一种薄膜的制备方法与QLED器件技术

本发明专利技术提供一种薄膜的制备方法与QLED器件，方法包括步骤：将单糖、钼源和硫源溶解于水中，经水热反应得到MoS2纳米片/多糖的二元复合前驱体，然后经焙烧处理得到MoS2纳米片/C的二元复合材料；将所述MoS2纳米片/C的二元复合材料和金源混合，在含有还原气体的惰性气氛下经焙烧处理得到Au纳米颗粒‑MoS2纳米片/C三元复合材料；将所述Au纳米颗粒‑MoS2纳米片/C三元复合材料溶于溶剂中，得到Au纳米颗粒‑MoS2纳米片/C三元复合材料溶液，在基板上沉积该溶液后，退火得到所述薄膜。采用本发明专利技术的薄膜作为QLED器件的空穴传输层，可以提高空器件中空穴传输效率；同时碳杂化结构可以提高载流子的迁移效率。

Preparation of a Thin Film and QLED Devices

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜的制备方法与QLED器件
本专利技术涉及QLED器件
，尤其涉及一种薄膜及其制备方法与QLED器件。
技术介绍
在目前的量子点发光二极管中，ITO通常用来作为透明电极。而PEDOT:PSS通常用来修饰ITO表面被做为阳极缓冲层。但是由于PEDOT:PSS本身的酸性会导致量子点发光二管的性能衰减。为了解决这个问题，有人开始研发新的阳极缓冲层去替代PEDOT:PSS。其中过渡金属氧化物(WO3，MoO3，NiO，Cu2O，ReO3和V2O5)在很多量子点发光二极管中被用作阳极缓冲层，并取得不错的性能。尤其是氧化钼具有一个很深的电子能级态和有效的空穴注入。然而三氧化钼蒸镀温度高、难以规模化生产等问题也是其不足之处，因此寻找一种新的绿色阳极修饰材料具有重要意义。近十年来，金属纳米材料因其独特的光学、电学、催化等性质，使得其被学术界广泛地应用在光电信息存储、新能源研究、太阳能电池的研究等领域中。尤其在光电器件的应用中，因金属纳米粒子可以在器件中有效的触发表面等离子体共振，使得其得到了学术界广泛的关注。表面等离子体（surfaceplasmons，SPs）是一种电磁表面波，它在表面处场强最大，在垂直于界面方向是指数衰减场，它能够被电子也能被光波激发。二硫化钼作为一种过渡金属材料，因其独特的微观结构、可调控的能带隙和较高的载流子迁移率而广泛引起国内外研究人员的注意。虽然目前有不少关于二硫化钼制备方法的文献报道，然而这些方法都有各自的不足之处，因此探索出更佳的制备方法是当前研究人员迫切需要解决的热点问题。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种薄膜及其制备方法与QLED器件，旨在解决现有方法制备MoS2存在合成条件苛刻，成本高的问题。本专利技术的技术方案如下：一种薄膜的制备方法，其中，包括步骤：将单糖、钼源和硫源溶解于水中，经水热反应得到MoS2纳米片/多糖的二元复合前驱体，将所述MoS2纳米片/多糖的二元复合前驱体经焙烧处理得到MoS2纳米片/C的二元复合材料；将所述MoS2纳米片/C的二元复合和金源混合，在含有还原气体的惰性气氛下经焙烧处理得到Au纳米颗粒-MoS2纳米片/C三元复合材料；将所述Au纳米颗粒-MoS2纳米片/C三元复合材料溶于溶剂中，得到Au纳米颗粒-MoS2纳米片/C三元复合材料溶液，在基板上沉积所述Au纳米颗粒-MoS2纳米片/C三元复合材料溶液后，退火得到所述薄膜。一种QLED器件，包括空穴传输层，其中，所述空穴传输层为本专利技术所述方法制备得到的所述薄膜。有益效果：本专利技术通过水热原位模板法合成的MoS2纳米片/C二元复合材料，使得高活性的MoS2纳米片界面活性位充分暴露，提高空穴传输效率；同时碳杂化结构可以提高载流子的迁移效率。Au纳米颗粒-MoS2纳米片/C三元复合材料作为空穴传输层，MoS2纳米片界面活性位与碳杂化结构的协同作用，以及金纳米粒子与MoS2纳米片/C复合可以激发表面等离子体共振效应，从而提高了QLED发光效率和性能。附图说明图1为本专利技术的一种QLED器件较佳实施例的结构示意图。具体实施方式本专利技术提供一种QLED器件及其制备方法，为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。本专利技术提供一种薄膜的制备方法，其中，包括步骤：S10.将单糖、钼源和硫源溶解于水中，经水热反应得到MoS2纳米片/多糖的二元复合前驱体，将所述MoS2纳米片/多糖的二元复合前驱体经焙烧处理得到MoS2纳米片/C的二元复合材料；S20.将所述MoS2纳米片/C的二元复合和金源混合，在含有还原气体的惰性气氛下经焙烧处理得到Au纳米颗粒-MoS2纳米片/C三元复合材料；S30.将所述Au纳米颗粒-MoS2纳米片/C三元复合材料溶于溶剂中，得到Au纳米颗粒-MoS2纳米片/C三元复合材料溶液，在基板上沉积所述Au纳米粒-MoS2纳米片/C三元复合材料溶液后，退火得到所述薄膜。需说明的是，所述Au纳米颗粒-MoS2纳米片/C复合材料中，其中“/”表示碳为载体，MoS2纳米片结合在碳颗粒表面，“-”表示Au纳米颗粒附着在MoS2纳米片表面。本专利技术首先单糖在水热条件下脱水缩聚成多糖模板，MoS2晶体结合在所述多糖模板上进行晶体生长，利用多糖原位模板的空间限域作用和未形成多糖模板的小分子多糖和单糖具有丰富的羟基和糖苷键对MoS2纳米晶具有强烈的相互作用，可有效限制MoS2晶体在晶体c方向的生长，从而生成超薄MoS2纳米片。然后MoS2纳米片/多糖经高温碳化处理得到MoS2纳米片/C的二元复合材料。最后MoS2纳米片/C的二元复合材料再与金源混合，通过高温还原处理得到所述Au纳米颗粒-MoS2纳米片/C三元复合材料。具体来说，所述单糖在水热条件下脱水缩聚成多糖模板，所述钼源与硫源在水热条件下生成MoS2纳米晶并分布在所述多糖模板上进行晶体生长，晶体生长过程中未形成多糖模板的小分子多糖和单糖具有丰富的羟基和糖苷键对MoS2纳米晶具有强烈的相互作用，通过对MoS2纳米晶进行包裹限制了MoS2纳米晶在c方向的生长趋势，从而形成了分布于多糖模板上的MoS2纳米片（形成MoS2纳米片/多糖二元复合前驱体）。通过对所述MoS2纳米片/多糖前驱体进行进一步的高温碳化处理，获得表面结合有MoS2纳米片的碳颗粒（MoS2纳米片/C材料二元复合材料）。所述MoS2/C再与金源混合，所述金源在含有还原气体的惰性气氛下经高温还原得到金纳米粒子并附着在MoS2纳米片表面，从而获得所述Au纳米颗粒-MoS2纳米片/C三元复合材料。本专利技术通过原位模板法合成超薄MoS2纳米片/多糖前驱体，后焙烧得到MoS2纳米片/C二元复合材料，使得高活性的MoS2纳米片界面活性位充分暴露，提高空穴传输效率；同时碳杂化结构可以提高载流子的迁移效率。MoS2纳米片界面活性位与碳杂化结构的协同作用，以及金纳米粒子与MoS2纳米片/C复合可以激发表面等离子体共振效应，从而有效提高QLED发光效率和性能。步骤S10中，本专利技术单糖在水热条件下脱水缩聚成多糖模板，所述钼源与硫源在水热条件下生成MoS2纳米晶并分布在所述多糖模板上进行晶体生长，晶体生长过程中未形成多糖模板的小分子多糖和单糖具有丰富的羟基和糖苷键对MoS2纳米晶具有强烈的相互作用，使得限制了MoS2纳米晶在c方向的的生长趋势，从而形成了MoS2纳米片/多糖的均匀杂化结构。通过对所述MoS2纳米片/多糖进行进一步的高温碳化处理，即可获得MoS2纳米片/C材料。本专利技术通过原位模板法合成超薄MoS2纳米片/多糖，使得高活性的MoS2纳米片界面活性位充分暴露，提高空穴传输效率；同时碳杂化结构可以提高载流子的迁移效率。MoS2界面活性位与碳杂化结构的协同作用，可以有效提高QLED发光效率和性能。优选地，所述单糖选自葡萄糖、果糖、核糖、半乳糖、戊糖和己糖等中的一种，但不限于此。优选地，所述钼源选自可溶性的钼酸钠、钼酸胺、钼酸钾和钼酸镁等中的一种，但不限于此。优选地，所述硫源选自硫脲、多硫化钠、硫代乙酰胺和硫化胺等中的一种，但不限于此。优选地，按钼元素与硫元素的摩尔比为1：（2~2.5），将单糖本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：将单糖、钼源和硫源溶解于水中，经水热反应得到MoS2纳米片/多糖的二元复合前驱体，将所述MoS2纳米片/多糖的二元复合前驱体经焙烧处理得到MoS2纳米片/C的二元复合材料；将所述MoS2纳米片/C的二元复合和金源混合，在含有还原气体的惰性气氛下经焙烧处理得到Au纳米颗粒‑MoS2纳米片/C三元复合材料；将所述Au纳米颗粒‑MoS2纳米片/C三元复合材料溶于溶剂中，得到Au纳米颗粒‑MoS2纳米片/C三元复合材料溶液，在基板上沉积所述Au纳米颗粒‑MoS2纳米片/C三元复合材料溶液后，退火得到所述薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：将单糖、钼源和硫源溶解于水中，经水热反应得到MoS2纳米片/多糖的二元复合前驱体，将所述MoS2纳米片/多糖的二元复合前驱体经焙烧处理得到MoS2纳米片/C的二元复合材料；将所述MoS2纳米片/C的二元复合和金源混合，在含有还原气体的惰性气氛下经焙烧处理得到Au纳米颗粒-MoS2纳米片/C三元复合材料；将所述Au纳米颗粒-MoS2纳米片/C三元复合材料溶于溶剂中，得到Au纳米颗粒-MoS2纳米片/C三元复合材料溶液，在基板上沉积所述Au纳米颗粒-MoS2纳米片/C三元复合材料溶液后，退火得到所述薄膜。2.根据权利要求1所述的薄膜的制备方法，其特征在于，所述单糖选自葡萄糖、果糖、核糖、半乳糖、戊糖和己糖中的一种；和/或所述钼源选自钼酸钠、钼酸胺、钼酸钾和钼酸镁中的一种；和/或所述硫源选自硫脲、多硫化钠、硫代乙酰胺和硫化胺中的一种。3.根据权利要求1所述的薄膜的制备方法，其特征在于，所述水热反应温度为180-220℃，水热反应时间为20-28h。4.根据权利要求1所述的薄膜的制备方法，其特征在于，在将所述MoS2纳米片/多糖的二元复合前驱体经焙烧处理得到MoS2纳米片/...

【专利技术属性】
技术研发人员：何斯纳，吴龙佳，吴劲衡，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44