一种使用存储器的模式寄存器命令编程反熔丝的方法技术

本发明专利技术公开了一种使用存储器的模式寄存器命令编程反熔丝的方法，包括接收某一模式寄存器命令，其中某一模式寄存器命令进入反熔丝编程命令界面接口，向反熔丝编程命令接口接收一个或多个反熔丝命令；将反熔丝命令作为接收到的一个或多个反熔丝命令的功能，最后熔断存储器的一个或多个反熔丝。通过上述，本发明专利技术通过接受某一模式寄存器命令，使编程电压加到一个或多个需要熔断的反熔丝上一定量的时间，如果这个一定量的时间小于需要熔断的熔丝所需的一定量的时间，还可以发出时钟停止命令提供额外的时间将编程电压加到一个或多个需要熔断的反熔丝，熔断步骤完成之后，进一步验证一个或多个熔丝是否成功熔断，并将验证结果输出到外部焊盘，便于观察。

A Method of Programming Antifuse Using Memory Mode Register Command

【技术实现步骤摘要】
一种使用存储器的模式寄存器命令编程反熔丝的方法
本专利技术涉及动态随机存储器的
，特别是涉及一种使用存储器的模式寄存器命令编程反熔丝的方法，属于存储器内部的反熔丝编程。
技术介绍
反熔丝在当前集成电路中广泛运用，可以选择性地将器件从电路的其他部分连接，以及提供逻辑操作。反熔丝在未熔断时是不导电的，而在熔断后变为电阻很小的导体，从而形成电连接，允许原本电学隔离的两个器件进行电学连接。半导体存储器（如动态随机存取存储器DRAM）中的单个存储单元功能不正常，则可认为该存储器存在缺陷。然而，如果有相对较少的存储单元出现故障，将整个存储器视为有缺陷可能是不合理的。因此，可以在存储器中包含一个或多个冗余存储单元。冗余存储器单元可在功能上取代有缺陷的存储器单元，使得存储器可被视为不存在缺陷，从而提高存储器的良率。使用冗余存储器单元的修复过程可以通过交换相应的地址来用冗余存储器单元替换有缺陷的存储器单元。例如，如果在晶圆加工后的测试中检测到一个有缺陷的存储单元，则可以将该有缺陷存储单元的对应地址转换为冗余存储单元的地址。因此，发送到有缺陷的存储器单元的地址信号可以被转移到冗余存储器单元。通常，可以使用反熔丝电路来执行上述修复过程。另外反熔丝电路还可以用来调整动态随机存储器DRAM（或者其它电路）电路的逻辑选项，如模拟电压和交流时序的调整等。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种使用存储器的模式寄存器命令编程反熔丝的方法，通过接受某一模式寄存器命令，使编程电压加到一个或多个需要熔断的反熔丝上一定量的时间，如果这个一定量的时间小于需要熔断的熔丝所需的一定量的时间，还可以发出时钟停止命令提供额外的时间将编程电压加到一个或多个需要熔断的反熔丝，熔断步骤完成之后，进一步验证一个或多个熔丝是否成功熔断，并将验证结果输出到外部焊盘，便于观察。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供了一种使用存储器的模式寄存器命令编程反熔丝的方法，包括接收某一模式寄存器命令，其中某一模式寄存器命令进入反熔丝编程命令界面接口，向反熔丝编程命令接口接收一个或多个反熔丝命令；将反熔丝命令作为接收到的一个或多个反熔丝命令的功能，最后熔断存储器的一个或多个反熔丝。在本专利技术一个较佳实施例中，所述的熔断时选择一个模式寄存器命令，编程电压被应用到熔断的一个或多个反熔丝。在本专利技术一个较佳实施例中，所述的选择一个模式寄存器的命令时，编程电压加到一个或多个需要熔断的反熔丝上一定量的时间，如果这个一定量的时间小于需要熔断的熔丝所需的一定量的时间，发出时钟停止命令提供额外的时间将编程电压加到一个或多个需要熔断的反熔丝。在本专利技术一个较佳实施例中，所述的反熔丝熔断之后，验证需要熔断的一个或多个反熔丝是否成功熔断。在本专利技术一个较佳实施例中，所述的验证反熔丝是否成功熔断的方法，包括以下步骤：a、驱动某一电流通过熔断后的一个或多个反熔丝，产生实测的熔丝电流；b、产生参考电流，其中参考电流是预定义的，以匹配理想的熔丝电流；c、通过比较实测熔丝电流和理想熔丝电流，验证一个或多个熔丝的是否成功熔断。在本专利技术一个较佳实施例中，使用电压比较器将实测熔丝电流和理想熔丝电流转换为电压差，并将电压差输出到外部焊盘或者设备，以验证一个或多个反熔丝是否正确熔断。在本专利技术一个较佳实施例中，所述的存储器采用半导体存储器，存储器的核心由多个存储块组成。本专利技术的有益效果是：本专利技术的使用存储器的模式寄存器命令编程反熔丝的方法，通过接受某一模式寄存器命令，使编程电压加到一个或多个需要熔断的反熔丝上一定量的时间，如果这个一定量的时间小于需要熔断的熔丝所需的一定量的时间，还可以发出时钟停止命令提供额外的时间将编程电压加到一个或多个需要熔断的反熔丝，熔断步骤完成之后，进一步验证一个或多个熔丝是否成功熔断，并将验证结果输出到外部焊盘，便于观察。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：图1展示了本申请具有存储子块的存储器的实施例；图2展示了本专利技术存储器的数据通路；图3展示了一个表，其中列出了本公开的存储器的命令引脚；图4展示了本申请的存储器的时钟信号和命令信号的图形；图5展示了本申请的存储器的时钟和数据信号的图形；图6展示了反熔丝的编程电路图；图7展示了本申请的存储器的测试寄存器编程的框图；图8展示了一个框图，用于确定反熔丝是否熔断。具体实施方式下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例包括：一种使用存储器的模式寄存器（MR）命令编程反熔丝的方法，包括接收某一模式寄存器命令，其中某一模式寄存器命令进入反熔丝编程命令界面接口，向反熔丝编程命令接口接收一个或多个反熔丝命令；将反熔丝命令作为接收到的一个或多个反熔丝命令的功能，最后熔断存储器的一个或多个反熔丝。所述的熔断时选择一个模式寄存器命令，编程电压被应用到熔断的一个或多个反熔丝。其中，所述的选择一个模式寄存器的命令时，编程电压加到一个或多个需要熔断的反熔丝上一定量的时间，如果这个一定量的时间小于需要熔断的熔丝所需的一定量的时间，发出时钟停止命令提供额外的时间将编程电压加到一个或多个需要熔断的反熔丝。最后，所述的反熔丝熔断之后，验证需要熔断的一个或多个反熔丝是否成功熔断。上述中，所述的验证反熔丝是否成功熔断的方法，包括以下步骤：a、驱动某一电流通过熔断后的一个或多个反熔丝，产生实测的熔丝电流；b、产生参考电流，其中参考电流是预定义的，以匹配理想的熔丝电流；c、通过比较实测熔丝电流和理想熔丝电流，验证一个或多个熔丝的是否成功熔断。进一步的，使用电压比较器将实测熔丝电流和理想熔丝电流转换为电压差，并将电压差输出到外部焊盘或者设备，以验证一个或多个反熔丝是否正确熔断。本实施例中，所述的存储器采用半导体存储器，如DRAM（动态随机存储器），具有多个存储块的区域。这些存储块的区域可以称为存储核心。一个典型的DRAM可以包含八个或更多的存储块，例如块0、块1等。存储器的核心由多个存储块组成，例如存储器的核心由8个或8个以上的存储块组成。每个所述的存储块包括位线、字线、存储单元、位线检测放大器、局部和全局行解码器、列解码器等。其中，每个存储块都可以响应对该存储块的数据读/写命令。图1展示了本专利技术具有存储子块的存储器框图。本专利技术的存储器包括一个命令块10，存储核心12，DQ(输入/输出)14，数据读写通道22和24。命令块10包含命令和地址的输入。存储核心12包括8个储存块：存储块0,1,2,3,4,5,6,7。每个存储块分为上半子块和下半子块。0-7存储块按4x4阵列排列。0-7存储块的上半子块布置在4x4阵列的上半部分，即阵列的第1行和第2行。0-7存储块的下半子块布置在4x4阵列的下半部分，即阵列的第3行和第4行。数据读写通道通道22在4x4阵列本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种使用存储器的模式寄存器命令编程反熔丝的方法，其特征在于，包括接收某一模式寄存器命令，其中某一模式寄存器命令进入反熔丝编程命令界面接口，向反熔丝编程命令接口接收一个或多个反熔丝命令；将反熔丝命令作为接收到的一个或多个反熔丝命令的功能，最后熔断存储器的一个或多个反熔丝。

【技术特征摘要】
1.一种使用存储器的模式寄存器命令编程反熔丝的方法，其特征在于，包括接收某一模式寄存器命令，其中某一模式寄存器命令进入反熔丝编程命令界面接口，向反熔丝编程命令接口接收一个或多个反熔丝命令；将反熔丝命令作为接收到的一个或多个反熔丝命令的功能，最后熔断存储器的一个或多个反熔丝。2.根据权利要求1所述的使用存储器的模式寄存器命令编程反熔丝的方法，其特征在于，所述的熔断时选择一个模式寄存器命令，编程电压被应用到熔断的一个或多个反熔丝。3.根据权利要求2所述的使用存储器的模式寄存器命令编程反熔丝的方法，其特征在于，所述的选择一个模式寄存器的命令时，编程电压加到一个或多个需要熔断的反熔丝上一定量的时间，如果这个一定量的时间小于需要熔断的熔丝所需的一定量的时间，发出时钟停止命令提供额外的时间将编程电压加到一个或多个需要熔断的反熔丝。4.根据权利要求1所述的使用存储器的模式寄存器命...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴君，张学渊，朱光伟，
申请(专利权)人：苏州汇峰微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32