一种供电装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种供电装置，包括第一控制部，所述第一控制部用于在第一主电源VCCA通电时将第二N沟道MOS管Q2的栅极短路，第二N沟道MOS管Q2的漏极并联有第三N沟道MOS管Q3的栅极、第五N沟道MOS管Q5的栅极及常带电第二触发电源VCC2，第三N沟道MOS管Q3的漏极与常带电第三触发电源VCC3并联于第四N沟道MOS管Q3的栅极，所述第四N沟道MOS管Q3的漏极和第五N沟道MOS管Q5的漏极分别并联有第二主电源VCCB和第一主电源VCCA，所述第四N沟道MOS管Q3的源极和第五N沟道MOS管Q5的源极分别用于与工作模组电性连接。本实用新型专利技术至少包括以下优点：能够对工作电路提供额外的供电电路，保证工作电路正常运转。

A Power Supply Device

【技术实现步骤摘要】
一种供电装置
本技术涉及了半导体
，具体的是一种供电装置。
技术介绍
本部分的描述仅提供与本技术公开相关的背景信息，而不构成现有技术。目前，作为一种故障单元替换技术的冗余技术由备用供电单元和正常供电单元组成供电单元，以便当正常供电单元发生故障时，可以使用备用供电单元替换有故障的供电单元。也就是说，半导体电路具有用于提高产品成品率的冗余电路。现有技术中，半导体电路板一般采用单电源供电，一旦一路供电出现问题，则会导致整体半导体的电路供电无法得到保证。应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本技术的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本技术的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现思路
为了克服现有技术中的缺陷，本技术实施例提供了一种供电装置，其能够对工作电路提供额外的供电电路，保证工作电路正常运转，且设计巧妙，结构优化。本申请实施例公开了：一种供电装置，包括第一控制部，所述第一控制部的一端与第一主电源VCCA电性连接，所述第一控制部的另一端分别与常带电第一触发电源VCC1和第二N沟道MOS管Q2的栅极电性连接，所述第一控制部用于在所述第一主电源VCCA通电时将所述第二N沟道MOS管Q2的栅极短路，所述第二N沟道MOS管Q2的漏极并联有第三N沟道MOS管Q3的栅极、第五N沟道MOS管Q5的栅极及常带电第二触发电源VCC2，所述第三N沟道MOS管Q3的漏极与常带电第三触发电源VCC3并联于第四N沟道MOS管Q3的栅极，所述第四N沟道MOS管Q3的漏极和第五N沟道MOS管Q5的漏极分别并联有第二主电源VCCB和第一主电源VCCA，所述第四N沟道MOS管Q3的源极和第五N沟道MOS管Q5的源极分别用于与工作模组电性连接。进一步地，所述第一控制部包括NPN三极管，所述NPN三极管的基极与所述第一主电源VCCA电性连接，所述NPN三极管Q1的集电极与常带电第一触发电源VCC1并联于第二N沟道MOS管Q2的栅极。进一步地，所述第一控制部包括第一N沟道MOS管Q1，所述第一N沟道MOS管Q1的栅极并联有第一主电源VCCA，所述第一N沟道MOS管Q1的漏极与常带电第一触发电源VCC1并联于第二N沟道MOS管Q2的栅极。进一步地，所述NPN三极管或第一N沟道MOS管Q1、所述第二N沟道MOS管Q2、所述第三N沟道MOS管Q3的集电极或漏极通过第一上拉电阻分别电连接所述常带电第一触发电源VCC1、所述常带电第二触发电源VCC2、所述常带电第三触发电源VCC3。进一步地，所述NPN三极管或第一N沟道MOS管Q1基极或栅极、第二N沟道MOS管Q2、第三N沟道MOS管Q3通过第二上拉电阻分别电连接所述第一主电路VCCA、常带电第一触发电源VCC1、常带电第二触发电源VCC2。进一步地，位于所述第三N沟道MOS管Q3的栅极端的第二上拉电阻的输入端与所述第五N沟道MOS管Q5的栅极端并联。进一步地，所述NPN三极管或第一N沟道MOS管Q1基极或栅极并联有下拉电阻，所述下拉电阻接地。进一步地，所述NPN三极管或第一N沟道MOS管Q1、所述第二N沟道MOS管Q2、所述第三N沟道MOS管Q3的发射极或源极接地。进一步地，所述第一N沟道MOS管Q1、第二N沟道MOS管Q2、第三N沟道MOS管Q3、第四N沟道MOS管Q4、第五N沟道MOS管Q5的栅极电压大于其漏极电压与MOS管自身导通电压之和。借由以上的技术方案，本技术的有益效果如下：1、通过上述的设置方式，本技术能够对工作电路提供额外的供电电路，保证工作电路正常运转，且设计巧妙，结构优化；2、在第一主电源VCCA有电、第二主电源VCCB无电的情况下，电路打开Q1导致Q2关断，Q2关断导致Q3开启，Q3开启导致Q4关闭，Q5开启，由第一主电源VCCA输出到VCCAB为电路供电；在第一主电源VCCA无电、第二主电源VCCB有电的情况下，电路关闭Q1导致Q2开启，Q2开启导致Q3关闭，Q3关闭导致Q4开启，Q5关闭，由第二主电源VCCB输出到VCCAB为电路供电；在第一主电源VCCA和第二主电源VCCB都有电的情况下，电路打开Q1导致Q2关断，Q2关断导致Q3开启，Q3开启导致Q4关闭，Q5开启，由第一主电源VCCA输出到VCCAB为电路供电。为让本技术的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本技术实施例中的整体装置结构示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。需要说明的是，在本技术的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的和区别类似的对象，两者之间并不存在先后顺序，也不能理解为指示或暗示相对重要性。此外，在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。结合图1所示，本实施方式中公开了一种供电装置，包括第一控制部，所述第一控制部的一端与第一主电源VCCA电性连接，所述第一控制部的另一端分别与常带电第一触发电源VCC1和第二N沟道MOS管Q2的栅极电性连接，所述第一控制部用于在所述第一主电源VCCA通电时将所述第二N沟道MOS管Q2的栅极短路，所述第二N沟道MOS管Q2的漏极并联有第三N沟道MOS管Q3的栅极、第五N沟道MOS管Q5的栅极及常带电第二触发电源VCC2，所述第三N沟道MOS管Q3的漏极与常带电第三触发电源VCC3并联于第四N沟道MOS管Q3的栅极，所述第四N沟道MOS管Q3的漏极和第五N沟道MOS管Q5的漏极分别并联有第二主电源VCCB和第一主电源VCCA，所述第四N沟道MOS管Q3的源极和第五N沟道MOS管Q5的源极分别用于与工作模组电性连接。通过上面的设置方式，实现了电路中两路供电的冗余电路供电方式，且不需要采用IC器件，通过三级管和/或MOS的组合即可实现，成本低廉。另一方面，本装置的器件采用表贴工艺安装，能够适用于﹣40℃-85℃的环境温度，且能够适用于较大的震动环境。在另一种可选的实施方式中，所述第一控制部包括NPN三极管，所述NPN三极管的基极与所述第一主电源VCCA电性连接，所述NPN三极管Q1的集电极与常带电第一触发电源VCC1并联于第二N沟道MOS管Q2的栅极。在另一种可选的实施方式中，所述第一控制部包括第一N沟道MOS管Q1，所述第一N沟道MOS管Q1的栅极并联有第一主电源VCCA，所述第一N沟道MOS管Q1的漏极与常带电第一触发电源VCC1并联于第二N沟道MOS管Q2的栅极。在另一种可选的实施方式中，所述NPN三极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种供电装置，其特征在于，包括第一控制部，所述第一控制部的一端与第一主电源VCCA电性连接，所述第一控制部的另一端分别与常带电第一触发电源VCC1和第二N沟道MOS管Q2的栅极电性连接，所述第一控制部用于在所述第一主电源VCCA通电时将所述第二N沟道MOS管Q2的栅极短路，所述第二N沟道MOS管Q2的漏极并联有第三N沟道MOS管Q3的栅极、第五N沟道MOS管Q5的栅极及常带电第二触发电源VCC2，所述第三N沟道MOS管Q3的漏极与常带电第三触发电源VCC3并联于第四N沟道MOS管Q3的栅极，所述第四N沟道MOS管Q3的漏极和第五N沟道MOS管Q5的漏极分别并联有第二主电源VCCB和第一主电源VCCA，所述第四N沟道MOS管Q3的源极和第五N沟道MOS管Q5的源极分别用于与工作模组电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种供电装置，其特征在于，包括第一控制部，所述第一控制部的一端与第一主电源VCCA电性连接，所述第一控制部的另一端分别与常带电第一触发电源VCC1和第二N沟道MOS管Q2的栅极电性连接，所述第一控制部用于在所述第一主电源VCCA通电时将所述第二N沟道MOS管Q2的栅极短路，所述第二N沟道MOS管Q2的漏极并联有第三N沟道MOS管Q3的栅极、第五N沟道MOS管Q5的栅极及常带电第二触发电源VCC2，所述第三N沟道MOS管Q3的漏极与常带电第三触发电源VCC3并联于第四N沟道MOS管Q3的栅极，所述第四N沟道MOS管Q3的漏极和第五N沟道MOS管Q5的漏极分别并联有第二主电源VCCB和第一主电源VCCA，所述第四N沟道MOS管Q3的源极和第五N沟道MOS管Q5的源极分别用于与工作模组电性连接。2.如权利要求1所述的供电装置，其特征在于，所述第一控制部包括NPN三极管，所述NPN三极管的基极与所述第一主电源VCCA电性连接，所述NPN三极管Q1的集电极与常带电第一触发电源VCC1并联于第二N沟道MOS管Q2的栅极；或，所述第一控制部包括第一N沟道MOS管Q1，所述第一N沟道MOS管Q1的栅极并联有第一主电源VCCA，所述第一N沟道MOS管Q1的漏极与常带电第一触发电源VCC1并联于第二N沟道MOS管Q2的栅极。3.如权利要求2所述的供...

【专利技术属性】
技术研发人员：还建斌，何建伟，陈小兵，黎小兵，辛大勇，华国环，
申请(专利权)人：昆山嘉提信息科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32