半导体工艺设备制造技术

本实用新型专利技术涉及一种半导体工艺设备，包括：腔体；承载结构，所述承载结构包括一位于所述腔体内部的承载平台和与所述承载平台相连且延伸至所述腔体外部的升降杆；动力部件，所述动力部件与所述腔体连接并容纳所述升降杆延伸至所述腔体外部的部分，所述动力部件与所述升降杆之间具有空隙；其中，在所述动力部件与所述腔体连接处设置有一阀门，以使所述动力部件与所述腔体连通或隔断。本实用新型专利技术中承载结构上的被承载物通过动力部件在腔体内进行上升下降运动；本实用新型专利技术还在动力部件与腔体连接处设置有一阀门，通过控制阀门阻止粉末杂质掉入动力部件内，从而防止粉末杂质在动力部件内形成颗粒杂质污染源，使产品的质量得到了较大的提高。

Semiconductor process equipment

The utility model relates to a semiconductor process equipment, including a cavity; a bearing structure, which comprises a bearing platform located in the interior of the cavity and a lifting rod connected with the bearing platform and extending to the exterior of the cavity; a power component, which connects with the cavity and accommodates the lifting rod extending to the exterior of the cavity, and the said lifting rod. There is a gap between the power component and the lifting rod, in which a valve is arranged at the connection between the power component and the cavity so that the power component and the cavity are connected or partitioned. In the utility model, the load-bearing object in the load-bearing structure moves up and down in the cavity through the power component; the utility model also has a valve at the connection between the power component and the cavity, which prevents powder impurities from falling into the power component by controlling the valve, thereby preventing the powder impurities from forming a source of particle impurities pollution in the power component, thus greatly improving the quality of the product. High.

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺设备
本技术涉及半导体设备领域，尤其涉及一种半导体工艺设备。
技术介绍
近年来，随着半导体制造工艺的发展，对元件的集成度和性能要求越来越高，化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition，简称CVD)在半导体制造领域中起着举足轻重的作用。通常来说，化学气相沉积是利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上发生反应生成固态沉积物的过程，从而实现薄膜的沉积。然而，当腔体10使用之后，沉积薄膜也会附着在腔体10内壁上，如此在接下来的反应过程中，这些附着的副产物会成为污染晶圆等的污染源。因此，为提高反应的稳定性和产品的良率，通常会采用诸如原位清洁(In-situclean)或异位清洁(RemotePlasmaSourceclean，RPS)等手段对所述腔体10内壁进行清洁。如图1所示，图1为现有半导体工艺腔体结构图。当前行业内半导体工艺腔体10中普遍设计为马达提供动力带动承载结构20上下运动，晶圆或玻璃等待加工物件置于承载平台21上，在特定的条件(例如真空或/和适当的温度等)下对晶圆或玻璃等待加工物件进行加工。在加工的过程当中，有可能会产生粉末杂质，该粉末杂质会掉到承载平台21下方，进而附着到存在大量褶皱的动力部件40内壁及底部。但附着在动力部件40上的粉末杂质很难被目前主流的清洁方式清洁干净，粉末杂质的积累会成为颗粒杂质污染源，影响到机台运作乃至产品质量。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种半导体工艺设备，以减少或避免半导体工艺腔体内的颗粒杂质掉落至动力部件形成颗粒污染源，导致影响机台运作乃至产品质量。为了达到上述目的，本技术提供了一种半导体工艺设备，包括：腔体；承载结构，所述承载结构包括一位于所述腔体内部的承载平台和与所述承载平台相连且延伸至所述腔体外部的升降杆；动力部件，所述动力部件与所述腔体连接并容纳所述升降杆延伸至所述腔体外部的部分，所述动力部件与所述升降杆之间具有空隙；其中，在所述动力部件与所述腔体连接处设置有一阀门，以使所述动力部件与所述腔体连通或隔断。可选的，在所述半导体工艺设备中，所述腔体和所述动力部件通过两组法兰密封连通，两组所述法兰分别设置于所述腔体上和所述动力部件上，所述阀门设置于两组所述法兰之间。可选的，在所述半导体工艺设备中，所述阀门包括第一阀块和第二阀块，所述第一阀块和所述第二阀块具有合拢后与所述承载结构在所述阀门处的截面相吻合的缺口，当所述第一阀块和所述第二阀块合拢时，所述腔体和所述动力部件被隔断，当所述第一阀块和所述第二阀块分离时，所述腔体和所述动力部件连通。可选的，在所述半导体工艺设备中，所述第一阀块和所述第二阀块均为开口朝向所述升降杆的半环状体。可选的，在所述半导体工艺设备中，所述动力部件包括压缩件。可选的，在所述半导体工艺设备中，所述升降杆与所述压缩件连接，所述压缩件在所述升降杆的延伸方向上的压缩运动带动所述承载结构上升或下降。可选的，在所述半导体工艺设备中，所述腔体具有进气口和排气口，所述承载平台具有朝向所述进气口的承载面，所述进气口朝向所述承载平台的承载面，所述排气口朝向所述承载平台的侧面。可选的，在所述半导体工艺设备中，所述升降杆位于所述承载面的中心垂线上。可选的，在所述半导体工艺设备中，所述半导体工艺腔体内设置有与所述进气口连接的气体分流部件，以使反应气体通过所述气体分流部件进入所述半导体工艺腔体。可选的，在所述半导体工艺设备中，所述半导体工艺设备为化学气相沉积设备、物理气相沉积设备、原子层沉积设备、或干法刻蚀设备。在本技术提供的半导体工艺设备中，所述承载结构上的被承载物能通过所述动力部件在所述腔体内进行上升下降运动，从而调整所述被承载物的位置；本技术还在所述动力部件与所述腔体连接处设置有一阀门，通过在不同步骤控制阀门的开关以阻止粉末杂质掉入所述动力部件内，从而防止粉末杂质在所述动力部件内形成颗粒杂质污染源，并使产品的质量也得到了较大的提高。附图说明图1为现有半导体工艺腔体结构图。图2a和图2b为本技术实施例提供的半导体工艺腔体结构图；其中，图2a中阀门处于关闭状态，图2b中阀门处于开启状态。图3a和图3b为本技术实施例提供的半导体工艺腔体阀门侧视图；其中，图3a是阀门关闭且第一阀块和第二阀块处于合拢状态时的示意图，图3b是阀门开启且第一阀块和第二阀块处于分离状态时的示意图。图4a和图4b为本技术实施例提供的半导体工艺腔体阀门俯视图；其中，图4a是阀门关闭且第一阀块和第二阀块处于合拢状态时的示意图，图4b是阀门开启且第一阀块和第二阀块处于分离状态时的示意图。其中，10-腔体；11-进气口；12-排气口；13-气体分流部件；20-承载结构；21-承载平台；22-升降杆；30-阀门；40-动力部件；41-压缩件；411-金属物；412-外壳；42-底部结构；43-法兰。具体实施方式下面将结合示意图对本技术的半导体工艺设备的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述，本技术中半导体工艺设备的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。请参考图2a和图2b，本技术提供了一种半导体工艺设备，包括：腔体10；承载结构20，所述承载结构20包括一位于所述腔体10内部的承载平台21和与所述承载平台21相连且延伸至所述腔体10外部的升降杆22；动力部件40，所述动力部件40与所述腔体10连接并容纳所述升降杆22延伸至所述腔体10外部的部分，所述动力部件40与所述升降杆22之间具有空隙；其中，在所述动力部件40与所述腔体10连接处设置有一阀门30，以使所述动力部件40与所述腔体10连通或隔断。在本技术提供的半导体工艺设备中，所述承载结构20上的被承载物能通过所述动力部件40在所述腔体10内进行上升下降运动，从而调整所述被承载物的位置；本技术还通过在不同步骤控制阀门30的开关以阻止粉末杂质掉入所述动力部件40内，从而防止粉末杂质在所述动力部件40内形成颗粒杂质污染源，并使产品的质量也得到了较大的提高。通常的，所述腔体10和所述动力部件40通过两组法兰43密封连通，两组法兰43分别设置于所述腔体10上和所述动力部件40上。进一步的，本技术在两组所述法兰43之间设置所述阀门30，所述阀门30包括第一阀块和第二阀块，如图3a和图3b及图4a和图4b所示，所述第一阀块和所述第二阀块具有合拢后与所述承载结构20在所述阀门30处的截面相吻合的缺口，当所述第一阀块和所述第二阀块合拢时，所述腔体10和所述动力部件40被隔断，当所述第一阀块和所述第二阀块分离时，所述腔体10和所述动力部件40连通。具体的，请参考图3a和图4a，所述阀门30在工艺进行时关闭，所述第一阀块和所述第二阀块合拢后隔断所述腔体10和所述动力部件40，所述承载结构20保持不动，产生的杂质粉末掉落至所述阀门30上，气体流向见图2a。在所述腔体10内壁进行清洁之后，如图3b和4b所示，打开所述阀门30，气体流向见图2b，保持所述动力部件40内部和所述腔体10内部压强一致，使所述承载结构20得以进行运动，从而避免反应时生成的粉末杂质落入所述动力部件40内。优选的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：腔体；承载结构，所述承载结构包括一位于所述腔体内部的承载平台和与所述承载平台相连且延伸至所述腔体外部的升降杆；动力部件，所述动力部件与所述腔体连接并容纳所述升降杆延伸至所述腔体外部的部分，所述动力部件与所述升降杆之间具有空隙；其中，在所述动力部件与所述腔体连接处设置有一阀门，以使所述动力部件与所述腔体连通或隔断。

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：腔体；承载结构，所述承载结构包括一位于所述腔体内部的承载平台和与所述承载平台相连且延伸至所述腔体外部的升降杆；动力部件，所述动力部件与所述腔体连接并容纳所述升降杆延伸至所述腔体外部的部分，所述动力部件与所述升降杆之间具有空隙；其中，在所述动力部件与所述腔体连接处设置有一阀门，以使所述动力部件与所述腔体连通或隔断。2.如权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述腔体和所述动力部件通过两组法兰密封连通，两组所述法兰分别设置于所述腔体上和所述动力部件上，所述阀门设置于两组所述法兰之间。3.如权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述阀门包括第一阀块和第二阀块，所述第一阀块和所述第二阀块具有合拢后与所述承载结构在所述阀门处的截面相吻合的缺口，当所述第一阀块和所述第二阀块合拢时，所述腔体和所述动力部件被隔断，当所述第一阀块和所述第二阀块分离时，所述腔体和所述动力部件连通。4.如权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷喜凡，王昕昀，张锋，吴孝哲，吴龙江，林宗贤，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32