一种疏水性薄膜及其制备方法技术

技术编号:21878381 阅读:22 留言:0更新日期:2019-08-17 10:07
本发明专利技术涉及一种疏水性薄膜,包括反应腔体,所述反应腔体内部的上端设有第一蒸发源和第二蒸发源,所述反应腔体下端设有缺口,所述反应腔体下方设有输送带,该输送带上设有玻璃基底,采用共沉积方法进行疏水薄膜的制备,首先可以快速,高效的制备得到高质量的疏水薄膜;其次,薄膜均匀性和性能、原料使用量可以得到精确控制;最后,减少人工成本低支出,本发明专利技术设计合理,可大规模推广。

A hydrophobic film and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种疏水性薄膜及其制备方法
本专利技术涉及镀膜
,尤其涉及一种疏水性薄膜及其制备方法。
技术介绍
根据水在固体表面的浸润程度(接触角的大小),固体可以分为亲水性和疏水性两大类,其中通常将接触角大于150°且滚动角小于10°的固体表面称为超疏水表面。自然界中有着大量的超疏水表面的例子,例如:许多植物叶面、花瓣表面、水禽羽毛以及昆虫脚面等等。由于超疏水表面存在防水、抗冰、防雾、抗污、防腐、防雪以及自清洁等领域具有极为广泛的应用前景,因而在学术界和企业界都引起了极大的关注。基于荷叶自清洁特性的大量深入研究,结果表明超疏水表面之所以体现出超疏水性,主要是由两个方面的因数决定的,低的表面能和微观的表面粗糙度,而且将这两方面结合起来,对超疏水性的提高更为有效。目前针对工厂流水线的施工方式为喷涂,涂覆方式,存在施工难度高、涂膜质量一般的问题。
技术实现思路
对上述现有技术的现状,本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种可以快速高效的成膜,成膜质量高,材料成本低的疏水性薄膜及其制备方法。本专利技术解决上述技术问题所采用的技术方案为:一种疏水性薄膜,包括反应腔体,所述反应腔体内部的上端设有第一蒸发源和第二蒸发源,所述反应腔体下端设有缺口,所述反应腔体下方设有输送带,该输送带上设有玻璃基底。进一步地,所述缺口正下面为镀膜区。一种疏水性薄膜制备方法,包括以下步骤:按照比例给第一蒸发源和第二蒸发源通气,将清洗好的玻璃基底放置于传输带,玻璃基底移动至镀膜区域开始进行共沉积法镀膜。进一步地,所述输送带传输带速为10mm/s-100mm/s。进一步地,所述第一蒸发源和第二蒸发源的比例可为1:1-10:1。进一步地,所述第一蒸发源可为二氯二甲基硅烷,所述第二蒸发源可为三氯甲基硅烷。与现有技术相比,本专利技术的优点在于:本专利技术采用共沉积方法进行疏水薄膜的制备,首先可以快速,高效的制备得到高质量的疏水薄膜;其次,薄膜均匀性和性能、原料使用量可以得到精确控制;最后,减少人工成本低支出,本专利技术设计合理,可大规模推广。附图说明图1为本专利技术一种疏水性薄膜结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图,对本专利技术进行进一步详细说明。如图所示,一种疏水性薄膜,包括反应腔体3,所述反应腔体3内部的上端设有第一蒸发源1和第二蒸发源2,所述反应腔体3下端设有缺口,所述反应腔体3下方设有输送带5,该输送带5上设有玻璃基底4,所述缺口正下面为镀膜区。一种疏水性薄膜制备方法,包括以下步骤:按照比例给第一蒸发源和第二蒸发源通气,将清洗好的玻璃基底放置于传输带,玻璃基底移动至镀膜区域开始进行共沉积法镀膜,所述输送带传输带速为10mm/s-100mm/s,所述第一蒸发源和第二蒸发源的比例可为1:1-10:1,所述第一蒸发源可为二氯二甲基硅烷,所述第二蒸发源可为三氯甲基硅烷。实施例:1、添加蒸发源A原料二甲基二氯硅烷,调节温度,促使原料气化,同时进行蒸发源B原料三氯甲基硅烷的气化操作。2、调节气流量,调控蒸发源A和蒸发源B的比例为1:1。3、传输带运行过程中,放入玻璃开始进行镀膜操作,调控传输带速率为20mm/s。4、蒸发的气体在玻璃表面进行沉积形成薄膜,对薄膜进行测试,接触角、耐摩擦性能的测试工作。与现有技术相比,本专利技术的优点在于:本专利技术采用共沉积方法进行疏水薄膜的制备,首先可以快速,高效的制备得到高质量的疏水薄膜;其次,薄膜均匀性和性能、原料使用量可以得到精确控制;最后,减少人工成本低支出,本专利技术设计合理,可大规模推广。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种疏水性薄膜,其特征在于,包括反应腔体,所述反应腔体内部的上端设有第一蒸发源和第二蒸发源,所述反应腔体下端设有缺口,所述反应腔体下方设有输送带,该输送带上设有玻璃基底。

【技术特征摘要】
1.一种疏水性薄膜,其特征在于,包括反应腔体,所述反应腔体内部的上端设有第一蒸发源和第二蒸发源,所述反应腔体下端设有缺口,所述反应腔体下方设有输送带,该输送带上设有玻璃基底。2.根据权利要求1所述的一种疏水性薄膜,其特征在于,所述缺口正下面为镀膜区。3.一种疏水性薄膜制备方法,其特征在于,包括以下步骤:按照比例给第一蒸发源和第二蒸发源通气,将清洗好的玻璃基底放置于传输带,玻璃基底移...

【专利技术属性】
技术研发人员:戴俊慧
申请(专利权)人:宁波华尔克新材料科技有限公司
类型:发明
国别省市:浙江,33

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