电子原器件制造用高强度抗干扰铝镍合金及其制备工艺制造技术

技术编号：21881606 阅读：22 留言：0更新日期：2019-08-17 11:02

本发明专利技术公开了一种电子原器件制造用高强度抗干扰铝镍合金，包括以下成分(按质量百分比)：Al：20～30％、Ni：3～5％、CU：15～18％、Ti：1～3％、Si：17～21％、Zn：8～10％，余量为Al。本发明专利技术还公开了一种电子原器件制造用高强度抗干扰铝镍合金的制备工艺，包括以下步骤：步骤一：配料、步骤二：熔炼、步骤三：均匀退火、步骤四：锻造、步骤五：热轧及冷轧和步骤六：淬火。本发明专利技术在铝铁合金中加入适量的镍，可以改善其加工性能，减少球磨时间，节约生产成本，同时也可提高磁导率，提高磁屏蔽效果；提高合金的高温性能，铸造时对铝熔体进行变质处理，既保证了铝镍铝合金的耐磨性能，又提高了抗拉强度和抗疲劳强度。

High Intensity Anti-interference Al-Ni Alloy for Manufacturing Electronic Primary Devices and Its Preparation Technology

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【技术实现步骤摘要】
电子原器件制造用高强度抗干扰铝镍合金及其制备工艺
本专利技术涉及铝镍合金相关
，特别涉及一种电子原器件制造用高强度抗干扰铝镍合金及其制备工艺。
技术介绍
由于铝合金具有密度低、强度高、耐腐蚀、导电和导热性能好、可铸造、可焊接以及加工性能好等优良品质而发展非常迅速，已广泛应用于国民经济和日常生活中，共用量之多、范围之广仅次于钢铁，成为第二大金属，其产量占整个金属产量的1/3以上。但是一般的铝合金抗磁性干扰能力较差，不能用于电子行业，局限性很大，经研究发现，铝镍合金的抗干扰性能很好，但是一般的铝镍合金的抗拉强度和抗疲劳强度不够好，还具有一定的局限性。因此，专利技术一种电子原器件制造用高强度抗干扰铝镍合金及其制备工艺来解决上述问题很有必要。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种电子原器件制造用高强度抗干扰铝镍合金及其制备工艺，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种电子原器件制造用高强度抗干扰铝镍合金，包括以下成分(按质量百分比)：Al：20～30％、Ni：3～5％、CU：15～18％、Ti：1～3％、Si：17～21％、Zn：8～10％，余量为Al。优选的，包括以下成分(按质量百分比)：Al：20％、Ni：5％、CU：15％、Ti：3％、Si：17％、Zn：10％，余量为Al。优选的，包括以下成分(按质量百分比)：Al：25％、Ni：4％、CU：16％、Ti：2％、Si：19％、Zn：9％，余量为Al。优选的，包括以下成分(按质量百分比)：Al：30％、Ni：3％、CU：18％、Ti：1％、Si：21％、Zn：8...

【技术保护点】
1.一种电子原器件制造用高强度抗干扰铝镍合金，其特征在于，包括以下成分(按质量百分比)：Al：20～30％、Ni：3～5％、CU：15～18％、Ti：1～3％、Si：17～21％、Zn：8～10％，余量为Al。

【技术特征摘要】
1.一种电子原器件制造用高强度抗干扰铝镍合金，其特征在于，包括以下成分(按质量百分比)：Al：20～30％、Ni：3～5％、CU：15～18％、Ti：1～3％、Si：17～21％、Zn：8～10％，余量为Al。2.根据权利要求1所述的一种电子原器件制造用高强度抗干扰铝镍合金，其特征在于，包括以下成分(按质量百分比)：Al：20％、Ni：5％、CU：15％、Ti：3％、Si：17％、Zn：10％，余量为Al。3.根据权利要求1所述的一种电子原器件制造用高强度抗干扰铝镍合金，其特征在于，包括以下成分(按质量百分比)：Al：25％、Ni：4％、CU：16％、Ti：2％、Si：19％、Zn：9％，余量为Al。4.根据权利要求1所述的一种电子原器件制造用高强度抗干扰铝镍合金，其特征在于，包括以下成分(按质量百分比)：Al：30％、Ni：3％、CU：18％、Ti：1％、Si：21％、Zn：8％，余量为Al。5.一种如权利要求1-4所述的电子原器件制造用高强度抗干扰铝镍合金的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：配料：根据铝镍合金材料的组份进行配料；步骤二：熔炼：首先将配备好的高纯钛和金属铝放入真空自耗电弧炉中，升温至1700～1800℃，再依次加入单晶硅、纯铁和...

【专利技术属性】
技术研发人员：王静，
申请(专利权)人：扬州好管家科技信息咨询有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32

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