【技术实现步骤摘要】
在平面中可移动的、具有压电驱动的微机电微操纵装置
本公开涉及一种在平面中可移动的、具有压电驱动的微机电操纵装置。
技术介绍
微操纵装置是已知的。它们可以在接触或者非接触模式下操作,并且基于各种物理原理,例如,是光学类型、静电类型、流体静力类型(基于伯努利定理)、超声类型和/或磁性类型。每种类型都具有在特定条件下实现其有利用途而在其它条件下无法实现其有利用途的特性。然而,关于按照简单的方式以高精度以及低成本来处理各种尺寸(dimension)的非常小型的物体(微米数量级)的能力,没有一种类型是完全令人满意的。例如,在微电子应用中,在材料科学、生物学和组织工程学(例如,在对分子、人体组织和生物部分的微操纵中)领域中,这是期望的。另一方面,使产品(诸如,可以利用半导体技术获得的微机电系统(MEMS))小型化的趋势已经刺激了对用于微操纵和组装的技术的广泛研究。特别地,开发用于处理和组装微型物体的小型化系统已经成为未来精密工程的主要挑战。因此,提出了基于静电致动原理使用MEMS技术的微操纵器。然而,即使是MEMS微操纵器也不能完全满足某些应用中所存在的要求。实际上,可以认为可以利用这些装置获得的静电力很弱。因此,为了获得足够的夹持力,向已知的微操纵器提供较高DC电压,大约100-200V,这是不容易实现的,并且在任何情况下都远高于在集成电路中通常使用的电压。此外,所提出的MEMS微操纵器不易于用于操纵浸没在液体中的物体和/或颗粒。实际上,在这种类型的装置中,形成完全包围操纵器的臂的电绝缘层并不简单;因此,存在放电风险。为了减少该问题,通常将操纵器的臂设计为具有相当大 ...
【技术保护点】
1.一种MEMS操纵装置,包括:基板;操纵结构,在所述基板上,并且所述操纵结构包括由结构层形成的本体、在所述结构层上的支撑层、以及在所述支撑层上的薄膜压电层,所述操纵结构包括:第一操纵臂;以及第一夹持元件,所述第一夹持元件由所述第一操纵臂承载;其中,所述第一操纵臂包括第一驱动臂和第一铰接臂,所述第一驱动臂和所述第一铰接臂均具有相应的第一端部和第二端部,所述第一驱动臂的所述第一端部被连接至所述基板,并且所述第一驱动臂的所述第二端部通过第一铰接结构被铰接至所述第一铰接臂的所述第一端部;其中,所述第一驱动臂包括第一梁元件和第一压电区域,所述第一梁元件由所述支撑层形成,所述第一压电区域由所述薄膜压电层形成,并且所述第一压电区域与所述第一梁元件相关联,所述第一梁元件具有在延伸平面中延伸的主延伸、以及在与所述延伸平面垂直的厚度平面中延伸的厚度,所述第一梁元件在所述厚度平面中的所述厚度小于所述主延伸在所述延伸平面中的延伸,所述第一驱动臂的所述第一端部和所述第二端部包括所述支撑层的部分和所述结构层的部分;以及其中,所述第一铰接结构包括第一连接元件和第一铰链结构,所述第一铰链结构被插入在所述第一驱动臂、 ...
【技术特征摘要】
2018.02.02 IT 1020180000023641.一种MEMS操纵装置,包括:基板;操纵结构,在所述基板上,并且所述操纵结构包括由结构层形成的本体、在所述结构层上的支撑层、以及在所述支撑层上的薄膜压电层,所述操纵结构包括:第一操纵臂;以及第一夹持元件,所述第一夹持元件由所述第一操纵臂承载;其中,所述第一操纵臂包括第一驱动臂和第一铰接臂,所述第一驱动臂和所述第一铰接臂均具有相应的第一端部和第二端部,所述第一驱动臂的所述第一端部被连接至所述基板,并且所述第一驱动臂的所述第二端部通过第一铰接结构被铰接至所述第一铰接臂的所述第一端部;其中,所述第一驱动臂包括第一梁元件和第一压电区域,所述第一梁元件由所述支撑层形成,所述第一压电区域由所述薄膜压电层形成,并且所述第一压电区域与所述第一梁元件相关联,所述第一梁元件具有在延伸平面中延伸的主延伸、以及在与所述延伸平面垂直的厚度平面中延伸的厚度,所述第一梁元件在所述厚度平面中的所述厚度小于所述主延伸在所述延伸平面中的延伸,所述第一驱动臂的所述第一端部和所述第二端部包括所述支撑层的部分和所述结构层的部分;以及其中,所述第一铰接结构包括第一连接元件和第一铰链结构,所述第一铰链结构被插入在所述第一驱动臂、所述第一铰接臂和所述第一连接元件之间。2.根据权利要求1所述的MEMS操纵装置,其中,所述第一连接元件和所述第一铰接臂由所述结构层形成,并且具有大于所述第一梁元件的所述厚度的厚度。3.根据权利要求1所述的MEMS操纵装置,其中,所述第一连接元件具有与所述第一梁元件相邻、并且被锚固至所述基板的壁。4.根据权利要求1所述的MEMS操纵装置,其中,所述第一铰链结构包括:第一铰链元件,所述第一铰链元件被布置在所述第一驱动臂的所述第二端部和所述第一铰接臂的所述第一端部之间;以及第二铰链元件,所述第二铰链元件被布置在所述第一铰接臂的所述第一端部和所述第一连接元件之间;其中,所述第一铰链元件和所述第二铰链元件具有在所述厚度平面中的比所述第一梁元件的所述厚度大的相应厚度、以及在所述延伸平面中的比所述第一驱动臂和所述第一铰接臂的宽度小的宽度。5.根据权利要求1所述的MEMS操纵装置,其中,所述第一铰接结构被布置在所述第一梁元件的第一侧上,所述第一铰接臂横向于所述第一驱动臂延伸,所述第一夹持元件被布置在所述第一梁元件的第二侧上,并且所述第一铰接臂的所述第一端部具有沿着所述第一梁元件的所述第一侧延伸、并且被联接至所述第一铰接结构的成角度的部分。6.根据权利要求1所述的MEMS操纵装置,其中,所述第一铰接结构面向所述第一驱动臂的所述第二端部的前表面,并且所述第一铰接臂横向于所述第一驱动臂延伸。7.根据权利要求1所述的MEMS操纵装置,其中,所述第一铰接结构被布置在所述第一梁元件的一侧上,并且所述第一铰接臂从所述第一驱动臂的所述第二端部、横向于所述第一驱动臂延伸。8.根据权利要求1所述的MEMS操纵装置,进一步包括:第二操纵臂;以及第二夹持元件,所述第二夹持元件由所述第二操纵臂承载、并且面向所述第一夹持元件;其中,所述第二夹持元件被连接至所述基板、并且面向所述第一夹持元件。9.根据权利要求1所述的MEMS操纵装置,进一步包括:第二操纵臂;以及第二夹持元件,所述第二夹持元件由所述第二操纵臂承载、并且面向所述第一夹持元件;其中,所述第二操纵臂包括第二驱动臂和第二铰接臂,所述第二驱动臂和所述第二铰接臂具有相应的第一端部和第二端部,所述第二驱动臂的所述第一端部被连接至所述基板,并且所述第二驱动臂的所述第二端部通过第二铰接结构被...
【专利技术属性】
技术研发人员:D·朱斯蒂,L·滕托里,
申请(专利权)人:意法半导体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:意大利,IT
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