一种驱动信号增强电路制造技术

技术编号:21466661 阅读:37 留言:0更新日期:2019-06-26 12:32
本实用新型专利技术提出一种驱动信号增强电路,应用于启动电路的低压直通回路中控制IC的升压引脚BOS与三极管的基极之间,利用电容C3的充放电作用实现三极管驱动信号增强,使PNP三极管Q1B在不同输入电压进行空气开关或继电器启机时,仅工作在饱和导通(或趋近饱和导通)或截止状态,保证控制IC供电端电压能够达到开启值。本实用新型专利技术电路简单、实现成本低、创新性地规避了原低压直通回路的启动死区。同时,本实用新型专利技术电路仅在控制ICBOS脚工作及PNP三极管Q1B导通时工作,对于系统正常稳态工作不产生影响。

A Driving Signal Enhancement Circuit

The utility model proposes a driving signal enhancement circuit, which is applied between the boost pin BOS of the control IC and the base of the transistor in the low-voltage through circuit of the starting circuit. The charging and discharging function of the capacitor C3 is used to enhance the driving signal of the transistor, so that the PNP transistor Q1B only works in saturated conduction (or approaching saturated conduction) when the air switch or relay is started at different input voltages. On) or off-state, to ensure that the voltage of the control IC power supply can reach the open value. The utility model has the advantages of simple circuit, low cost and innovative avoidance of starting dead zone of the original low-voltage through circuit. At the same time, the circuit of the utility model only works when the ICBOS foot is controlled and the PNP transistor Q1B is turned on, which has no effect on the normal and steady state operation of the system.

【技术实现步骤摘要】
一种驱动信号增强电路
本技术涉及一种驱动信号增强电路,特别涉及一种三极管驱动信号增强电路。
技术介绍
在应用于宽压输入范围的开关电源中,启动电路需同时满足低压直通和高压限制的功能,即需要低压下能直接从输入电压取电给控制IC供电端供电,高压下则通过承受电势差来保护后端的控制IC不发生过压或者损坏。在一种超宽压输入电源中,其启动电路包括启动电路芯片构成的高压限制回路和由两个PNP三极管构成的低压直通回路,以满足4.5-36VDC输入范围。本技术仅涉及由两个PNP三极管构成的低压直通回路,高压限制回路不做进一步说明。在低压直通回路中,可通过参数设置PNP三极管Q1B在某个电压点以下饱和导通,而在某个电压点以上则进入截止状态。需说明的是,在低压下,输入电压无法达到控制IC供电端电压开启值,因此一般在低压直通回路后与控制IC的供电端之间串联一级BOOST升压电路。在控制IC的升压引脚BOS处于非悬空或接地低压下,若IC供电端处于欠压锁定,则上述BOOST升压电路即开始工作。PNP三极管Q1B的饱和导通可保证BOOST电路输入端有足够的电压及电流使得控制IC供电端电压可达到其开启值。当低压直通回路中PNP三极管Q1B处于导通状态下(饱和或放大状态),PNP三极管Q1A的EC间电压被钳位在一个PN结电压,此时PNP三极管Q1A视EB间电压是否达到门限值处于放大或截止状态。当输入电压逐渐增大至PNP三极管Q1A开始导通后,PNP三极管Q1A的EC通路将会分走一部份PNP三极管Q1B的基级电流,可知随着输入电压继续增大,PNP三极管Q1A的基级电流也随之增大,在其未进入饱和状态前,PNP三极管Q1B基级电流逐渐减小,由饱和状态被逐渐关断,发射极电压逐渐减小,使得后端BOOST升压无法达到控制IC供电电压启动值,此时进行空气开关或者继电器上电,系统无法正常启机。
技术实现思路
有鉴于此,本技术提出一种增强三极管驱动信号的电路,能够增大PNP三极管Q1B的基级电流,使其往饱和状态偏移,且具有正反馈作用,从而使发射极电压经后端BOOST升压后可满足控制IC供电电压启动值。本技术通过以下技术方案实现:一种驱动信号增强电路,应用于启动电路的低压直通回路中控制IC的升压引脚BOS与三极管的基极之间,其特征在于:包括基级扩流电路、防反向过压二极管;所述的防反向过压二极管的阳极连接所述的三极管的基极,所述的防反向过压二极管的阴极连接基级扩流电路的一端,所述基级扩流电路的另一端连接所述的控制IC的升压引脚BOS。优选的,所述的基级扩流电路包括充电电容C3;充电电容C3的一端连接控制IC的升压引脚BOS,另一端连接防反向过压二极管的阴极。优选的,向充电电容C3充电的电流为增强驱动信号,所述的增强驱动信号促使三极管工作状态趋向饱和。优选的,驱动信号增强电路还包括一个泄放电路,所述的泄放电路连接在防反向过压二极管的阴极与地之间。优选的,所述的泄放电路包括泄放电阻R4,泄放电阻R4的一端连接防反向过压二极管的阴极,泄放电阻R4的另一端连接至地。本技术的工作原理如下:在一种超宽压输入电源中,其启动电路包括启动电路芯片构成的高压限制回路和由两个PNP三极管构成的低压直通回路,以满足4.5-36VDC输入范围。在低压直通回路中,可通过参数设置PNP三极管Q1B在某个电压点以下饱和导通,而在某个电压点以上则进入截止状态。在低压下,因输入电压无法达到控制IC供电端电压开启值,一般在低压直通回路后与控制IC的供电端之间串联一级BOOST升压电路。PNP三极管Q1B的饱和导通可保证BOOST电路输入端有足够的电压及电流使得控制IC供电端电压可达到其开启值。可知当PNP三极管Q1B处于导通状态下(饱和或放大状态),PNP三极管Q1A的EC间电压被钳位在一个PN结电压,此时PNP三极管Q1A视EB间电压是否达到门限值处于放大或截止状态。若无本技术电路,当输入电压逐渐增大至PNP三极管Q1A开始导通,PNP三极管Q1A的EC通路将会分走一部份PNP三极管Q1B的基级电流,因刚导通时PNP三极管Q1A的基级电流很小,故PNP三极管Q1A处于放大状态,EC极因为PNP三极管Q1B仍处于导通状态被钳位在一个PN结压降。随着输入电压继续增大,PNP三极管Q1A的基级电流随之增大,其对PNP三极管Q1B的基级电流的分流也逐渐增大,直至PNP三极管Q1A的基级电流大于集电极电流的β分之一时,PNP三极管Q1A进入饱和状态,从而在PNP三极管Q1B的EC间形成短路,使PNP三极管Q1B截止。从上述分析中,可知PNP三极管Q1A由截止到饱和导通的过程中,PNP三极管Q1B由饱和导通逐渐过渡到截止。因此必然存在某个输入电压区间使两个三极管均导通的同时,PNP三极管Q1B趋近截止状态,其集电极电压即便经BOOST电路升压也无法达到后端控制IC的供电端开启值,此时进行空气开关或者继电器上电,系统无法正常启机。本技术通过建立PNP三极管Q1B基级到控制ICBOS脚间的通路,通过控制ICBOS脚内部对地的开关作用进行充放电,以实现增强PNP三极管Q1B基级控制电流的功能。本技术采用电容充放电形式增强三极管基级控制电流,具有以下显著特点:1、显著增大了三极管基级控制电流,解决因PNP三极管Q1B因进入放大状态而使集电极电压减小导致无法正常启机的问题;2、采用电容耦合方式,起到隔直作用,防止高压下耦合输入电压至后端控制IC形成干扰;3、仅在控制ICBOS脚工作及PNP三极管Q1B导通时,技术电路开始工作,与启动电路其他功能电路互不影响,对系统正常工作无影响;4、所有通过低压直通回路进行启动的输入条件,启机时PNP三极管Q1B导通能力均得到增强,有利于设计余量及减小限流电阻R3所需的功率及封装;5、对充电电容C3的充电使得PNP三极管Q1B集电极电压上升,PNP三极管Q1B集电极电压的上升进而使BOS脚电压进一步升高,而BOS脚电压上升使电容的放电作用增强,从而下一个周期对电容的充电作用也随之增强,继而进一步促使PNP三极管Q1B向饱和状态偏移,PNP三极管Q1B集电极电压、BOS脚电压及控制IC供电端电压持续上升,具有正反馈的作用。附图说明图1为现有技术中启动电路低压直通回路部分电路;图2为本技术在低压直通回路中应用的第一实施案例;图3为本技术在低压直通回路中应用的第二实施案例。具体实施方式第一实施例:图2示出了本技术应用的第一实施案例。本技术具有以下6个特征:1、电路简单,器件成本低;2、隔离直流信号;3、具有正反馈作用,驱动信号逐渐增强;4、仅在控制ICBOS脚工作及PNP三极管Q1B导通时工作,对系统正常工作无影响;5、不受器件温度特性及容差影响;6、使用防反向过压二极管避免放电期间PNP三极管Q1B基级被抬升带来的应力问题,期间PNP三极管Q1B处于截止状态。一种驱动信号增强电路,应用于启动电路的低压直通回路中控制IC的升压引脚BOS与三极管的基极之间,用于增大三极管基级电流以增强其导通能力,包括基级扩流电路、防反向过压二极管及泄放电路;所述的基级扩流电路在控制IC的升压引脚BOS与PNP三极管Q1B基级间形成扩流支路;本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种驱动信号增强电路,应用于启动电路的低压直通回路中控制IC的升压引脚BOS与三极管的基极之间,其特征在于:包括基级扩流电路、防反向过压二极管;所述的防反向过压二极管的阳极连接所述的三极管的基极,所述的防反向过压二极管的阴极连接基级扩流电路的一端,所述基级扩流电路的另一端连接所述的控制IC的升压引脚BOS。

【技术特征摘要】
1.一种驱动信号增强电路,应用于启动电路的低压直通回路中控制IC的升压引脚BOS与三极管的基极之间,其特征在于:包括基级扩流电路、防反向过压二极管;所述的防反向过压二极管的阳极连接所述的三极管的基极,所述的防反向过压二极管的阴极连接基级扩流电路的一端,所述基级扩流电路的另一端连接所述的控制IC的升压引脚BOS。2.根据权利要求1所述的驱动信号增强电路,其特征在于:所述的基级扩流电路包括充电电容C3;充电电容C3的一端连接控制IC的升压引脚BOS,另一端...

【专利技术属性】
技术研发人员:林泽钦
申请(专利权)人:广州金升阳科技有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

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