芯片内置电路板、组合传感器及电子设备制造技术

本实用新型专利技术公开一种芯片内置电路板、应用该芯片内置电路板的组合传感器及应用该组合传感器的电子设备。其中，芯片内置电路板包括基体电路板、第一ASIC芯片及第二ASIC芯片，所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片间隔地设于所述基体电路板中，所述基体电路板于所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片之间开设有抗干扰孔。本实用新型专利技术的技术方案旨在减弱芯片内置电路板中相邻两芯片之间的电磁干扰。

Chip Built-in Circuit Board, Composite Sensor and Electronic Equipment

【技术实现步骤摘要】
芯片内置电路板、组合传感器及电子设备
本技术涉及传感器
，特别涉及一种芯片内置电路板、应用该芯片内置电路板的组合传感器及应用该组合传感器的电子设备。
技术介绍
传感器作为检测器件，已普遍应用在手机、笔记本电脑、平板电脑以及穿戴设备之中。近年来，随着科技的快速发展，微机电系统(MEMS，Micro-Electro-MechanicalSystem)应运而生。基于微机电系统(MEMS)技术，将多个传感器集成封装在一起，使其同时工作，以实现多个功能，也逐渐成为行业内的主流研究方向。在这之中，为了节省空间，普遍会采用芯片内置电路板，即将多个传感器的ASIC(ApplicationSpecificIntegratedCircuit，专用集成电路)芯片采用埋入的方式预先封装于基体电路板中，之后再与多个MEMS芯片进行封装，以得到组合传感器。但是，由于基体电路板体积较小，封装后相邻两ASIC芯片之间间距较小，彼此之间容易产生电磁干扰，致使产品性能降低。
技术实现思路
本技术的主要目的是提供一种芯片内置电路板，旨在减弱芯片内置电路板中相邻两芯片之间的电磁干扰。为实现上述目的，本技术提出的芯片内置电路板包括基体电路板、第一ASIC芯片及第二ASIC芯片，所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片间隔地设于所述基体电路板中，所述基体电路板于所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片之间开设有抗干扰孔。在本技术一实施例中，定义所述抗干扰孔距所述第一ASIC芯片的距离为L1，0.1mm≤L1≤0.5mm。在本技术一实施例中，定义所述抗干扰孔距所述第二ASIC芯片的距离为L2，0.1mm≤L2≤0.5mm。在本技术一实施例中，定义所述抗干扰孔于所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片排列方向上的宽度为D，0.8mm≤D≤1mm。在本技术一实施例中，所述抗干扰孔的横截面的形状为圆形、椭圆形、正方形、长方形、菱形或平行四边形。在本技术一实施例中，所述抗干扰孔设有若干，若干所述抗干扰孔依次排列，所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片分别位于若干所述抗干扰孔排列方向的两侧。在本技术一实施例中，定义任意两相邻的所述抗干扰孔之间的距离中的最小值为d，0.5mm≤d≤1mm。在本技术一实施例中，所述抗干扰孔呈长条形设置，所述抗干扰孔的两端分别朝向所述基体电路板的两侧边延伸设置。本技术还提出一种组合传感器，包括：芯片内置电路板，所述芯片内置电路板包括基体电路板、第一ASIC芯片及第二ASIC芯片，所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片间隔地设于所述基体电路板中，所述基体电路板于所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片之间开设有抗干扰孔；第一MEMS芯片，设于所述芯片内置电路板的表面，并与所述第一ASIC芯片电性连接；第二MEMS芯片，设于所述芯片内置电路板的表面，并与所述第一MEMS芯片间隔设置，所述第二MEMS芯片与所述第二ASIC芯片电性连接；罩壳，所述罩壳罩设于所述芯片内置电路板的表面，所述第一MEMS芯片和所述第二MEMS芯片位于所述罩壳内。本技术还提出一种电子设备，该电子设备包括组合传感器，该组合传感器包括：芯片内置电路板，所述芯片内置电路板包括基体电路板、第一ASIC芯片及第二ASIC芯片，所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片间隔地设于所述基体电路板中，所述基体电路板于所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片之间开设有抗干扰孔；第一MEMS芯片，设于所述芯片内置电路板的表面，并与所述第一ASIC芯片电性连接；第二MEMS芯片，设于所述芯片内置电路板的表面，并与所述第一MEMS芯片间隔设置，所述第二MEMS芯片与所述第二ASIC芯片电性连接；罩壳，所述罩壳罩设于所述芯片内置电路板的表面，所述第一MEMS芯片和所述第二MEMS芯片位于所述罩壳内。本技术的技术方案，基体电路板的位于第一ASIC芯片和第二ASIC芯片之间的区域中开设有抗干扰孔，从而在第一ASIC芯片和第二ASIC芯片之间增加了“空气屏蔽区域”，该“空气屏蔽区域”可以有效地将第一ASIC芯片和第二ASIC芯片进行隔离，降低芯片间信号的串扰，即减弱芯片内置电路板中相邻两芯片之间的电磁干扰，进而较大程度地抑制电磁噪声，大大提高系统的抗干扰能力，提升应用有本技术芯片内置电路板的产品性能。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。图1为本技术组合传感器一实施例的结构示意图；图2为图1中组合传感器的芯片内置电路板的俯视图；图3为本技术芯片内置电路板另一实施例的俯视图。附图标号说明：标号名称标号名称100组合传感器17抗干扰孔10芯片内置电路板30第一MEMS芯片11基体电路板50第二MEMS芯片13第一ASIC芯片70罩壳15第二ASIC芯片本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。需要说明，本技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。另外，在本技术中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。另外，本技术各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本技术要求的保护范围之内。本技术提出一种芯片内置电路板10，该芯片内置电路板10应用于组合传感器100之中，旨在减弱芯片内置电路板10中相邻两芯片之间的电磁干扰，提升应用有本技术芯片内置电路板10的产品性能。以下将就本技术芯片内置电路板10的具体结构进行说明，并以芯片内置电路板10水平放置为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片内置电路板，其特征在于，包括基体电路板、第一ASIC芯片及第二ASIC芯片，所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片间隔地设于所述基体电路板中，所述基体电路板于所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片之间开设有抗干扰孔。

【技术特征摘要】
1.一种芯片内置电路板，其特征在于，包括基体电路板、第一ASIC芯片及第二ASIC芯片，所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片间隔地设于所述基体电路板中，所述基体电路板于所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片之间开设有抗干扰孔。2.如权利要求1所述的芯片内置电路板，其特征在于，定义所述抗干扰孔距所述第一ASIC芯片的距离为L1，0.1mm≤L1≤0.5mm。3.如权利要求2所述的芯片内置电路板，其特征在于，定义所述抗干扰孔距所述第二ASIC芯片的距离为L2，0.1mm≤L2≤0.5mm。4.如权利要求1所述的芯片内置电路板，其特征在于，定义所述抗干扰孔于所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片排列方向上的宽度为D，0.8mm≤D≤1mm。5.如权利要求1所述的芯片内置电路板，其特征在于，所述抗干扰孔的横截面的形状为圆形、椭圆形、正方形、长方形、菱形或平行四边形。6.如权利要求1至5中任一项所述的芯片内置电路板，其特征在于，所述抗干扰孔设有若干，若...

【专利技术属性】
技术研发人员：王德信，邱文瑞，杨军伟，潘新超，端木鲁玉，
申请(专利权)人：歌尔股份有限公司，
类型：新型
国别省市：山东,37