磁盘盘片及其制作方法以及磁性记忆体存储器件技术

本申请提供了一种磁盘盘片，所述磁盘盘片包括：衬底层；磁性层，所述磁性层位于所述衬底层之上；保护层，所述保护层位于所述磁性层上；其中，所述磁性层包括第一铁铂合金薄膜；所述衬底层为晶体，以使所述衬底层诱导所述第一铁铂合金薄膜形成有序磁性层。本申请还提供一种磁盘盘片制作方法以及磁性记忆体存储器件。基于本申请采用铁铂合金材料作为磁性层，铁铂合金的磁各向异性能较高，能够满足各晶粒尺寸对磁各向异性能的要求，且基于衬底层诱导磁性层形成有序相磁性层，该磁记录介质的热稳定性高。

Disk disc and its fabrication method and magnetic memory device

【技术实现步骤摘要】
磁盘盘片及其制作方法以及磁性记忆体存储器件
本申请涉及磁记录设备领域，特别涉及一种磁盘盘片及其制作方法以及磁性记忆体存储器件。
技术介绍
这里的陈述仅提供与本申请有关的背景信息，而不必然地构成示例性技术。磁存储技术是一个非常重要的技术，被广泛用于存储计算机数据以及音视频信号，此技术衍生的许多产品已成为我们日常生活中的必需品。在磁记忆体存储器件中研究较多的是磁记忆介质层，磁记录介质可以分为水平磁记录(LMR)介质和垂直磁记录(PMR)介质。示例性技术中的记录介质材料一般包括从Fe、Co、Ni、Cr、Pd、Ti、Ta以及它们的合金。在晶粒尺寸较大时，这些磁记录介质材料的磁各向异性能(Ku)达到105erg/cm3，对磁记录已经足够了，但是在晶粒尺寸较小时，这些磁记录介质材料的磁各向异性能不够，磁记录介质的热稳定性不高。
技术实现思路
本申请的主要目的是提供一种磁盘盘片及其制作方法以及磁性记忆体存储器件，旨在解决示例性技术中记录介质材料的磁各向异性能不够，磁记录介质的热稳定性不高的技术问题。为了实现上述目的，本申请提供一种磁盘盘片，所述磁盘盘片包括：衬底层；磁性层，所述磁性层位于所述衬底层之上；保护层，所述保护层位于所述磁性层之上；其中，所述磁性层包括第一铁铂合金薄膜；所述衬底层为晶体，以使所述衬底层诱导所述第一铁铂合金薄膜形成有序磁性层。可选地，所述磁盘盘片还包括第一隔离层，所述第一隔离层位于所述衬底层与所述磁性层之间，其中，所述第一隔离层为晶体，且所述第一隔离层的晶格常数介于所述衬底层与所述磁性层的晶格常数之间。可选地，所述磁盘盘片还包括第二隔离层以及第二铁铂合金薄膜，所述第二隔离层位于所述磁性层与所述第二铁铂合金薄膜之间，其中，所述第二隔离层为晶体，且所述第二隔离层的晶格常数与所述磁性层的晶格常数匹配。可选地，所述第一隔离层和/或所述第二隔离层为氧化镁膜；所述衬底层为单晶硅基片。可选地，所述保护层包括碳覆盖膜和润滑膜，所述碳覆盖膜位于所述第二铁铂合金薄膜与所述润滑膜之间。为了实现上述目的，本申请还提出一种磁盘盘片制作方法，所述磁盘盘片制作方法包括以下步骤：在衬底层上沉积磁性层，其中，所述磁性层包括第一铁铂合金薄膜，所述衬底层为晶体；真空加热处理所述衬底层以及沉积在所述衬底层上的磁性层，以使所述衬底层诱导所述第一铁铂合金薄膜形成有序磁性层；在所述磁性层上形成保护层。可选地，所述真空加热处理所述衬底层以及沉积在所述衬底层上的磁性层，以使所述衬底层诱导所述第一铁铂合金薄膜形成有序磁性层的步骤包括：将所述衬底层以及沉积在所述衬底层上的磁性层置于真空加热处理装置内；依次以不同预设温度对所述磁性层加热预设时间，以使所述衬底层诱导所述第一铁铂合金薄膜形成有序磁性层。可选地，所述在衬底层上沉积磁性层的步骤包括：在衬底层上沉积第一隔离层；在所述第一隔离层上沉积所述磁性层，其中，所述第一隔离层为晶体，且所述第一隔离层的晶格常数介于所述衬底层与所述磁性层的晶格常数之间。可选地，所述真空加热处理所述衬底层以及沉积在所述衬底层上的磁性层，以使所述衬底层诱导所述第一铁铂合金薄膜形成有序磁性层的步骤之后，所述磁盘盘片制作方法还包括：在所述磁性层上沉积第二隔离层，其中，所述第二隔离层为氧化镁薄膜；在所述第二隔离层上沉积第二铁铂合金薄膜。此外，本申请还提供一种磁性记忆体存储器件，所述磁性记忆体存储器件包括磁盘盘片；其中，所述磁盘盘片包括：衬底层；磁性层，所述磁性层位于所述衬底层之上；保护层，所述保护层位于所述磁性层上；其中，所述磁性层包括第一铁铂合金薄膜；所述衬底层为晶体，以使所述衬底层诱导所述第一铁铂合金薄膜形成有序磁性层。在本申请提供一种磁盘盘片及其制作方法以及磁性记忆体存储器件，通过在衬底层上设置磁性层，且设置所述磁性层包括第一铁铂合金薄膜，所述衬底层为晶体，以使所述衬底层诱导所述第一铁铂合金薄膜形成有序磁性层，基于本申请采用铁铂合金材料作为磁性层，铁铂合金的磁各向异性能较高，能够满足各晶粒尺寸对磁各向异性能的要求，且基于衬底层诱导磁性层形成有序相磁性层，该磁记录介质的热稳定性高。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的获得其他的附图。图1为本申请一实施例磁盘盘片的结构示意图；图2为本申请第二实施例磁盘盘片的结构示意图；图3为本申请第三实施例磁盘盘片的结构示意图；图4为本申请磁盘盘片制作方法第一实施例的流程示意图；图5为图4中步骤S20进一步细化的流程示意图；图6为本申请磁盘盘片制作方法第二实施例的流程示意图；图7本申请磁盘盘片制作方法第三实施例的流程示意图。附图标号说明：本申请目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。需要说明，本申请实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。另外，在本申请中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本申请要求的保护范围之内。本申请提供一种磁盘盘片，用于记录和存储数据。参见图1，一实施例中，所述磁盘盘片包括：衬底层100、磁性层200以及保护层300，所述磁性层200位于所述衬底层100之上，所述保护层300位于所述磁性层200上；其中，所述磁性层200包括第一铁铂合金薄膜；所述衬底层100为晶体，以使所述衬底层100诱导所述第一铁铂合金薄膜形成有序磁性层200。也即本申请磁盘盘片结构的磁性层200采用铁铂合金材料制成，而为了适配所述铁铂合金材料的生成，所述衬底层100采用晶体材料，使得所述磁性层200形成有序相的铁铂合金。具体地，磁存储技术中磁记录介质层是非常重要的一部分，磁记录介质层的材料决定其磁存储能力，同时，还要考虑其热稳定性，因此磁记录介质层的材料选择至关重要。本申请磁盘盘片结构为了满足各种晶粒尺寸下均具有较好的热稳定性，且具有较高的磁各向异性能要求，所述磁性层200采用铁铂合金材料制成，而由于所述第一铁铂合金薄膜(FePt)磁畴垂直于面外，需要一种衬底，以诱导所述第一铁铂合金薄膜有序相生长，同时防止所述第一铁铂合金薄膜发生晶格畸变和热扩展，确保铁铂合金材料的磁记录功能以及热稳定性，本申请的衬底层100采用晶体材料，基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁盘盘片，其特征在于，所述磁盘盘片包括：衬底层；磁性层，所述磁性层位于所述衬底层之上；保护层，所述保护层位于所述磁性层之上；其中，所述磁性层包括第一铁铂合金薄膜；所述衬底层为晶体，以使所述衬底层诱导所述第一铁铂合金薄膜形成有序磁性层。

【技术特征摘要】
1.一种磁盘盘片，其特征在于，所述磁盘盘片包括：衬底层；磁性层，所述磁性层位于所述衬底层之上；保护层，所述保护层位于所述磁性层之上；其中，所述磁性层包括第一铁铂合金薄膜；所述衬底层为晶体，以使所述衬底层诱导所述第一铁铂合金薄膜形成有序磁性层。2.根据权利要求1所述的磁盘盘片，其特征在于，所述磁盘盘片还包括第一隔离层，所述第一隔离层位于所述衬底层与所述磁性层之间，其中，所述第一隔离层为晶体，且所述第一隔离层的晶格常数介于所述衬底层与所述磁性层的晶格常数之间。3.根据权利要求1或2所述的磁盘盘片，其特征在于，所述磁盘盘片还包括第二隔离层以及第二铁铂合金薄膜，所述第二隔离层位于所述磁性层与所述第二铁铂合金薄膜之间，其中，所述第二隔离层为晶体，且所述第二隔离层的晶格常数与所述磁性层的晶格常数匹配。4.根据权利要求3所述的磁盘盘片，其特征在于，所述第一隔离层和/或所述第二隔离层为氧化镁膜；所述衬底层为单晶硅基片。5.根据权利要求1所述的磁盘盘片，其特征在于，所述保护层包括碳覆盖膜和润滑膜，所述碳覆盖膜位于所述第二铁铂合金薄膜与所述润滑膜之间。6.一种磁盘盘片制作方法，其特征在于，所述磁盘盘片制作方法包括以下步骤：在衬底层上沉积磁性层，其中，所述磁性层包括第一铁铂合金薄膜，所述衬底层为晶体；真空加热处理所述衬底层以及沉积在所述衬底层上的磁性层，以使所述衬底层诱导所述第一铁铂合金薄膜形成有序磁性层；在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：卓恩宗，林春燕，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44