一种大功率双向贴片瞬态电压抑制二极管制造技术

技术编号:21640406 阅读:66 留言:0更新日期:2019-07-17 15:52
本实用新型专利技术公开了一种大功率双向贴片瞬态电压抑制二极管,包括:N颗TVS芯片、N+1块铜板、跳线、塑封体和两个引脚;塑封体用于包裹N颗TVS芯片、N+1块铜板和跳线;引脚设置在塑封体底部,并从塑封体的两侧伸出;N+1块铜板叠层设置在一起,形成一叠装结构,且每两块相邻设置的铜板之间安装一颗TVS芯片,每颗TVS芯片分别与其两侧的铜板电气连接,使N颗TVS芯片串联连接;而且,叠装结构一端的铜板通过跳线与一个引脚电气连接,叠装结构另一端的铜板与另一个引脚结合在一起,实现电气连接;其中N不小于2。因此,本实用新型专利技术的器件面积减小,由于采用贴片式封装设计,可使用SMT自动上板,其散热性更好,热阻更低。

A High Power Bidirectional Patch Transient Voltage Suppression Diode

【技术实现步骤摘要】
一种大功率双向贴片瞬态电压抑制二极管
本技术涉及二极管设计领域,具体涉及一种大功率双向贴片瞬态电压抑制二极管。
技术介绍
瞬态电压抑制二极管(TransientVoltageSuppressor)简称TVS,又称为钳位型二极管,是目前国际上普遍使用的一种高效能电路保护器件。当瞬态电压抑制二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以10-12s量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,将两极间的箝位电压位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。而在高频线路的应用中,由于常规的瞬态电压抑制二极管的结电容通常只有几百pF左右,即使瞬态电压抑制二极管处于不工作的状态下,高频信号往往也会失真。因此,市场上出现了在高频应用上的低电容瞬态电压抑制二极管,既可以减小普通瞬态电压抑制二极管引入带来的信号畸变,又可以对信号中的瞬时高能量脉冲进行吸收。通过大功率双向贴片瞬态电压抑制二极管,替代放电管配合大量电感的防护方案,以达到缩减PCB空间,降低器件成本的目的。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术中所存在的上述不足,提供一种大功率双向贴片瞬态电压抑制二极管。为了实现上述技术目的,本技术提供了以下技术方案:一种大功率双向贴片瞬态电压抑制二极管,包括:N颗TVS芯片、N+1块铜板、跳线、塑封体和两个引脚;其中,所述塑封体用于包裹所述N颗TVS芯片、所述N+1块铜板和所述跳线;所述引脚设置在所述塑封体底部,并从所述塑封体的两侧伸出;所述N+1块铜板叠层设置在一起,形成一叠装结构,且每两块相邻设置的铜板之间安装一颗所述TVS芯片,每颗所述TVS芯片分别与其两侧的铜板电气连接,使所述N颗TVS芯片串联连接;而且,所述叠装结构一端的铜板通过所述跳线与一个所述引脚电气连接,所述叠装结构另一端的铜板与另一个引脚结合在一起,实现电气连接;其中,N不小于2。优选的,所述TVS芯片的尺寸大小介于84mil-100mil之间。优选的,所述塑封体的高度不超过7.24mm,长度不超过15.09mm,宽不超过14.90mm。优选的,所述塑封体的底部为焊盘结构。优选的,所述引脚为平脚贴片结构。优选的,所述塑封体的材料选用环氧树脂,并采用压塑工艺制成。与现有技术相比,本技术的有益效果:本技术采用一种大功率双向贴片瞬态电压抑制二极管,包括:N颗TVS芯片、N+1块铜板、跳线、塑封体和两个引脚;其中,塑封体用于包裹N颗TVS芯片、N+1块铜板和跳线;引脚设置在塑封体底部,并从塑封体的两侧伸出;N+1块铜板叠层设置在一起,形成一叠装结构,且每两块相邻设置的铜板之间安装一颗TVS芯片,每颗TVS芯片分别与其两侧的铜板电气连接,使N颗TVS芯片串联连接;而且,叠装结构一端的铜板通过跳线与一个引脚电气连接,叠装结构另一端的铜板与另一个引脚结合在一起,实现电气连接;其中,N不小于2。该大功率双向贴片瞬态电压抑制二极管,器件面积减小,使用国产小面积芯片替代进口大面积芯片,贴片式封装设计,可使用SMT自动上板,其散热性更好,热阻更低,可承受10KA浪涌电流。附图说明图1为一种大功率双向贴片瞬态电压抑制二极管结构示意图。其中,1-引脚、2-TVS芯片、3-铜板、4-跳线、5-塑封体。具体实施方式下面结合试验例及具体实施方式对本技术作进一步的详细描述。但不应将此理解为本技术上述主题的范围仅限于以下的实施例,凡基于本
技术实现思路
所实现的技术均属于本技术的范围。实施例1本技术,大功率双向贴片瞬态电压抑制二极管,包括:N颗TVS芯片、N+1块铜板、跳线、塑封体和两个引脚;其中,塑封体用于包裹N颗TVS芯片、N+1块铜板和跳线;引脚设置在塑封体底部,并从塑封体的两侧伸出;N+1块铜板叠层设置在一起形成一叠装结构,且每两块相邻设置的铜板之间安装一颗TVS芯片,每颗TVS芯片分别与其两侧的铜板电气连接,使N颗TVS芯片串联连接;而且,叠装结构一端的铜板通过跳线与一个引脚电气连接,叠装结构另一端的铜板与另一个引脚结合在一起,实现电气连接。其中N不小于2。例如,如图1所示,包括:2个引脚1、3颗TVS芯片2、4块铜板3、跳线4和塑封体5;其中,塑封体5用于包裹3颗TVS芯片2、4块铜板2和跳线4;引脚1设置在塑封体5底部,并从塑封体5的两侧伸出;铜板用于驱散TVS芯片2的PN结产生的热量;4块铜板叠层设置在一起,形成一叠装结构,且每两块相邻设置的铜板之间安装一颗TVS芯片2,每颗TVS芯片2分别与其两侧的铜板电气连接,使3颗TVS芯片串联连接;而且,跳线4的一端与叠装结构一端的铜板连接,另一端与一个引脚连接;叠装结构另一端的铜板与另一个引脚连接。具体实施过程中,内部结构采用三层芯片叠装,利用二极管串联分压原理,通过多层小面积芯片承受了10KA的浪涌电流,极大地降低了对芯片面积的要求,可使用国产芯片替代进口芯片,同时也减小了封装面积,便于使用安装。具体实施过程中,TVS芯片的尺寸大小介于84mil-100mil之间。塑封体的高度不超过7.24mm,长度不超过15.09mm,宽不超过14.90mm。塑封体的引脚为平脚贴片结构,且高度不超过塑封体的高度。引脚为平脚贴片结构,且引脚从塑封体的水平侧面伸出,焊接面与塑封体在同一水平面,可以使用SMT自动安装于PCB板表面,通过回流焊焊接上板,无需插孔焊接。塑封体的底部为焊盘结构,塑封体的材料选用环氧树脂,使塑封体具有更好的散热性,并通过底部焊盘设计改进散热,获得更低的热阻,可承受更大的功率,并且塑封体采用压塑工艺制作。本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种大功率双向贴片瞬态电压抑制二极管,其特征在于,包括:N颗TVS芯片、N+1块铜板、跳线、塑封体和两个引脚;其中,所述塑封体用于包裹所述N颗TVS芯片、所述N+1块铜板和所述跳线;所述引脚设置在所述塑封体底部,并从所述塑封体的两侧伸出;所述N+1块铜板叠层设置在一起,形成一叠装结构,且每两块相邻设置的铜板之间安装一颗所述TVS芯片,每颗所述TVS芯片分别与其两侧的铜板电气连接,使所述N颗TVS芯片串联连接;而且,所述叠装结构一端的铜板通过所述跳线与一个所述引脚电气连接,所述叠装结构另一端的铜板与另一个引脚结合在一起,实现电气连接;其中,N不小于2。

【技术特征摘要】
1.一种大功率双向贴片瞬态电压抑制二极管,其特征在于,包括:N颗TVS芯片、N+1块铜板、跳线、塑封体和两个引脚;其中,所述塑封体用于包裹所述N颗TVS芯片、所述N+1块铜板和所述跳线;所述引脚设置在所述塑封体底部,并从所述塑封体的两侧伸出;所述N+1块铜板叠层设置在一起,形成一叠装结构,且每两块相邻设置的铜板之间安装一颗所述TVS芯片,每颗所述TVS芯片分别与其两侧的铜板电气连接,使所述N颗TVS芯片串联连接;而且,所述叠装结构一端的铜板通过所述跳线与一个所述引脚电气连接,所述叠装结构另一端的铜板与另一个引脚结合在一起,实现电气连接;其中,N不小于2。2.根据权利要求1所述的一种大功...

【专利技术属性】
技术研发人员:谭志伟
申请(专利权)人:乐山无线电股份有限公司
类型:新型
国别省市:四川,51

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