金属氧化物有序交叉纳米线阵列及其制备方法技术

本发明专利技术属于纳米半导体材料技术领域，具体为金属氧化物有序交叉纳米线阵列材料及其制备方法。本发明专利技术以两亲性嵌段共聚物作为模板剂，四氢呋喃等作为溶剂，多金属氧酸盐作为无机前驱体合成金属氧化物有序交叉纳米线；其中，嵌段共聚物起到结构导向剂的作用，其亲水端与多金属氧酸盐阴离子通过静电作用力结合，在溶剂中形成核壳柱状胶束，在溶剂挥发过程中自组装形成层层交叉堆叠的有机‑无机复合有序纳米结构；在空气中焙烧除掉高分子模板剂，得到组成元素多样的金属氧化物有序交叉纳米线。所合成的金属氧化物半导体纳米线材料具有高比表面积和高结晶度，同时实现了杂原子的均匀掺杂。本发明专利技术方法简单，原料易得，适于放大生产。

Ordered crossed metal oxide nanowire arrays and their preparation methods

【技术实现步骤摘要】
金属氧化物有序交叉纳米线阵列及其制备方法
本专利技术属于纳米半导体材料
，具体涉及一种金属氧化物有序交叉纳米线阵列材料及其制备方法。
技术介绍
近些年来，金属氧化物纳米材料及其复合材料在光催化，气体传感，能源存储和转化等方面的广泛应用，受到了科学界广泛的关注（Ren,Y.etal.Chem.Soc.Rev.2012,41,4909-4927.;Lee,K.etal.Chem.Rev.2014,114,9385−9454）。其中，一维（1D）金属氧化物半导体纳米材料（纳米线、纳米棒、纳米带、纳米管等）由于其独特的一维纳米形貌和直接电子通道，具有特别突出的物理化学性质（Xia,Y.N.etal.Adv.Mater.2003,15,353-389.；Devan,R.S.etal.Adv.Funct.Mater.2012,22,3326–3370.;Dasgupta,N.P.etal.Adv.Mater.2014,26,2137–2184.;Wang,F.D.etal.Chem.Rev.2016,116,10888−10933.）。过去几十年中，一维金属氧化物纳米材料主要通过水热/溶剂热法、化学气相沉积法（CVD）、阳极氧化等方法合成（Tran,H.D.etal.Adv.Mater.2009,21,1487–1499.;Lee,K.etal.Chem.Rev.2014,114,9385−9454.）。定向自组装技术（DSA）是最近发展起来合成有序纳米线阵列的方法，它通过嵌段共聚物的可控自组装行为来实现特定尺寸的有序纳米图案的制造(Doerk,G.S.etal.Nat.Commun.2014,5,5805.;Kim,J.M.etal.Chem.Mater.2016,28,5680-5688.;Xiong,S.S.etal.ACSNano2016,10,7855-7865.;Wei,W.etal.Chem.Mater.2016,28,4017−4023.)。然而目前它存在以下几个问题：只能合成高分子聚合物、氧化硅等非晶无定形骨架材料；或者要通过后修饰无机前驱体等步骤繁琐的方法来实现金属氧化物纳米线阵列的合成。对于多层堆叠的交叉纳米线阵列（即“纳米网”），则要通过多次反复操作的“转移打印”的技术来实现(Jeong,J.W.etal.Adv.Mater.2012,24,3526–3531.;Jeong,J.W.etal.Nat.Commun.2014,5,5387.;Jeong,J.W.etal.Adv.Mater.2016,28,8695–8704.)。这极大地限制了它的实际放大生产和应用。因此开发一种简单方便，一步法直接合成多层交叉有序金属氧化物纳米线阵列的方法具有十分重要的意义。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种操作简单、控制方便、易于重复的金属氧化物有序交叉纳米线阵列的制备方法。本专利技术提供的金属氧化物有序交叉纳米线阵列材料的制备方法，以具有超大分子量疏水段的两亲性嵌段共聚物（PEO-b-PS）作为模板剂，多金属氧酸盐（POMs）作为无机前驱体合成金属氧化物有序交叉纳米线；利用模板剂的亲水端（PEO）与多金属阳酸盐阴离子（SiW12O404-,PW12O403-,SiMo12O404-,PMo12O403-等）之间的静电作用力形成核壳柱状胶束，通过溶剂挥发诱导自组装（EISA）的方法得到有序介观有机-无机复合结构。利用模板剂的导向作用以及焙烧引起的结构转变，在模板剂脱除后即得到具有高度晶化的有序金属氧化物半导体纳米线材料。通过控制无机前驱体（多金属氧酸盐）的种类可以控制合成Si-WO3,P-WO3,Si-MoO3,P-MoO3等多种金属氧化物纳米线材料。通过控制嵌段共聚物亲疏水嵌段的分子量可以有效控制纳米线阵列的间距，以及纳米线的直径。利用该种方法得到的有序纳米线材料阵列间距可以控制在20-40nm之间，纳米线的直径在10-20nm之间。制备的具体步骤如下：（1）将具有大分子量（Mn=15000-35000gmol-1）的两亲性嵌段共聚物（PEO-b-PS）溶解于溶剂中，充分搅拌得到透明溶液，记为溶液A，浓度为1-5wt%;将多金属氧酸盐水合物（H4SiW12O40·xH2O等）加入到溶剂中,得到透明溶液，记为溶液B，浓度为5-10wt%；将溶液A和溶液B混合，充分搅拌得到透明胶体溶液；（2）将上述胶体溶液转移到培养皿中，室温下挥发2-12小时；将培养皿转移到70-100°C烘箱中固化12-48小时，得到透明的有机-无机复合膜，将该复合膜从培养皿中刮下来并研磨得到粉末；（3）将上述粉末置于管式炉中，在氮气气氛下，以升温速率1-3℃/min，升温至350-500℃，焙烧1-2h；再将所得样品在空气中400-450℃焙烧0.5-1h，除去其中的碳，得到晶化的金属氧化物交叉纳米线材料。其中，步骤（1）中所使用的溶剂为四氢呋喃、甲苯、氯仿、二甲基甲酰胺中的一种或多种。两亲性嵌段共聚物的PEO嵌段分子量2000~5000g/mol,PS嵌段分子量10000~30000g/mol。所使用的多金属氧酸盐为硅钨酸、磷钨酸、硅钼酸、磷钼酸中的一种或多种。本专利技术中，可以通过改变嵌段共聚物疏水嵌段、亲水嵌段的长度，分别控制所合成的纳米线材料的阵列间距和纳米线的直径。本专利技术中，使用不同的多金属氧酸盐水合物作为无机前驱体，可以合成由不同元素组成的具有高结晶度和高比表面积的多种金属氧化物纳米线材料（如Si-WO3、P-WO3、Si-MoO3、P-MoO3等），以及双金属或多金属复合氧化物材料。合成所需的多金属氧酸盐均为商业化试剂，方便易得。本专利技术中，所应用的溶剂挥发诱导自组装结合焙烧结晶的方法具有很好的普适性。任何采用溶剂挥发诱导自组装原理合成纳米材料的方法均可以适用。可以选用旋涂（spin-coating），提拉（dip-coating），或者直接将溶液敞开放置使其挥发等方法合成金属氧化物有序交叉纳米线材料。本专利技术中，应用的模板剂原位碳化的方法合成有序介孔金属氧化物材料的普适性。利用带有sp2杂化碳碳双键的PS段原位转化为无定形炭作为金属氧化物的刚性支撑，然后在空气中焙烧除去残留的碳，从而得到高度有序和高比表面的金属氧化物纳米线材料，任何采用自组装原理合成介孔金属氧化物材料的方法均可以适用。本专利技术中，其所合成材料具有独特的“纳米网”形貌。有序排列的金属氧化物纳米线平行于基底，逐层堆叠并垂直交叉，形成具有高的活性比表面积的半导体纳米网络结构。所合成的介孔材料的晶化程度则因所采用的前驱体、所采用的焙烧温度不同而不同。本专利技术不同于前人的合成金属氧化物纳米线阵列的方法，直接采用两亲性嵌段共聚物(PEO-b-PS)与多金属氧酸盐（POMs）共组装的方法。由于嵌段共聚物中质子化的亲水嵌段（PEO）能和杂多酸阴离子(SiW12O404-等)形成强的静电作用力，从而形成均匀的柱状复合胶束，进而在后续的溶剂挥发过程中自组装形成有序排列的介观结构。值得一提的是，在后续加热焙烧脱除高分子模板剂和使骨架晶化（杂多酸热分解转化成对应的金属氧化物）的过程中，会发生类似“奥斯特瓦尔德熟化(Ostwaldripening)”的过程，最终得到多层交叉有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属氧化物有序交叉纳米线阵列的制备方法，以具有超大分子量疏水段的两亲性嵌段共聚物PEO‑

【技术特征摘要】
1.一种金属氧化物有序交叉纳米线阵列的制备方法，以具有超大分子量疏水段的两亲性嵌段共聚物PEO-b-PS作为模板剂，利用模板剂的亲水端PEO与多金属阳酸盐阴离子之间的静电作用力形成核壳柱状胶束，通过溶剂挥发诱导自组装得到有序介观有机-无机复合结构；经过焙烧引起结构转变，在模板剂脱除后即得到具有高度晶化的有序金属氧化物半导体纳米线材料；具体步骤如下：（1）将具有大分子量Mn=15000-35000gmol-1的两亲性嵌段共聚物PEO-b-PS溶解于溶剂中，充分搅拌得到透明溶液，记为溶液A，浓度为1-5wt%;将多金属氧酸盐水合物加入到溶剂中，得到透明溶液，记为溶液B，浓度为5-10wt%；将溶液A和溶液B混合，充分搅拌得到透明胶体溶液；（2）将上述胶体溶液转移到培养皿中，室温下挥发2-12小时；将培养皿转移到70-100℃烘箱中固化12-48小时，得到透明的有机-无机复合膜，将该复合膜从培养皿中刮下来并研磨得到粉末；（3）将上述粉末置于管式炉中，在氮气气氛下，以升温速率...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓勇辉，任元，邹义冬，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：上海,31