一种钴铬金属电解质等离子抛光用抛光液制造技术

本发明专利技术公开了一种钴铬金属电解质等离子抛光用抛光液，按重量份计，其制备原料包含：硫酸盐5～15份、有机酸0.1～2份、水150～300份；本发明专利技术提供的钴铬金属电解质等离子抛光用抛光液专门针对钴铬金属加工件开发，加工操作不会影响需抛光金属配件在特定的领域的应用性能，抛光后加工件明亮有光泽，表面光滑无沙点，且加工效率提高，不会对工件造成损害，如烧黑、缺口等现象。

A polishing solution for plasma polishing of cobalt-chromium metal electrolyte

【技术实现步骤摘要】
一种钴铬金属电解质等离子抛光用抛光液
本专利技术涉及金属加工领域，尤其涉及一种钴铬金属电解质等离子抛光用抛光液。
技术介绍
电解质等离子抛光技术是一种“绿色”高质高效抛光金属工作的特种加工方法，一般用于工业制造方面的抛光，主要加工产品为不锈钢，其中抛光液为低浓度的盐溶液，最为常见的材料为硫酸铵(NH4)2SO4溶液，硫酸铵属于弱酸性，易溶于水，有良好的导电性，是化肥的主要构成部分，以硫酸铵为主要成分的抛光液不会造成环境污染等问题。随着加工产品的多样化，现有的抛光液并不能适应全部的加工产品，例如钴铬金属。钴铬金属是一种耐磨损、耐腐蚀、耐高温氧化的硬质合金，被广泛用于生物医疗，尤其是口腔医学，以及其他工业领域。对于钴铬金属的加工产品，使用硫酸铵组成的盐溶液，加工出来的产品会出现表面光亮差、不光滑的情况，而通过延长加工时间提高抛光效果后，其结果依然不够理想，甚至会造成工件的损坏，如烧黑、缺口现象等。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术的第一方面提供了一种钴铬金属电解质等离子抛光用抛光液，按重量份计，其制备原料包含：硫酸盐5～15份、有机酸0.1～2份、水150～300份。作为一种优选的技术方案，所述硫酸盐选自硫酸钾、硫酸铵、硫酸钙、硫酸镁、硫酸钡、硫酸钠中的一种或多种的混合。作为一种优选的技术方案，所述硫酸盐为硫酸钾和硫酸铵，且硫酸钾与硫酸铵的重量比为1：(2～3)。作为一种优选的技术方案，所述有机酸选自柠檬酸、苹果酸、酒石酸、抗坏血酸、甲酸、乙酸、草酸、琥珀酸中的一种或多种的混合。作为一种优选的技术方案，所述柠檬酸为无水柠檬酸和/或一水柠檬酸。作为一种优选的技术方案，所述柠檬酸为一水柠檬酸。作为一种优选的技术方案，所述硫酸盐与有机酸的重量比为(6～9)：1。作为一种优选的技术方案，所述硫酸盐与水的重量比为1：(25～35)。本专利技术的第二方面提供了一种上述的钴铬金属电解质等离子抛光用抛光液的制备方法，包含以下步骤：将硫酸盐与有机酸于室温下机械共混均匀，再置于水中搅拌溶解，即得抛光液。本专利技术的第三方面提供了一种上述的钴铬金属电解质等离子抛光用抛光液的使用方法，包含以下步骤：将抛光液加入电解质等离子抛光机的抛光槽中，加热至93～98℃，再将连接直流电源的钴铬金属工件放入抛光液，抛光电压为330～380V，抛光时间为500～700秒，取出钴铬金属工件，抛光结束。有益效果：本专利技术提供的一种钴铬金属电解质等离子抛光用抛光液专门针对钴铬金属加工件开发，加工操作不会影响需抛光金属配件在特定的领域的应用性能，抛光后加工件明亮有光泽，表面光滑无沙点，且加工效率提高，不会对工件造成损害，如烧黑、缺口等现象。附图说明为了进一步解释说明本专利技术中提供的一种钴铬金属电解质等离子抛光用抛光液的有益效果，提供了相应的附图，需要指出的是本专利技术中提供的附图只是所有附图中选出来的个别示例，目的也不是作为对权利要求的限定，所有通过本申请中提供的附图获得的其他相应图谱均应该认为在本申请保护的范围之内。图1为将本申请实施例1用于抛光钴铬金属加工件的效果，为抛光后的钴铬金属加工件以及局部放大图。图2为将本申请实施例2用于抛光钴铬金属加工件的效果，左侧为抛光前的钴铬金属加工件，右侧为抛光后的钴铬金属加工件。图3为将本申请实施例3用于抛光钴铬金属加工件的效果，标记处为工件抛光后出现的烧黑现象。图4为将本申请实施例4用于抛光钴铬金属加工件的效果，左上为抛光前的钴铬金属加工件反面，右上侧为抛光后的钴铬金属加工件反面以及局部放大图，左下为抛光前的钴铬金属加工件正面，右上侧为抛光后的钴铬金属加工件正面。图5为将本申请实施例5用于抛光钴铬金属加工件的效果，左上为抛光前的钴铬金属加工件反面，右上侧为抛光后的钴铬金属加工件反面，左下为抛光前的钴铬金属加工件正面，右上侧为抛光后的钴铬金属加工件正面。图6为将本申请实施例6用于抛光钴铬金属加工件的效果，左上为抛光前的钴铬金属加工件反面，右上侧为抛光后的钴铬金属加工件反面，左下为抛光前的钴铬金属加工件正面，右上侧为抛光后的钴铬金属加工件正面。图7为将本申请实施例7加入电解质等离子抛光机的抛光槽中，加热至96℃的效果，抛光液产生大量气泡。图8为将本申请实施例8用于抛光钴铬金属加工件的效果，左侧为抛光前的钴铬金属加工件，右侧为抛光后的钴铬金属加工件。具体实施方式结合以下本专利技术的优选实施方法的详述以及包括的实施例可进一步地理解本专利技术的内容。除非另有说明，本文中使用的所有技术及科学术语均具有与本申请所属领域普通技术人员的通常理解相同的含义。如果现有技术中披露的具体术语的定义与本申请中提供的任何定义不一致，则以本申请中提供的术语定义为准。在本文中使用的，除非上下文中明确地另有指示，否则没有限定单复数形式的特征也意在包括复数形式的特征。还应理解的是，如本文所用术语“由…制备”与“包含”同义，“包括”、“包括有”、“具有”、“包含”和/或“包含有”，当在本说明书中使用时表示所陈述的组合物、步骤、方法、制品或装置，但不排除存在或添加一个或多个其它组合物、步骤、方法、制品或装置。此外，当描述本申请的实施方式时，使用“优选的”、“优选地”、“更优选的”等是指，在某些情况下可提供某些有益效果的本专利技术实施方案。然而，在相同的情况下或其他情况下，其他实施方案也可能是优选的。除此之外，对一个或多个优选实施方案的表述并不暗示其他实施方案不可用，也并非旨在将其他实施方案排除在本专利技术的范围之外。为了解决上述问题，本专利技术的第一方面提供了一种钴铬金属电解质等离子抛光用抛光液，按重量份计，其制备原料包含：硫酸盐5～15份、有机酸0.1～2份、水150～300份。在一些优选的实施方式中，按重量份计，所述制备原料包含：硫酸盐7份、有机酸1份、水210份。硫酸盐硫酸盐，是由硫酸根离子(SO42-)与其他金属离子或铵离子组成的化合物，大多数都溶于水，都是电解质，故可用于电解质等离子抛光用抛光液。通过实验发现，当抛光金属为钴铬金属时，采用硫酸盐作为电解质等离子抛光过程中的电解质材料时，可以有效提高钴铬金属表面的光泽度以及平整度。首先，将工件浸入抛光液中，在硫酸盐与有机酸的共同作用下，抛光液进入电解状态，同时整个系统由于抛光液与工件直接接触，而瞬间出现短路，放出大量的热，使工作表面的抛光液瞬间汽化，在工件与抛光液之间会形成相对稳定的气层，形成局部高压，气层被电离击穿放电，局部形成放电通道，产生等离子体，从而导致金属表面与气层之间发生强烈复杂的等离子体物理及化学作用，使被加工的金属工件表面生成化学反应产物的同时又被放电去除。当利用氯盐或硝酸盐替代硫酸盐时，经过抛光实验可以发现，所得工件表面暗淡无光泽，且表面有沙点，较粗糙，这可能由于氯盐、硝酸盐较硫酸盐更容易引起水以及有机酸的电离，通过通道与工件作用，腐蚀工件表面，使得更容易发生氧化作用，促进了在工件表面产生新的物质，并同时提高了产生新物质的速度，从而在工件表面形成沙点，而由于其空间位阻与较高位势，也阻碍了其他未腐蚀部位的新物质的生成与放电过程的去除反应，从而造成工件表面暗淡无光泽。在一些优选的实施方式中，所述硫酸盐选自硫酸钾、硫酸铵、硫酸钙、硫酸镁、硫酸钠中的一种或多种的混合。在一些优选的实施方式中，所述硫酸盐为硫酸钾本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种钴铬金属电解质等离子抛光用抛光液，其特征在于，按重量份计，其制备原料包含：硫酸盐5～15份、有机酸0.1～2份、水150～300份。

【技术特征摘要】
1.一种钴铬金属电解质等离子抛光用抛光液，其特征在于，按重量份计，其制备原料包含：硫酸盐5～15份、有机酸0.1～2份、水150～300份。2.如权利要求1所述的钴铬金属电解质等离子抛光用抛光液，其特征在于，所述硫酸盐选自硫酸钾、硫酸铵、硫酸钙、硫酸镁、硫酸钠中的一种或多种的混合。3.如权利要求2所述的钴铬金属电解质等离子抛光用抛光液，其特征在于，所述硫酸盐为硫酸钾和硫酸铵，且硫酸钾与硫酸铵的重量比为1：(2～3)。4.如权利要求1所述的钴铬金属电解质等离子抛光用抛光液，其特征在于，所述有机酸选自柠檬酸、苹果酸、酒石酸、抗坏血酸、甲酸、乙酸、草酸、琥珀酸中的一种或多种的混合。5.如权利要求4所述的钴铬金属电解质等离子抛光用抛光液，其特征在于，所述柠檬酸为无水柠檬酸和/或一水柠檬酸。6.如权利要求5所述的钴铬金属电解质等离子抛光用...

【专利技术属性】
技术研发人员：张炽毅，
申请(专利权)人：广州市雷傲科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44