光伏电池背钝化沉积装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种光伏电池背钝化沉积装置，具有一个主机室，主机室内至少具有一个工艺腔室，工艺腔室一端通过炉口法兰与腔室盖紧密连接，另一端与外部的尾气处理装置连通，工艺腔室的壁层结构是保护套管及石英衬管，或者是保护套管、石英管及石英衬管，在工艺腔室的端部设置有TMA进气口、笑气进气口、硅烷进气口、氨气进气口、氮气进气口五个进气口，五个进气口均通入工艺腔室。本发明专利技术通过一台设备设立多个工艺腔室，每个工艺腔室内分时段先后实现氧化铝(Al2O3)、氧化硅(SiO2)、氮氧化硅（SiOxNy）、氮化硅(Si3N4)等多层钝化膜或其中某几种薄膜的镀膜工艺，简化现有技术的多机设备或多腔室结构，降低生产成本，使操作更加便捷，提高生产效率。

Back Passivation Deposition Device for Photovoltaic Cells

【技术实现步骤摘要】
光伏电池背钝化沉积装置
本专利技术涉及光伏电池制造设备领域，尤其是一种光伏电池背钝化沉积装置。
技术介绍
太阳能光伏电池是一种把太阳的光能直接转化为电能的新型电池。目前通常使用的是以硅为基底的硅光伏电池，包括单晶硅、多晶硅和非晶硅光伏电池。PERC电池（PassivatedEmitterandRearCell，发射极和背面钝化技术）是一种新型的光伏电池技术，PERC电池与常规电池最大的区别在于背表面介质膜钝化，采用局域金属接触，有效降低背表面的电子复合速度，同时提升了背表面的光反射。PERC电池背表面的有效钝化是提升太阳能电池转换效率的重要因素。目前较为成熟的钝化膜材料包括氧化铝(Al2O3)、氧化硅(SiO2)、氮氧化硅（SiOxNy）、氮化硅(Si3N4)等，其中，氧化铝(Al2O3)由于具备较高的电荷密度，可以对P型表面提供良好的钝化，被广泛应用于PERC电池量产的背面钝化材料。为了提升钝化效果，多层钝化膜结构是一个重要的发展方向。如图1所示，目前能够实现多层钝化膜的技术通常为ALD+PECVD或者改进型PECVD，ALD（AtomicLayerDeposition，原子层沉积）用于氧化铝3的原子层沉积，PECVD（PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，等离子体增强化学气相沉积）用于氮化硅1、氧化硅2等的等离子体增强化学气相沉积，使用两种设备分别进行相应的钝化膜沉积是较为常见的生产技术，利用不同设备分别镀膜成本高，制造工序复杂，生产效率低。改进型PECVD是单台设备上具有不同的腔室，不同腔室中发生不同反应，硅片4在不同的腔室中分步进行氧化铝3、氧化硅2、氮化硅1等钝化膜沉积，节省了在不同设备之间进行流转的时间，但设备结构较为复杂，体积庞大，不利于维护。
技术实现思路
本申请人针对上述现有多层钝化膜沉积设备存在的两台设备分别镀膜或单台设备两个腔室分步镀膜造成的设备结构复杂、成本高、体积大、操作繁琐、生产效率低等缺点，提供了一种结构合理的光伏电池背钝化沉积装置，能够通过一台设备单个工艺腔室先后实现沉积氧化铝(Al2O3)、氧化硅(SiO2)、氮氧化硅（SiOxNy）、氮化硅(Si3N4)薄膜或其中某几种薄膜的镀膜工艺，简化设备整体结构，使操作更加便捷，提高生产效率，降低生产成本。本专利技术所采用的技术方案如下：一种光伏电池背钝化沉积装置，具有一个主机室，主机室内至少具有一个工艺腔室，工艺腔室一端通过炉口法兰与腔室盖紧密连接，另一端与外部的尾气处理装置连通，工艺腔室的壁层结构是保护套管及石英衬管，或者是保护套管、石英管及石英衬管，在工艺腔室的端部设置有TMA进气口、笑气进气口、硅烷进气口、氨气进气口、氮气进气口五个进气口，五个进气口均通入工艺腔室。作为上述技术方案的进一步改进：工艺腔室的内壁为石英衬管，在石英衬管外周沿轴向套设保护套管或者石英管及保护套管，保护套管外部为加热炉体。保护套管为耐高温金属管。保护套管为不锈钢钢管。保护套管的材料为310钢材。保护套管的一端部与炉口法兰密封连接。TMA进气口、笑气进气口、硅烷进气口、氨气进气口、氮气进气口五个进气口均集成在炉口法兰上。TMA进气口、笑气进气口、硅烷进气口、氨气进气口、氮气进气口五个进气口分布在工艺腔室的一端或两端上，或者由工艺腔室端部的气管延伸到工艺腔室的中部。TMA进气口、笑气进气口、硅烷进气口、氨气进气口、氮气进气口五个进气口分别与外部的TMA气源、笑气气源、硅烷气源、氨气气源和氮气气源对应连通并由气路控制阀控制开闭。所述五个进气口在通入工艺腔室前自由组成合并管路，并由对应的控制阀选择性通气。本专利技术的有益效果如下：本专利技术通过一台设备设立多个工艺腔室，每个工艺腔室内分时段先后实现氧化铝(Al2O3)、氧化硅(SiO2)、氮氧化硅（SiOxNy）、氮化硅(Si3N4)等多层钝化膜或其中某几种薄膜的镀膜工艺，简化现有技术的多机设备或多腔室结构，降低生产成本，使操作更加便捷，提高生产效率。本专利技术采用的工艺腔室的壁层结构是保护套管及石英衬管，或者是保护套管、石英管及石英衬管。当设备通入TMA气体镀氧化铝膜时，保护套管可防止石英衬管或石英管发生破裂，导致有毒的TMA及尾气泄漏造成污染和危险，提高设备兼容后的安全性。本专利技术在炉口法兰上集成有TMA（三甲胺）进气口、笑气（N2O）进气口、硅烷（SiH4）进气口、氨气（NH3）进气口、氮气（N2）进气口等五个进气口，既便于通过各自气源的气路控制通气，又不会对工艺腔室的整体结构造成破坏性影响，降低设备的改进成本。附图说明图1为多层钝化膜结构的示意图。图2为本专利技术的示意图。图3为本专利技术主机室的示意图。图中：1、氮化硅；2、氧化硅；3、氧化铝；4、硅片；5、工艺腔室；6、石英衬管；7、金属管；8、炉体；9、腔室盖；10、炉口法兰。具体实施方式下面结合附图，说明本专利技术的具体实施方式。如图2和图3所示，本专利技术所述的光伏电池背钝化沉积装置具有一个主机室，主机室内至少具有一个工艺腔室5，工艺腔室5一端通过炉口法兰10与腔室盖9紧密连接，另一端与外部的尾气处理装置连通。工艺腔室5的内壁为石英衬管6，石英衬管6的外周沿轴向套设保护套管，保护套管外部为加热炉体8。保护套管可以是金属管7，保护套管选用不锈钢材料如310钢材或其他材料。本专利技术还可以在金属管7与石英衬管6之间沿轴向套设石英管，即工艺腔室5的壁层结构是金属管7及石英衬管6，或者是金属管7、石英管及石英衬管6。保护套管的一端部与炉口法兰10密封连接。本专利技术设置保护套管的目的是当设备通入TMA（三甲胺）气体镀氧化铝膜时，防止石英衬管6或石英管发生破裂，导致有毒的TMA及尾气泄漏造成污染和危险。为了先后实现氧化铝(Al2O3)、氧化硅(SiO2)、氮氧化硅（SiOxNy）、氮化硅(Si3N4)的沉积工艺，在炉口法兰10上集成有TMA（三甲胺）进气口、笑气（N2O）进气口、硅烷（SiH4）进气口、氨气（NH3）进气口、氮气（N2）进气口等五个进气口，分别与外部的TMA气源、笑气气源、硅烷气源、氨气气源和氮气气源通过气路对应连通并由控制阀控制开闭，五个进气口均通入工艺腔室5。工艺腔室5对放入其中的硅片加热，发生不同的沉积反应，对硅片先后进行多层镀钝化膜反应。此外，TMA（三甲胺）进气口、笑气（N2O）进气口、硅烷（SiH4）进气口、氨气（NH3）进气口、氮气（N2）进气口五个进气口还可以分布在工艺腔室5的一端或两端上，或者由工艺腔室5端部的气管延伸到工艺腔室5的中部。所述五个进气口在通入工艺腔室5前可以自由组成合并管路，并由对应的控制阀选择性通气。本专利技术在工作时，先打开主机室中工艺腔室5的腔室盖9，在工艺腔室5内放入装有硅片的置片架或推拉舟，关闭腔室盖9使工艺腔室5保持密封。通过TMA进气口通入TMA气体，通过笑气进气口通入笑气，在反应温度下在硅片表面镀氧化铝钝化膜。然后对工艺腔室5进行氮气吹扫并抽真空，通过硅烷进气口通入硅烷，通过笑气进气口通入笑气，在反应温度下在硅片表面镀氧化硅或氮氧化硅钝化膜。最后再对工艺腔室5进行氮气吹扫并抽真空，通过硅烷进气口通入硅烷，通过氨气进气口通入氨气，在反应温度下在硅片表面镀氮化硅钝化膜。通过三次通入不同气本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光伏电池背钝化沉积装置，其特征在于：具有一个主机室，主机室内至少具有一个工艺腔室（5），工艺腔室（5）一端通过炉口法兰（10）与腔室盖（9）紧密连接，另一端与外部的尾气处理装置连通，工艺腔室（5）的壁层结构是保护套管及石英衬管（6），或者是保护套管、石英管及石英衬管（6），在工艺腔室（5）的端部设置有TMA进气口、笑气进气口、硅烷进气口、氨气进气口、氮气进气口五个进气口，五个进气口均通入工艺腔室（5）。

【技术特征摘要】
1.一种光伏电池背钝化沉积装置，其特征在于：具有一个主机室，主机室内至少具有一个工艺腔室（5），工艺腔室（5）一端通过炉口法兰（10）与腔室盖（9）紧密连接，另一端与外部的尾气处理装置连通，工艺腔室（5）的壁层结构是保护套管及石英衬管（6），或者是保护套管、石英管及石英衬管（6），在工艺腔室（5）的端部设置有TMA进气口、笑气进气口、硅烷进气口、氨气进气口、氮气进气口五个进气口，五个进气口均通入工艺腔室（5）。2.根据权利要求1所述的光伏电池背钝化沉积装置，其特征在于：工艺腔室（5）的内壁为石英衬管（6），在石英衬管（6）外周沿轴向套设保护套管或者石英管及保护套管，保护套管外部为加热炉体（8）。3.根据权利要求1所述的光伏电池背钝化沉积装置，其特征在于：保护套管为耐高温金属管（7）。4.根据权利要求1所述的光伏电池背钝化沉积装置，其特征在于：保护套管为不锈钢钢管。5.根据权利要求1所述的光伏电池背钝化沉积装置，其特征在于：保护套管的材料为31...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈庆敏，吴晓松，刘敏星，李建新，
申请(专利权)人：无锡松煜科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32