一种GaN功放管电路板组件及电子设备制造技术

一种GaN功放管电路板组件及电子设备，包括：GaN功放管、以及电路板层；其中，所述GaN功放管包括GaN晶体管以及与所述GaN晶体管连接的栅极、漏极、源极，所述GaN功放管的源极接地，所述GaN功放管的栅极连接至栅极电压Vg，所述GaN功放管的漏极连接至漏极电压Vd；所述漏极的输入端与所述漏极电压Vd之间设置有至少一个漏极滤波电容，所述漏极滤波电容靠近于所述GaN功放管的漏极输入端。本申请在添加滤波电容的同时，在电路布局上进行了相应的改进，将所述漏极滤波电容靠近于所述GaN功放管的漏极输入端，有效降低了大功率GaN功放管漏极调制电压Vd受射频输出信号影响而产生的毛刺，保证了功放管的稳定性。

A Kind of GaN Power Amplifier Circuit Board Component and Electronic Equipment

【技术实现步骤摘要】
一种GaN功放管电路板组件及电子设备
本申请涉及技术，具体地，涉及一种GaN功放管电路板组件及电子设备。
技术介绍
目前，航空无线电通信导航识别设备通常在L波段(频率在1-2GHz的无线电波波段)工作于多种模式，例如：空中交通管制、精密测距、塔康、联合战术信息分发系统等。为了满足航空无线电通信导航识别系统多种工作模式的要求，传统上采用的是不同工作模式配置不同工作模块的方式实现。然而，这种方式不仅模块利用率低、抗干扰能力差，还增加了成本和体积。现阶段航空无线电通信导航识别系统逐步趋于小型化和综合化，同时对L波段发射模块的功率要求也更高，对功放管的输出功率要求更大，传统方式已不能满足需求。现有技术中存在的问题：航空无线电通信导航识别系统的抗干扰能力差，容易烧毁功放管。
技术实现思路
本申请实施例中提供了一种GaN功放管电路板组件及电子设备，以解决上述技术问题。根据本申请实施例的第一个方面，提供了一种GaN功放管电路板组件，包括：GaN功放管、以及电路板层；其中，所述GaN功放管包括GaN晶体管以及与所述GaN晶体管连接的栅极、漏极、源极，所述GaN功放管的源极接地，所述GaN功放管的栅极连接至栅极电压Vg，所述GaN功放管的漏极连接至漏极电压Vd；所述漏极的输入端与所述漏极电压Vd之间设置有至少一个漏极滤波电容，所述漏极滤波电容靠近于所述GaN功放管的漏极输入端。根据本申请实施例的第二个方面，提供了一种电子设备，包括如上所述的GaN功放管电路板组件。有益效果：采用本申请实施例中提供的GaN功放管电路板组件及电子设备，在添加滤波电容的同时，在电路布局上进行了相应的改进，将所述漏极滤波电容靠近于所述GaN功放管的漏极输入端，有效降低了大功率GaN功放管漏极调制电压Vd受射频输出信号影响而产生的毛刺，保证了功放管的稳定性。附图说明此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：图1示出了本申请实施例中GaN功放管电路板组件的电路布局示意图一；图2示出了本申请实施例中GaN功放管电路板组件的电路布局示意图二。具体实施方式专利技术人在专利技术过程中注意到：目前，大功率GaN(氮化镓，GalliumNitride)功放管使用过程中，栅极、漏极滤波方式普遍沿用常规的滤波方法，滤除外部的常规高、中、低频干扰信号，而不考虑射频输出信号通过空间辐射或微带耦合对功放管的影响。对末级GaN功放管放大链路而言，输出射频信号的空间辐射或微带耦合对栅极、漏极的影响是不可避免的。对于输出功率较小的功放管而言，这种影响较小，对功放管及模块稳定性不会造成威胁；然而，对大功率GaN功放管而言，输出射频信号的空间辐射或微带耦合对电压的影响是不可忽视的，尤其是对离输出端较近的漏极调制电压Vd而言，射频输出信号通过辐射与漏极调制信号叠加形成毛刺，GaN功放管的漏极承受瞬间冲击电压有限，若毛刺最高电压超过了功放管漏极承受最大瞬间冲击电压则会烧毁功放管。现阶段，GaNHEMT(高电子迁移率晶体管，HighElectronMobilityTransistor)材料的高电子迁移率特性使得GaN功放管栅极电压微小变化对漏极电流影响较大。为提高GaN功放管输出功率，功放管必须在较高的漏极电压下工作。若大功率GaN功放管的栅极、漏极输入端滤波电容位置摆放不合理，使得栅极、漏极电压串扰，影响功放管栅极电压供电，导致漏极电流过大，烧毁器件问题。为了解决现有技术存在的技术问题，本申请提出了在大功率GaN功放管电路设计过程中，通过合理的电路布局，增加了大功率GaN功放管栅极、漏极供电的稳定性，有效避免栅压、漏压串扰，增强栅压、漏压抗干扰能力，提高大功率GaN功放管的稳定性。本申请实施例中的方案可以采用各种计算机语言实现，例如，面向对象的程序设计语言Java和直译式脚本语言JavaScript等。为了使本申请实施例中的技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图对本申请的示例性实施例进行进一步详细的说明，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是所有实施例的穷举。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。实施例1本申请实施例提供了一种GaN功放管电路板组件，下面进行说明。图1示出了本申请实施例中GaN功放管电路板组件的电路布局示意图一，如图所示，所述GaN功放管电路板组件包括：GaN功放管、以及电路板层；其中，所述GaN功放管包括GaN晶体管以及与所述GaN晶体管连接的栅极、漏极、源极，所述GaN功放管的源极接地，所述GaN功放管的栅极连接至栅极电压Vg，所述GaN功放管的漏极连接至漏极电压Vd；所述漏极的输入端与所述漏极电压Vd之间设置有至少一个漏极滤波电容，所述漏极滤波电容靠近于所述GaN功放管的漏极输入端。现有技术中，由于大功率GaN功放管的漏极调制电压Vd离射频输出端较近，导致射频输出信号通过辐射与漏极调制信号叠加形成的过高毛刺电压容易烧毁器件。针对大功率GaN功放管漏极调制电压Vd受射频输出信号影响，产生高电压毛刺烧毁器件的问题，专利技术人想到在所述漏极的输入端与所述漏极电压Vd之间放置对应容值的滤波电容，但是经过创造性劳动发现，在所述漏极的输入端与所述漏极电压Vd之间放置对应容值的滤波电容后依然存在烧毁器件的可能性，因此，专利技术人进一步想到在电路布局上做改进，如图1所示，将对应容值的漏极滤波电容放置图1中C6位置，也就是将滤波电容放置就进功放管漏极输入端位置。在一种实施方式中，在所述漏极的输入端与所述漏极电压Vd之间设置的漏极滤波电容的总容值根据射频输出信号经辐射与漏极调制信号叠加后的电压确定。在一种实施方式中，在所述漏极的输入端与所述漏极电压Vd之间设置的漏极滤波电容的数量根据所需滤波电容的总容值以及每个滤波电容的容值确定。本申请实施例中提供的GaN功放管电路板组件，在添加滤波电容的同时，在电路布局上进行了相应的改进，将所述漏极滤波电容靠近于所述GaN功放管的漏极输入端，有效降低了大功率GaN功放管漏极调制电压Vd受射频输出信号影响而产生的毛刺，保证了功放管的稳定性。在一种实施方式中，所述栅极的输入端与栅极电压Vg之间还设置有至少一个栅极滤波电容。本申请实施例为了滤除栅极的毛刺、提高栅极电压的稳定性，在所述栅极的输入端与栅极电压Vg之间还设置有至少一个栅极滤波电容。在一种实施方式中，所述栅极滤波电容靠近于所述GaN功放管的栅极输入端。在一种实施方式中，所述栅极滤波电容的数量或者总容值可以根据栅极电压确定。在一种实施方式中，所述栅极滤波电容的数量可以为3个。在一种实施方式中，所述漏极滤波电容与所述栅极滤波电容位于同一印制板层。本申请实施例中对于大功率GaN功放管栅极、漏极滤波电容接地端位置，同一PCB(印刷电路板，PrintedCircuitBoard)层不共用同一块地、不重叠。在一种实施方式中，所述漏极滤波电容的接地端与所述栅极滤波电容的接地端连接于同一管脚接地。专利技术人在专利技术过程中注意到：现有技术中，大功率GaN功放管的栅极、漏极电压滤波电容位置摆放不合理，导致漏极电压串扰，影响栅极电压供电，导致漏极电流过大，进而烧毁器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种GaN功放管电路板组件，其特征在于，包括：GaN功放管、以及电路板层；其中，所述GaN功放管包括GaN晶体管以及与所述GaN晶体管连接的栅极、漏极、源极，所述GaN功放管的源极接地，所述GaN功放管的栅极连接至栅极电压Vg，所述GaN功放管的漏极连接至漏极电压Vd；所述漏极的输入端与所述漏极电压Vd之间设置有至少一个漏极滤波电容，所述漏极滤波电容靠近于所述GaN功放管的漏极输入端。

【技术特征摘要】
1.一种GaN功放管电路板组件，其特征在于，包括：GaN功放管、以及电路板层；其中，所述GaN功放管包括GaN晶体管以及与所述GaN晶体管连接的栅极、漏极、源极，所述GaN功放管的源极接地，所述GaN功放管的栅极连接至栅极电压Vg，所述GaN功放管的漏极连接至漏极电压Vd；所述漏极的输入端与所述漏极电压Vd之间设置有至少一个漏极滤波电容，所述漏极滤波电容靠近于所述GaN功放管的漏极输入端。2.根据权利要求1所述的GaN功放管电路板组件，其特征在于，所述栅极的输入端与栅极电压Vg之间还设置有至少一个栅极滤波电容。3.根据权利要求2所述的GaN功放管电路板组件，其特征在于，所述漏极滤波电容与所述栅极滤波电容位于同一印制板层。4.根据权利要求2所述的GaN功放管电路板组件，其特征在于，所述漏极滤波电容的接地端与所述栅极滤波电容的接地端连接于同一管脚接地。5.根据权利要求2所述的G...

【专利技术属性】
技术研发人员：成会，陶碧良，刘鹏杰，徐小强，梅永胜，蒲云林，潘成胜，
申请(专利权)人：四川九洲电器集团有限责任公司，
类型：发明
国别省市：四川,51