组之一。在本实施例中,电镀工艺例如会同时增加第一导电层104与第二导电层106的厚度,换言之,部分第一导电层104、部分第二导电层106以及通孔112一并形成。在另一实施例中(未示出),在形成通孔112时,可以在第一导电层104与第二导电层106上施加遮罩层,如此可以避免电镀工艺同时作用于第一导电层104与第二导电层106上,以保持第一导电层104与第二导电层106的原本厚度。在本实施例中,是以先于基板102上形成第一导电层104、第二导电层106,再形成贯孔110为例,但本专利技术不以此为限,在其他实施例中,也可以先于基板102中形成贯孔110,再同时形成第一导电层104、第二导电层106以及通孔112。请同时参照图1C与图2A,然后,对第一导电层104进行喷砂工艺、激光工艺或等离子体工艺,以移除部分第一导电层104,使得所留下的第一导电层104包括第一线圈回路120。具体而言,先形成图案定义迹线,此图案定义迹线形成后续第一线圈回路120之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种线圈结构,其特征在于,包括:基板,具有第一表面;以及第一线圈回路,配置于所述基板的所述第一表面上,其中所述第一线圈回路包括彼此相连以形成回路的多个线圈,各所述线圈的导线剖面为上窄下宽的梯形,且相邻的所述线圈之间的所述基板具有V字凹陷。

【技术特征摘要】
1.一种线圈结构,其特征在于,包括:基板,具有第一表面;以及第一线圈回路,配置于所述基板的所述第一表面上,其中所述第一线圈回路包括彼此相连以形成回路的多个线圈,各所述线圈的导线剖面为上窄下宽的梯形,且相邻的所述线圈之间的所述基板具有V字凹陷。2.根据权利要求1所述的线圈结构,其中所述梯形的顶部与底部之间的尺寸差异介于5%-25%。3.根据权利要求1所述的线圈结构,其中所述V字凹陷的深度大于3微米。4.根据权利要求1所述的线圈结构,还包括第一保护层,配置于所述第一线圈回路上。5.根据权利要求1所述的线圈结构,还包括第二线圈回路,其中所述第二线圈回路配置于所述基板的与所述第一表面相对设置的第二表面上,且所述第一线圈回路与所述第二线圈回路电性连接。6.根据权利要求5所述的线圈结构,还包括配置于所述基板中的通孔,其中所述第一线圈回路与所述第二线圈回路经由所述通孔电性连接。7.根据权利要求5所述的线圈结构,还包括第二保护层,配置于所述第二线圈回路上。8.一种线圈结构的制作方法,其特征在于,包括:在基板的第一表面上形成第一导电层;在所述基板的第二表面上形成第二导电层,其中所述第二表面与所述第一表面相对;在所述基板中形成通孔;对所述第一导电层进行喷砂工艺、激光工艺或等离子体工艺,以移除部分所述第一导电层与部分所述基板,使得所留下的所述第一导电层包括第一线圈回路;以及对所述第二导电层进行喷砂工艺、激光工艺或等离子体工艺,以移除部分所述第二导电层与部分所述基板,使得所留下的所述第二导电层...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄钦盈林昱宏
申请(专利权)人:盈成科技有限公司立佳有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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