整平剂及包含其的电镀液制造技术

本发明专利技术涉及一种整平剂及包含其的电镀液，其中，所述整平剂包括功效成分，功效成分为咪唑类化合物、叔胺化合物和环氧化合物反应而成的反应产物。该整平剂能较好适用于通盲孔共镀工艺，且能够有效地避免出现通孔内部以及通孔孔口转角处镀层过薄的问题。

Leveling agent and plating solution containing it

【技术实现步骤摘要】
整平剂及包含其的电镀液
本专利技术涉及电镀
，特别涉及整平剂及包含其的电镀液。
技术介绍
随着电子设备往高智能化、微型化、便携化的方向发展，促使其所装备的电路板也往高密度互连方向发展。目前，高密度互连(HighDensityInterconnectBoard，HDI)电路板是通过通孔、盲孔和埋孔等方式实现层间的互连互通，因此，孔金属化技术是制约HDI电路板发展的关键技术因素，该技术的优劣直接决定了电路板的性能好坏。目前对于HDI板的孔金属化一般是通过两道工序，即先进行填盲孔电镀，然后再通过通孔电镀，但电镀工序耗时较长，严重影响了镀件的产能，所以，目前行业内大力开发通孔和盲孔同时进行电镀(通盲孔共镀)的技术，以提高高密度互连电路板的产能。在通盲孔共镀技术中，要实现较好地填盲孔，同时保证通孔内部，孔口转角处以及衬底表面之间的铜层厚度均匀的电镀效果，电镀药水中的整平剂是核心成分之一。目前市面上也有多种商品化的铜电镀药水，这些药水在运用于通盲孔共镀工序的时候，有些药水的填盲孔效果尚可，但会出现通孔孔口转角处铜层过薄的问题，严重时甚至出现“断铜”的现象，此类现象会严重影响电路板的电、信号的互连性能，进而影响电子设备的稳定性。有些药水则不会出现通孔孔口转角处铜层过薄的问题，但其对于通孔内部孔壁和盲孔的金属镀覆效果则较差，同样不能满足高密度互连电路板的产业要求。因此，产业上迫切寻找一种能较好适用于通盲孔共镀工艺的整平剂。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种整平剂及包含其的电镀液，该整平剂能较好适用于通盲孔共镀工艺，且能够有效地避免出现通孔内部以及通孔孔口转角处镀层过薄的问题。一种整平剂，所述整平剂包括功效成分，所述功效成分为咪唑类化合物、叔胺化合物和环氧化合物反应而成的反应产物。在其中一实施例中，所述咪唑类化合物、叔胺化合物和环氧化合物的摩尔比为(0.1-3)：(0.1-3)：1。在其中一实施例中，所述咪唑类化合物具有以下式(1)所示的结构：其中，R1、R2和R3各自独立地选自H、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的杂环基、取代或未取代的芳香基团、取代或未取代的杂芳香基团、硅烷基、酮基、羰基、羧基、酯基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨基、氰基、氨基甲酰基、卤甲酰基、异氰基、异氰酸酯基、硫氰酸酯基、异硫氰酸酯基、羟基、硝基或卤素。在其中一实施例中，R1、R2和R3各自独立地选自H、C1-C8烷基或芳基，所述C1-C8烷基或者芳基任选进一步被一个或多个C1-C6烷基或羟基取代；且R1、R2和R3不同时为H。在其中一实施例中，R1、R2和R3各自独立地选自H、C1-C8烷基或苯基，所述C1-C8烷基或者苯基任选进一步被一个或多个C1-C6烷基或羟基取代；且R1、R2和R3不同时为H。在其中一实施例中，所述叔胺化合物具有以下式(2)所示结构：其中，Q1为氮原子或碳原子，当Q1为氮原子时，R5、R6、R7和R8各自独立地选自取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的杂环基、取代或未取代的芳香基团、取代或未取代的杂芳香基团；当Q1为碳原子时，R7和R8各自独立地选自：H、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的杂环基、取代或未取代的芳香基团、取代或未取代的杂芳香基团、硅烷基、酮基、羰基、羧基、酯基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨基、氰基、氨基甲酰基、卤甲酰基、异氰基、异氰酸酯基、硫氰酸酯基、异硫氰酸酯基、羟基、硝基或卤素；R5和R6各自独立地选自取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的杂环基、取代或未取代的芳香基团、取代或未取代的杂芳香基团；R4为取代或未取代的C1-C20亚烷基。在其中一实施例中，当Q1为氮原子时，R5、R6、R7和R8各自独立地选自：C1-C8烷基，或一个或多个羟基取代的C2-C8烷基；当Q1为碳原子时，R5和R6各自独立地选自取代或未取代的C1-C8直链烷基、取代或未取代的C1-C8支链烷基，或一个或多个羟基取代的C2-C8烷基；R7和R8各自独立地选自氢原子、羟基、C1-C6直链烷基、C1-C6支链烷基，或羟基取代的C1-C3烷基；R4为C1-C10直链亚烷基、或C1-C10支链亚烷基。在其中一实施例中，所述环氧化合物具有以下式(4)或式(5)所示结构：R11为卤素；R12、R14和R15各自独立地选自：H、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的杂环基、取代或未取代的芳香基团、取代或未取代的杂芳香基团、硅烷基、酮基、羰基、羧基、酯基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨基、氰基、氨基甲酰基、卤甲酰基、异氰基、异氰酸酯基、硫氰酸酯基、异硫氰酸酯基、羟基、硝基或卤素；R13选自取代或未取代的C1-C20亚烷基或—O—A—O—的基团，其中A是取代或未取代的C2-C20亚烷基。在其中一实施例中，R12、R14和R15分别独立地选自H或C1-C8烷基；R13选自C1-C6直链亚烷基、C1-C6支链亚烷基或—O—A—O—基团，其中A为C2-C10直链亚烷基、C2-C10支链亚烷基。在其中一实施例中，所述咪唑类化合物选自：2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、4-苯基咪唑、4-辛基咪唑、2-(4-甲基苯基)咪唑、2,4-二甲基咪唑或4-乙基咪唑；和/或所述叔胺化合物选自：二甲氨基乙醇、三乙胺、N,N,N',N'-四甲基-1,6-己二胺、N,N,N',N'-四乙基-1,10-癸二胺、N,N-二甲基-N',N'-二(2-羟丙基)-1,3-丙二胺、N,N,N',N',2-五甲基丙烷-1,3-二胺或N，N-二甲基己胺；和/或所述环氧化合物选自：氯甲基环氧乙烷、1,2,7,8-二环氧辛烷、1,2-丙二醇二缩水甘油醚、1,4-丁二醇二缩水甘油醚、1,10-癸二醇二缩水甘油醚、或1,8-辛二醇二缩水甘油醚。一种电镀液，所述电镀液中含有上述整平剂。上述整平剂通过采用咪唑类化合物、叔胺化合物和环氧化合物进行反应所得到的反应产物作为功效成分，使得该功效成分能显著提高电镀液在电镀同时具有通孔和盲孔结构特征电路板时候的深镀和均镀能力，且该功效成分中的分子带有更多的负电荷，进而使得含有该整平剂的电镀液在电镀过程中，更少地吸附在高电流密度的区域(例如，通孔孔口转角处)，对铜等的沉积有更小的抑制作用，使铜离子等能更多地在孔口转角处进行沉积，因此而改善了使用现有整平剂而产生的通孔孔口转角处镀层偏薄的问题。附图说明图1为使用实施例1的整平剂进行电镀所得镀件的通孔切片图；图2为使用实施例1所得整平剂进行电镀所得镀件的盲孔切片图；图3为使用对比例1所得整平剂进行电镀所得镀件的通孔切片图；图4为使用对比例1所得整平剂进行电镀所得镀件的盲孔切片图。具体实施方式为了便于理解本专利技术，下面将对本专利技术进行更全面的描述，并给出了本专利技术的较佳实施例。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容的理解更加透彻全面。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种整平剂，其特征在于，所述整平剂包括功效成分，所述功效成分为咪唑类化合物、叔胺化合物和环氧化合物反应而成的反应产物。

【技术特征摘要】
1.一种整平剂，其特征在于，所述整平剂包括功效成分，所述功效成分为咪唑类化合物、叔胺化合物和环氧化合物反应而成的反应产物。2.根据权利要求1所述的整平剂，其特征在于，所述咪唑类化合物、叔胺化合物和环氧化合物的摩尔比为(0.1-3)：(0.1-3)：1。3.根据权利要求1所述的整平剂，其特征在于，所述咪唑类化合物具有以下式(1)所示的结构：其中，R1、R2和R3各自独立地选自H、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的杂环基、取代或未取代的芳香基团、取代或未取代的杂芳香基团、硅烷基、酮基、羰基、羧基、酯基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨基、氰基、氨基甲酰基、卤甲酰基、异氰基、异氰酸酯基、硫氰酸酯基、异硫氰酸酯基、羟基、硝基或卤素。4.根据权利要求3所述的整平剂，其特征在于，R1、R2和R3各自独立地选自H、C1-C8烷基或芳基，所述C1-C8烷基或者芳基任选进一步被一个或多个C1-C6烷基或羟基取代；且R1、R2和R3不同时为H。5.根据权利要求1所述的整平剂，其特征在于，所述叔胺化合物具有以下式(2)所示结构：其中，Q1为氮原子或碳原子，当Q1为氮原子时，R5、R6、R7和R8各自独立地选自取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的杂环基、取代或未取代的芳香基团、取代或未取代的杂芳香基团；当Q1为碳原子时，R7和R8各自独立地选自：H、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的杂环基、取代或未取代的芳香基团、取代或未取代的杂芳香基团、硅烷基、酮基、羰基、羧基、酯基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨基、氰基、氨基甲酰基、卤甲酰基、异氰基、异氰酸酯基、硫氰酸酯基、异硫氰酸酯基、羟基、硝基或卤素；R...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹浩斌，高健，席道林，万会勇，肖定军，
申请(专利权)人：广东东硕科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44