阵列基板及显示装置制造方法及图纸

技术编号:21613605 阅读:16 留言:0更新日期:2019-07-13 21:13
本公开提供一种阵列基板及显示装置,涉及显示技术领域。阵列基板包括:基底;基于所述基底制作形成的薄膜晶体管;基于所述基底形成并覆盖于所述薄膜晶体管上的绝缘层;覆盖于所述绝缘层上的氧化物半导体层;覆盖于所述绝缘层和氧化物半导体层上,并通过所述绝缘层上开设的通孔与所述薄膜晶体管的电极接触的像素电极。采用本公开的阵列基板及显示装置,降低了薄膜晶体管的漏电流增大。

Array Substrate and Display Device

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及显示装置
本公开涉及显示
,具体而言,涉及一种阵列基板及显示装置。
技术介绍
目前,液晶产品已大量进入人们的生活和工作中,在手机、个人数字助理、电脑、电视等领域得到广泛应用。经研究发现,现有的液晶产品中,阵列基板的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)普遍采用氢化非晶硅等光电导材料制成,由于在可见光的照射下光子能量会使载流子从非导电态激发到导电态的缘故,采用光电导材料制成的薄膜晶体管的导电率在可见光的照射下会急剧增加,使得薄膜晶体管的漏电流增大。
技术实现思路
有鉴于此,本公开提供一种阵列基板及显示装置。第一方面,本公开提供了一种阵列基板,包括:基底;基于所述基底制作形成的薄膜晶体管;基于所述基底形成并覆盖于所述薄膜晶体管上的绝缘层;覆盖于所述绝缘层上的氧化物半导体层;覆盖于所述绝缘层和氧化物半导体层上,并通过所述绝缘层上开设的通孔与所述薄膜晶体管的电极接触的像素电极。可选地,所述氧化物半导体层覆盖于所述像素电极与所述绝缘层之间的整个区域。可选地,所述氧化物半导体层覆盖于所述像素电极与所述绝缘层之间的部分区域。可选地,所述氧化物半导体层覆盖于所述像素电极与所述绝缘层之间、与所述薄膜晶体管相对的区域。可选地,所述薄膜晶体管为多个,多个所述薄膜晶体管在所述基底上呈阵列排布,所述氧化物半导体层覆盖于所述像素电极与所述绝缘层之间、与呈阵列排布的多个所述薄膜晶体管相对的区域。可选地,所述氧化物半导体层为氧化铟锡ITO材料层。可选地,所述氧化铟锡ITO材料层为铟锡氧化物半导体透明导电膜。可选地,所述像素电极采用金属制成,所述像素电极朝向所述基底的一侧形成有反射层,所述反射层上形成有可供光线通过的开口。第二方面,本公开提供了一种显示装置,包括背光模组和上述的阵列基板,所述背光模组设置于基底远离薄膜晶体管的一侧。可选地,所述显示装置还包括彩色滤光片和液晶层,所述液晶层设置于像素电极远离所述基底的一侧,所述彩色滤光片设置于所述液晶层远离所述像素电极的一侧。本公开提供的阵列基板及显示装置,在像素电极朝向薄膜晶体管的一侧巧妙地增设了氧化物半导体层,使得经像素电极反射的光线经过氧化物半导体层之后才能照射到薄膜晶体管,降低了照射到薄膜晶体管的光线的光强,从而降低了薄膜晶体管的漏电流增大,进而改善了因漏电流增大对画面效果所造成的影响。为使本公开的上述目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附附图,作详细说明如下。附图说明为了更清楚地说明本公开的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本公开的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本公开提供的一种阵列基板的结构示意图。图2为本公开提供的另一种阵列基板的结构示意图。图3为本公开提供的一种氧化物半导体层在像素电极上的分布示意图。图4为本公开提供的另一种氧化物半导体层在像素电极上的分布示意图。图5为本公开提供的一种显示装置的结构示意图。图标:100-显示装置;10-阵列基板;11-基底;12-薄膜晶体管;13-绝缘层;14-氧化物半导体层;15-像素电极;20-背光模组;30-液晶层;40-彩色滤光片。具体实施方式如图1所示,阵列基板10包括基底11、薄膜晶体管12、绝缘层13和像素电极15。像素电极15一般采用铝AL等金属制成,金属具有反射作用,因而像素电极15朝向薄膜晶体管12的一侧具有反射作用。射入阵列基板10并到达像素电极15的光线经像素电极15反射至薄膜晶体管12,从而导致薄膜晶体管12产生光生载流子,使薄膜晶体管12的漏电流增大,进而影响画面效果。基于此,如图2所示,若在像素电极15朝向薄膜晶体管12的一侧增设可以降低光线的光强的材料层,如氧化物半导体层14,则可以使得进入阵列基板10的光线经过氧化物半导体层14才能到达像素电极15,经像素电极15反射的光线需要再次经过氧化物半导体层14之后才能照射到薄膜晶体管12,从而降低照射到薄膜晶体管12的光线的光强,进而降低薄膜晶体管12的漏电流增大,改善因漏电流增大对画面效果所造成的影响。针对以上方案所存在的缺陷,均是专利技术人在经过实践并仔细研究后得出的结果,因此,上述问题的发现过程以及本公开针对上述问题所提出的解决方案,都应该是专利技术人在本公开过程中对本公开做出的贡献。下面将结合本公开中附图,对本公开中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本公开的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此,以下对在附图中提供的本公开的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本公开的范围,而是仅仅表示本公开的选定实施例。基于本公开的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。如图2所示,本公开提供了一种阵列基板10,包括:基底11;基于所述基底11制作形成的薄膜晶体管12;基于所述基底11形成并覆盖于所述薄膜晶体管12上的绝缘层13;覆盖于所述绝缘层13上的氧化物半导体层14;以及覆盖于所述绝缘层13和氧化物半导体层14上,并通过所述绝缘层13上开设的通孔与所述薄膜晶体管12的电极接触的像素电极15。其中,图2示出了像素电极15与薄膜晶体管12的漏极接触的示意图。本公开中,氧化物半导体层14可以为任意能够降低光线的光强的材料层。可选地,氧化物半导体层14可以为诸如氧化铟锡(Indiumtinoxide,ITO)等能够降低光线的光强并且透明的材料层。例如,氧化铟锡ITO材料层可以为铟锡氧化物半导体透明导电膜。应当理解,氧化物半导体层14还可以为其他材料层,例如,氧化物半导体层14也可以为铟锌氧化物(IZO)材料层。像素电极15一般采用金属制成,在像素电极15朝向基底11的一侧可以形成有反射层。其中,制作像素电极15的材料可以灵活选择,例如,像素电极15可以采用金属铝AL、铝镍合金、银等制成。在像素电极15朝向基底11的一侧形成有反射层的基础上,为了使得光线能够穿过像素电极15并传输至其他部件,如液晶层、彩色滤光片等,本公开中,反射层上形成有可供光线通过的开口。像素电极15的反射层上形成的开口可以为多个,多个开口可以在反射层上等间距的均匀分布,使得光线可以相对均匀地穿过像素电极15。开口的形状、大小可以灵活设计。例如,多个开口可以为大小相同的圆形、椭圆形、正方形、长方形、不规则图形等,本公开对此不作限制。本公开中,氧化物半导体层14设置在像素电极15朝向薄膜晶体管12的一侧的方式可以灵活选择。请结合参阅图3,例如,为了最大可能地降低照射到薄膜晶体管12的光线的光强,所述氧化物半导体层14可以覆盖于所述像素电极15朝向薄膜晶体管12一侧(像素电极15与所述绝缘层13之间)的整个区域。如此设计,使得进入阵列基板10的所有光线均需要经过氧化物半导体层14才能到达像素电极15,经像素本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:基底;基于所述基底制作形成的薄膜晶体管;基于所述基底形成并覆盖于所述薄膜晶体管上的绝缘层;覆盖于所述绝缘层上的氧化物半导体层;覆盖于所述绝缘层和氧化物半导体层上,并通过所述绝缘层上开设的通孔与所述薄膜晶体管的电极接触的像素电极。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:基底;基于所述基底制作形成的薄膜晶体管;基于所述基底形成并覆盖于所述薄膜晶体管上的绝缘层;覆盖于所述绝缘层上的氧化物半导体层;覆盖于所述绝缘层和氧化物半导体层上,并通过所述绝缘层上开设的通孔与所述薄膜晶体管的电极接触的像素电极。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述氧化物半导体层覆盖于所述像素电极与所述绝缘层之间的整个区域。3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述氧化物半导体层覆盖于所述像素电极与所述绝缘层之间的部分区域。4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述氧化物半导体层覆盖于所述像素电极与所述绝缘层之间、与所述薄膜晶体管相对的区域。5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管为多个,多个所述薄膜晶体管在所述基底上呈阵列排布,所述氧化物半导体层覆盖于...

【专利技术属性】
技术研发人员:林建伟陈志杰李林庄崇营
申请(专利权)人:信利半导体有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1