芯基板、多层配线基板、半导体封装体、半导体组件、覆铜基板、及芯基板的制造方法技术

技术编号:21666543 阅读:50 留言:0更新日期:2019-07-20 07:47
提供一种难以发生玻璃芯基板的破裂的技术。本发明专利技术的芯基板1具备玻璃板10、以及设置于所述玻璃板10的一个主面上的第1导体图案20,所述第1导体图案20包含:设置于所述玻璃板10的所述一个主面上且磷含量为5质量%以下的第1镀镍层210、以及设置于所述第1镀镍层210上的第1镀铜层22。

Manufacturing methods of core substrates, multi-layer wiring substrates, semiconductor packages, semiconductor components, copper clad substrates and core substrates

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】芯基板、多层配线基板、半导体封装体、半导体组件、覆铜基板、及芯基板的制造方法
本专利技术涉及芯基板、多层配线基板、半导体封装体、半导体组件、覆铜基板、及芯基板的制造方法。
技术介绍
近年来,电子设备的高功能化及小型化持续进展中。与此相伴地,要求搭载于电子设备的半导体组件的高密度化。为了应对这样的要求,进行了提高用于安装半导体芯片的配线基板的配线密度的研究。作为包含于配线基板中的芯材,一般使用玻璃环氧树脂(日本特开2000-252630号公报)。近年来,使用玻璃板作为芯材的玻璃配线基板受到关注。相比于由玻璃环氧树脂所构成的芯材,玻璃板能够实现更高的平滑度。因此,在玻璃配线基板中,可形成超微细配线。因此,若使用玻璃配线基板,则可进行高密度的安装。另外,玻璃板在20℃至260℃的温度范围中的线膨胀系数(CTE)与使用硅基板的半导体芯片在20℃至260℃的温度范围中的线膨胀系数基本一致。因此,若使用玻璃配线基板,则可实现残留应力小的安装。此外,玻璃配线基板在高速传送方面性能优异。根据以上,玻璃配线基板作为搭载于高性能电子设备中的半导体组件的配线基板之一而受到关注。
技术实现思路
玻璃芯基板是玻璃配线基板或其一部分。玻璃芯基板可通过以下的方法获得:在玻璃板的至少一个主面上,利用化学镀法形成镀镍层;利用电镀法,形成被覆有该镀镍层的一部分的镀铜层;以及对镀镍层的其他部分(即镀镍层当中的未被镀铜层被覆的部分)蚀刻,从而形成导体图案。然而,利用这种方法得到的玻璃芯基板会有容易发生破裂的问题。因此,本专利技术的目的在于提供一种难以发生玻璃芯基板破裂的技术。根据本专利技术的第1方面,提供一种芯基板,其具备玻璃板以及设置于所述玻璃板的一个主面上的第1导体图案,所述第1导体图案包含:设置于所述玻璃板的所述一个主面上且磷含量为5质量%以下的第1镀镍层、以及设置于所述第1镀镍层上的第1镀铜层。根据本专利技术的第2方面,提供一种多层配线基板,其具备:根据第1方面的芯基板、将所述第1导体图案夹在中间而与所述玻璃板相对向的配线层、以及存在于所述第1导体图案与所述配线层之间的绝缘层。根据本专利技术的第3方面,提供一种半导体封装体,其具备:根据第1方面的芯基板或者根据第2方面的多层配线基板、以及搭载于该多层配线基板上的半导体芯片。根据本专利技术的第4方面,提供一种半导体组件,其具备:根据第3方面的半导体封装体、以及搭载有该半导体封装体的母板。根据本专利技术的第5方面,提供一种覆铜基板,其具备:玻璃板、设置于所述玻璃板的一个主面上且磷含量为5质量%以下的镀镍层、以及设置于所述镀镍层上的镀铜层。根据本专利技术的第6方面,提供一种芯基板的制造方法,包括:在玻璃板的至少一个主面上,利用化学镀法形成磷含量为5质量%以下的镀镍层;利用电镀法形成被覆有所述镀镍层的一部分的镀铜层;以及使用酸作为蚀刻剂对所述镀镍层的其他部分进行蚀刻,从而形成含有所述镀镍层的所述一部分和所述镀铜层的导体图案。附图简要说明[图1]为示意性地表示根据本专利技术一个方式的芯基板的平面图。[图2]为沿着图1所示的芯基板的F2-F2线的剖面图。[图3]为示意性地表示图1及图2所示的芯基板的第1变形例的剖面图。[图4]为示意性地表示图1及图2所示的芯基板的第2变形例的剖面图。[图5]为示意性地表示根据本专利技术其他方式的芯基板的平面图。[图6]为沿着图5所示的芯基板的F6-F6线的剖面图。[图7]为示意性地表示图5及图6所示的芯基板的第1变形例的剖面图。[图8]为示意性地表示图5及图6所示的芯基板的第2变形例的剖面图。[图9]为示意性地表示包含图4所示的芯基板的多层配线基板的剖面图。[图10]为示意性地表示包含图8所示的芯基板的多层配线基板的剖面图。[图11]为示意性地表示包含图9或图10所示的多层配线基板的半导体组件的一个例子的剖面图。[图12]为示意性地表示包含图9或图10所示的多层配线基板的半导体组件的其他例子的剖面图。[图13A]为示意性地表示图1及图2所示的芯基板的制造方法的一个例子的剖面图。[图13B]为示意性地表示图1及图2所示的芯基板的制造方法的一个例子的剖面图。[图13C]为示意性地表示图1及图2所示的芯基板的制造方法的一个例子的剖面图。[图13D]为示意性地表示图1及图2所示的芯基板的制造方法的一个例子的剖面图。[图13E]为示意性地表示图1及图2所示的芯基板的制造方法的一个例子的剖面图。[图13F]为示意性地表示图1及图2所示的芯基板的制造方法的一个例子的剖面图。[图14A]为示意性地表示图9所示的多层配线基板的制造方法的一个例子的剖面图。[图14B]为示意性地表示图9所示的多层配线基板的制造方法的一个例子的剖面图。[图14C]为示意性地表示图9所示的多层配线基板的制造方法的一个例子的剖面图。[图14D]为示意性地表示图9所示的多层配线基板的制造方法的一个例子的剖面图。[图14E]为示意性地表示图9所示的多层配线基板的制造方法的一个例子的剖面图。[图14F]为示意性地表示图9所示的多层配线基板的制造方法的一个例子的剖面图。[图14G]为示意性地表示图9所示的多层配线基板的制造方法的一个例子的剖面图。[图14H]为示意性地表示图9所示的多层配线基板的制造方法的一个例子的剖面图。[图14I]为示意性地表示图9所示的多层配线基板的制造方法的一个例子的剖面图。[图15A]为示意性地表示图5及图6所示的芯基板的制造方法的一个例子的剖面图。[图15B]为示意性地表示图5及图6所示的芯基板的制造方法的一个例子的剖面图。[图15C]为示意性地表示图5及图6所示的芯基板的制造方法的一个例子的剖面图。[图15D]为示意性地表示图5及图6所示的芯基板的制造方法的一个例子的剖面图。[图15E]为示意性地表示图5及图6所示的芯基板的制造方法的一个例子的剖面图。[图15F]为示意性地表示图5及图6所示的芯基板的制造方法的一个例子的剖面图。[图15G]为示意性地表示图5及图6所示的芯基板的制造方法的一个例子的剖面图。[图15H]为示意性地表示图5及图6所示的芯基板的制造方法的一个例子的剖面图。[图15I]为示意性地表示图5及图6所示的芯基板的制造方法的一个例子的剖面图。[图16]为示意性地表示图10所示的多层配线基板的制造方法的一个例子的剖面图。具体实施方式本专利技术人针对上述问题进行了详细的研究。结果是,发现镀镍层的磷含量会影响到芯基板的破裂。也就是说,以往,形成于玻璃板的至少一个主面上的镀镍层的磷含量为6质量%以上。然而,本专利技术人获得了如此见解:通过使该镀镍层的磷含量充分地变小,从而使芯基板的破裂难以发生。本专利技术是基于该见解而完成的。以下,参照附图对本专利技术的方式进行说明。需要说明的是,在以下的说明中,对于具有相同要素或相同功能的各部分使用同一符号,并省略重复的说明。图1为示意性地表示根据本专利技术的一个方式的芯基板的平面图。图2为沿着图1所示的芯基板的F2-F2线的剖面图。图1及图2所示的芯基板1具备:设有贯通孔TH的玻璃板10、第1导体图案20、第2导体图案30、以及导体层40。玻璃板10通常具有透光性。构成玻璃板10的玻璃材料的成分及其掺合比率并无特别限定。作为玻璃板10,例如可使用无碱玻璃、碱玻璃、硼硅酸玻璃、石英玻璃、蓝本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯基板,具备玻璃板、以及设置于所述玻璃板的一个主面上的第1导体图案,所述第1导体图案包含:设置于所述玻璃板的所述一个主面上且磷含量为5质量%以下的第1镀镍层、以及设置于所述第1镀镍层上的第1镀铜层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.12.07 JP 2016-2376591.一种芯基板,具备玻璃板、以及设置于所述玻璃板的一个主面上的第1导体图案,所述第1导体图案包含:设置于所述玻璃板的所述一个主面上且磷含量为5质量%以下的第1镀镍层、以及设置于所述第1镀镍层上的第1镀铜层。2.根据权利要求1所述的芯基板,其进一步具备:设置于所述第1导体图案的至少一部分上的电极、以及存在于所述第1导体图案与所述电极之间的介电质层,所述电极、所述第1导体图案当中的与所述电极相对向的部分、以及所述介电质层构成了电容器。3.根据权利要求1所述的芯基板,其进一步具备:设置于所述第1导体图案的至少一部分上的第1电极、存在于所述第1电极与所述第1导体图案之间的第2电极、以及存在于所述第1及第2电极间的介电质层,所述第1及第2电极和所述介电质层构成了电容器。4.根据权利要求2或3所述的芯基板,其中,所述介电质层含有氧化铝、氧化钽及氮化硅中的至少一者。5.根据权利要求1至4中任一项所述的芯基板,其中,所述第1镀镍层的厚度为0.3μm以下。6.根据权利要求1至5中任一项所述的芯基板,其中,所述第1导体图案进一步包括:存在于所述第1镀镍层与所述玻璃板之间的钛层、以及存在于所述钛层与所述第1镀镍层之间的铜层。7.根据权利要求1至6中任一项所述的芯基板,其进一步具备设置于所述玻璃板的另一个主面上的第2导体图案,所述第2导体图案包含:设置于所述玻璃板的所述另一个主面上且磷含量为5质量%以下的第2镀镍层、以及设置于所述第2镀镍层上的第2镀铜层。8.根据权利要求7所述的芯基板,其中,所述玻璃板具有贯通孔,所述芯基板进一步具备导体层,该导体层被覆所述贯通孔的侧壁,并且将所述第1及第2导体图案彼此电连接,所述导体层包含:设置于所述侧壁上且磷含量为5质量%以下的第3镀镍层、以及设置于所述第3镀镍层上的第3镀铜层。9.根据权利要求8所述的芯基板,其中,所述第3镀镍层与所述贯通孔的侧壁接触。10.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:土田彻勇起
申请(专利权)人:凸版印刷株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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