可修复的TFT阵列基板及显示面板制造技术

技术编号:21495519 阅读:20 留言:0更新日期:2019-06-29 11:47
本申请实施例提供一种可修复的TFT阵列基板及显示面板。该基板包括:设置在显示内的多个像素对,每个像素对包括两个像素单元,每个像素单元包括一个第一TFT及与其漏极连接的像素电极,该第一TFT的源极与数据线连接、栅极与扫描线连接;多条第一修复线、设置在显示区外的第二修复线、第三修复线及至少一个第二TFT,每个第二TFT的源极与其中一条数据线连接、栅极与第二修复线连接、漏极与一条第一修复线绝缘交叉设置;第三修复线与至少一条扫描线及第二修复线绝缘交叉设置。上述设置可使失效的第一TFT连接的数据线、扫描线、像素电极与用于修复的第二TFT连接,从而实现对失效的第一TFT的修复。

【技术实现步骤摘要】
可修复的TFT阵列基板及显示面板
本申请涉及半导体
,具体而言,涉及一种可修复的TFT阵列基板及显示面板。
技术介绍
目前使用最广泛的显示器之一为液晶显示器。液晶显示器是通过改变液晶分子上的电场强度以实现图像显示。因此液晶显示器的主要组成部分包括用于提供电场的阵列基板。该阵列基板上设置有大量与用于提供电场相关的像素电极,像素电极上的电压大小及通断由与其连接的TFT(ThinFilmTransistor,薄膜晶体管)控制。若在阵列基板生成过程中,由于静电、灰尘等原因使得TFT失效,该像素电极则不能正常工作。这将导致该阵列基板成为废品。
技术实现思路
为了克服现有技术中的上述不足,本申请实施例的目的在于提供一种可修复的TFT阵列基板及显示面板,其能够使失效的第一TFT连接的数据线、扫描线及像素电极在第一修复线、第二修复线及第三修复线的配合下与用于修复的第二TFT连接,以通过第二TFT对与失效的第一TFT对应的像素电极进行充电,从而实现对失效的第一TFT的修复,进而提高阵列基板的生产良品率。本申请实施例提供一种可修复的TFT阵列基板,包括:多条数据线及多个扫描线组,所述数据线与扫描线组交叉设置形成多个像素区域,所述多个像素区域组成显示区;其中,每个扫描线组包括两条扫描线;以阵列排布方式设置在所述显示区内的多个像素对,每个像素对包括两个像素单元,每个像素单元包括一个第一薄膜晶体管TFT及与该第一TFT的漏极连接的像素电极;位于相邻的扫描线组之间的一行像素对中,每个像素对中的两个第一TFT的栅极分别与对应的扫描线组中的其中一条扫描线连接;每列像素对中的第一TFT的源极与一条数据线连接;多条第一修复线,相邻的第一修复线之间设置有一条所述数据线;设置在所述显示区外的第二修复线、第三修复线及至少一个第二TFT;每个第二TFT的源极与其中一条数据线连接、栅极与第二修复线连接、漏极与一条第一修复线绝缘交叉设置;所述第三修复线与至少一条扫描线及第二修复线绝缘交叉设置。可选地,在本申请实施例中,所述第二修复线为至少两条,所述第三修复线为至少一条。可选地,在本申请实施例中,所述至少一个第二TFT为设置在所述显示区外且位于所述数据线一端的一行第二TFT对,每个第二TFT对包括两个第二TFT;每条数据线与位于一列的像素对内的第一TFT的源极及一个第二TFT对中的第二TFT的源极连接;所述一行第二TFT对中,每个第二TFT对中的其中一个第二TFT的栅极与一条第二修复线连接、另一个第二TFT的栅极与另一条第二修复线连接。可选地,在本申请实施例中,所述第三修复线为多条,所述至少一个第二TFT为设置在所述显示区外的两行第二TFT对,所述两行第二TFT对分别位于所述数据线的相对两端,每个第二TFT对包括两个第二TFT;每条数据线与位于一列的像素对内的第一TFT的源极及该条数据线相对两端的两个第二TFT对中的第二TFT的源极连接;任意一行第二TFT对中,每个第二TFT对中的其中一个第二TFT的栅极与一条第二修复线连接、另一个第二TFT的栅极与另一条第二修复线连接。可选地,在本申请实施例中,所述第一修复线、第三修复线与所述数据线同层设置且在同一制造工艺中形成。可选地,在本申请实施例中,所述第二修复线与所述扫描线同层设置且在同一制造工艺中形成,所述第一修复线、第三修复线及数据线与所述第二修复线及扫描线位于不同层。可选地,在本申请实施例中,所述基板还包括驱动芯片,所述驱动芯片与所述数据线及所述扫描线连接。第二方面,本申请实施例提供一种可修复的TFT阵列基板,包括:多条数据线及多个扫描线组,所述数据线与扫描线组交叉设置形成多个像素区域,所述多个像素区域组成显示区;其中,每个扫描线组包括两条扫描线;以阵列排布方式设置在所述显示区内的多个像素对,每个像素对包括两个像素单元,每个像素单元包括一个第一薄膜晶体管TFT及与该第一TFT的漏极连接的像素电极;位于相邻的扫描线组之间的一行像素对中,每个像素对中的两个第一TFT的栅极分别与对应的扫描线组中的其中一条扫描线连接;每列像素对中的第一TFT的源极与一条数据线连接;多条第一修复线,相邻的第一修复线之间设置有一条所述数据线;设置在所述显示区外的多条第二修复线、多条第三修复线及多个第二TFT;每个第二TFT的源极与其中一条数据线连接、栅极与所述多条第二修复线绝缘交叉设置、漏极与一条第一修复线绝缘交叉设置;每条第三修复线与至少一条扫描线及所述多条第二修复线绝缘交叉设置。可选地,在本申请实施例中,所述多个第二TFT包括至少一行第二TFT对,每个第二TFT对包括两个第二TFT;每条数据线与位于一列的像素对内的第一TFT的源极及第二TFT对中的第二TFT的源极连接;任意一行第二TFT对中,每个第二TFT对中的其中一个第二TFT的栅极与所述多条第二修复线中的部分第二修复线绝缘交叉连接、另一个第二TFT的栅极与所述多条第二修复线中的另一部分第二修复线绝缘交叉设置。第三方面,本申请实施例提供一种显示面板,包括上述的可修复的TFT阵列基板。相对于现有技术而言,本申请具有以下有益效果:本申请实施例提供一种可修复的TFT阵列基板及显示面板。该基板的显示区外设置有第二修复线、第三修复线及至少一个第二TFT。每个第二TFT的源极与其中一条数据线连接、栅极与第二修复线连接、漏极与一条第一修复线绝缘交叉设置;且第三修复线与至少一条扫描线及第二修复线绝缘交叉设置。在阵列基板显示区内的第一TFT失效时,可通过激光熔接等方式使得该失效第一TFT连接的扫描线经第三修复线、第二修复线与用于修复的第二TFT的栅极连接,并使该第二TFT的漏极经与其连接的第一修复线和与失效第一TFT连接的像素电极连接,再加上该失效第一TFT连接的数据线与用于修复的第二TFT的源极连接,由此可利用用于修复的第二TFT对与失效的第一TFT连接的像素电极进行充电,从而实现对失效的第一TFT的修复。通过上述设置可避免由于第一TFT失效而直接导致阵列基板报废的情况,提高阵列基板的生产良品率。为使申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举本申请较佳实施例,并配合所附附图,作详细说明如下。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本申请的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1是本申请实施例提供的可修复的TFT阵列基板的俯视结构示意图之一。图2是本申请实施例提供的可修复的TFT阵列基板的局部剖面示意图之一。图3是本申请实施例提供的可修复的TFT阵列基板的局部剖面示意图之二。图4是本申请实施例提供的可修复的TFT阵列基板的俯视结构示意图之二。图5是本申请实施例提供的可修复的TFT阵列基板的俯视结构示意图之三。图标:100-阵列基板;101-数据线;102-扫描线;110-像素对;115-像素单元;116-第一TFT;117-像素电极;120-第二TFT;131-第一修复线;132-第二修复线;133-第三修复线;140-驱动芯片;151-玻璃基板;152-第一金属层;153-绝缘层;15本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可修复的TFT阵列基板,其特征在于,包括:多条数据线及多个扫描线组,所述数据线与扫描线组交叉设置形成多个像素区域,所述多个像素区域组成显示区;其中,每个扫描线组包括两条扫描线;以阵列排布方式设置在所述显示区内的多个像素对,每个像素对包括两个像素单元,每个像素单元包括一个第一薄膜晶体管TFT及与该第一TFT的漏极连接的像素电极;位于相邻的扫描线组之间的一行像素对中,每个像素对中的两个第一TFT的栅极分别与对应的扫描线组中的其中一条扫描线连接;每列像素对中的第一TFT的源极与一条数据线连接;多条第一修复线,相邻的第一修复线之间设置有一条所述数据线;设置在所述显示区外的第二修复线、第三修复线及至少一个第二TFT;每个第二TFT的源极与其中一条数据线连接、栅极与第二修复线连接、漏极与一条第一修复线绝缘交叉设置;所述第三修复线与至少一条扫描线及第二修复线绝缘交叉设置。

【技术特征摘要】
1.一种可修复的TFT阵列基板,其特征在于,包括:多条数据线及多个扫描线组,所述数据线与扫描线组交叉设置形成多个像素区域,所述多个像素区域组成显示区;其中,每个扫描线组包括两条扫描线;以阵列排布方式设置在所述显示区内的多个像素对,每个像素对包括两个像素单元,每个像素单元包括一个第一薄膜晶体管TFT及与该第一TFT的漏极连接的像素电极;位于相邻的扫描线组之间的一行像素对中,每个像素对中的两个第一TFT的栅极分别与对应的扫描线组中的其中一条扫描线连接;每列像素对中的第一TFT的源极与一条数据线连接;多条第一修复线,相邻的第一修复线之间设置有一条所述数据线;设置在所述显示区外的第二修复线、第三修复线及至少一个第二TFT;每个第二TFT的源极与其中一条数据线连接、栅极与第二修复线连接、漏极与一条第一修复线绝缘交叉设置;所述第三修复线与至少一条扫描线及第二修复线绝缘交叉设置。2.根据权利要求1所述的基板,其特征在于,所述第二修复线为至少两条,所述第三修复线为至少一条。3.根据权利要求2所述的基板,其特征在于,所述至少一个第二TFT为设置在所述显示区外且位于所述数据线一端的一行第二TFT对,每个第二TFT对包括两个第二TFT;每条数据线与位于一列的像素对内的第一TFT的源极及一个第二TFT对中的第二TFT的源极连接;所述一行第二TFT对中,每个第二TFT对中的其中一个第二TFT的栅极与一条第二修复线连接、另一个第二TFT的栅极与另一条第二修复线连接。4.根据权利要求3所述的基板,其特征在于,所述第三修复线为多条,所述至少一个第二TFT为设置在所述显示区外的两行第二TFT对,所述两行第二TFT对分别位于所述数据线的相对两端,每个第二TFT对包括两个第二TFT;每条数据线与位于一列的像素对内的第一TFT的源极及该条数据线相对两端的两个第二TFT对中的第二TFT的源极连接;任意一行第二TFT对中,每个第二TFT对中的其中一个第二TFT的栅极与一条第二修复线连接、另一个第二TFT的栅极与另一条第...

【专利技术属性】
技术研发人员:于靖庄崇营李林
申请(专利权)人:信利半导体有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

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