提供一种薄膜晶体管。所述薄膜晶体管包括：彼此间隔分开的第一源电极(20)和第一漏电极(30)；有源层(10)，所述有源层(10)位于所述第一源电极(20)和所述第一漏电极(30)上，并且具有位于所述第一源电极(20)与所述第一漏电极(30)之间的通道部(1)、与所述第一源电极(20)电连接的源电极接触部(2a)，以及与所述第一漏电极(30)电连接的漏电极接触部(3a)；第二源电极(21)，所述第二源电极(21)位于所述源电极接触部(2a)的远离所述第一源电极(20)的一侧，并且与所述第一源电极(20)电连接；以及第二漏电极(31)，所述第二漏电极(31)位于所述漏电极接触部(3a)的远离所述第一漏电极(30)的一侧，并且与所述第一漏电极(30)电连接。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及制造薄膜晶体管的方法
本专利技术涉及显示技术，更具体地说，涉及一种薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及制造薄膜晶体管的方法。
技术介绍
显示装置，如液晶显示(LCD)装置和有机发光二极管(OLED)显示装置已经被广泛应用。LCD和OLED显示设备使用薄膜晶体管(TFT)来控制显示面板的像素。TFT的实例包括非晶硅TFT、多晶硅TFT、单晶硅TFT、金属氧化物TFT以及有机半导体TFT。
技术实现思路
一方面，本专利技术提供一种薄膜晶体管，包括：彼此间隔分开的第一源电极和第一漏电极；有源层，所述有源层位于所述第一源电极和所述第一漏电极上，并且具有位于所述第一源电极与所述第一漏电极之间的通道部、与所述第一源电极电连接的源电极接触部，以及与所述第一漏电极电连接的漏电极接触部；第二源电极，所述第二源电极位于所述源电极接触部的远离所述第一源电极的一侧，并且与所述第一源电极电连接；以及第二漏电极，所述第二漏电极位于所述漏电极接触部远离所述第一漏电极的侧面，并且与所述第一漏电极电连接。可选地，所述源电极接触部包括所述源电极接触部的第一部分，其夹在所述第一源电极与所述第二源电极之间；并且，所述漏电极接触部包括所述漏电极接触部的第一部分，其夹在所述第一漏电极与所述第二漏电极之间。可选地，所述源电极接触部包括所述源电极接触部的第二部分；所述漏电极接触部包括所述漏电极接触部的第二部分；并且所述源电极接触部的第二部分和所述漏电极接触部的第二部分为导电部。可选地，所述薄膜晶体管进一步包括：延伸穿过所述源电极接触部的第一导通部和延伸穿过所述漏电极接触部的第二导通部；所述第二源电极通过所述第一导通部与所述第一源电极电连接；并且所述第二漏电极通过所述第二导通部与所述第一漏电极电连接。可选地，所述薄膜晶体管进一步包括：栅绝缘层，其位于所述有源层上；以及栅电极，其位于所述栅绝缘层的远离所述通道部的一侧。可选地，所述栅电极、所述第二源电极和所述第二漏电极位于同一层中并且包括相同材料。可选地，所述有源层包括金属氧化物半导体材料。可选地，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。另一方面，本专利技术提供一种阵列基板，包括本文所述的或由本文所述方法制造的薄膜晶体管。可选地，所述阵列基板进一步包括对准标记，其位于所述阵列基板的对准区；其中，所述对准标记与所述第一源电极和所述第一漏电极位于同一层中。另一方面，本专利技术提供一种显示装置，包括本文所述的或由本文所述方法制造的薄膜晶体管。可选地，所述显示装置为顶部发光型显示装置；并且所述显示装置的发光侧位于所述第二源电极和所述第二漏电极的远离所述有源层的一侧。另一方面，本专利技术提供一种制造薄膜晶体管的方法，其包括：形成彼此间隔分开的第一源电极和第一漏电极；在所述第一源电极和所述第一漏电极上形成有源层，所述有源层形成为具有位于所述第一源电极与所述第一漏电极之间的通道部、与所述第一源电极电连接的源电极接触部，以及与所述第一漏电极电连接的漏电极接触部；在所述源电极接触部的远离所述第一源电极的一侧形成第二源电极，所述第二源电极形成为与所述第一源电极电连接；以及在所述漏电极接触部的远离所述第一漏电极的一侧形成第二漏电极，所述第二漏电极形成为与所述第一漏电极电连接。可选地，所述源电极接触部的第一部分形成为夹在所述第一源电极与所述第二源电极之间；并且，所述漏电极接触部的第一部分形成为夹在所述第一漏电极与所述第二漏电极之间。可选地，在形成所述第二源电极之后，进一步包括：对所述源电极接触部的第二部分进行导电化处理；以及在形成所述第二漏电极之后，进一步包括：对所述漏电极接触部的第二部分进行导电化处理。可选地，利用等离子执行对所述源电极接触部的第二部分的导电化处理和对所述漏电极接触部的第二部分的导电化处理。可选地，所述等离子包括氢、氦、氮、氩中的一种或其组合。可选地，所述方法进一步包括：形成延伸穿过所述源电极接触部的第一导通部，以及形成延伸穿过所述漏电极接触部的第二导通部；其中，所述第二源电极通过所述第一导通部与所述第一源电极电连接；并且所述第二漏电极通过所述第二导通部与所述第一漏电极电连接。可选地，所述方法进一步包括：在所述有源层上形成栅绝缘层；以及在所述栅绝缘层的远离所述通道部的一侧形成栅电极。可选地，所述栅电极、所述第二源电极和所述第二漏电极使用相同工艺相同材料形成在同一层中。另一方面，本专利技术提供一种阵列基板制造方法，包括根据本文所述方法形成薄膜晶体管。可选地，所述方法进一步包括：形成对准标记；其中，所述对准标记与所述第一源电极层和所述第一漏电极层使用相同工艺形成在同一层中。附图说明以下附图仅作为根据本文各实施例的说明性示例，并非旨在限定本专利技术的范围。图1是示出常规薄膜晶体管的结构的示意图。图2是示出根据本专利技术一些实施例的薄膜晶体管的结构的示意图。图3是示出图2中根据本专利技术一些实施例的薄膜晶体管的沿线A-A’的横截面图。图4A是示出图2中根据本专利技术一些实施例的薄膜晶体管的沿线B-B’的横截面图。图4B是示出图2中根据本专利技术一些实施例的薄膜晶体管的沿线B-B’的横截面图。图5A是示出图2中根据本专利技术一些实施例的薄膜晶体管的沿线C-C’的横截面图。图5B是示出图2中根据本专利技术一些实施例的薄膜晶体管的沿线C-C’的横截面图。图6A是示出图2中根据本专利技术一些实施例的薄膜晶体管的沿线C-C’的横截面图。图6B是示出图2中根据本专利技术一些实施例的薄膜晶体管的沿线C-C’的横截面图。图7A-7H是示出根据本专利技术一些实施例的薄膜晶体管的制造过程。具体实施方式接下来将结合实施例对本专利技术进行更具体地描述。应当注意的是，以下一些实施例的描述是出于说明和描述的目的，并非旨在穷尽或限制于所公开的精确形式。图1的示出常规薄膜晶体管结构的示意图。参见图1，所述薄膜晶体管为在底部发光型显示装置中使用的顶栅型薄膜晶体管。所述底部发光型显示装置包括避光层100，其位于衬底基板70上；缓冲层60，其位于避光层100的远离衬底基板70的一侧；有源层10，其位于缓冲层60的远离衬底基板70的一侧；栅绝缘层50，其位于有源层10的远离缓冲层60的一侧；栅电极40，其位于栅绝缘层50的远离有源层10的一侧；源电极20；以及漏电极30。源电极20和漏电极30分别通过延伸穿过绝缘层的导通部连接至有源层10的源电极接触区和漏电极接触区。在常规底部发光型显示装置中，对准标记可与避光层形成在同一层中。形成常规底部发光型显示装置总共需要五个掩模板。然而，在顶部发光型显示装置中通常不需要避光层，尤其是当薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管时。在没有避光层的顶部发光型显示装置中，因为用于制作有源层的半导体材料是透明或半透明的，所以在与有源层相同的层中形成对准标记并不理想。而形成独立金属层作为对准标记则会增加制造成本。因此，本专利技术尤其提供一种基本上消除因现有技术的局限和缺点而产生的一个或多个问题的薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及制造薄膜晶体管的方法。一方面，本专利技术提供一种薄膜晶体管。在一些实施例中，所述薄膜晶体管包括：彼此间隔分开的第一源电极和第一漏电极；有源层，其位于所述第一源电极和所述第一漏电极上，并且具有位于所述第一源电极和与所述第一漏电极之间的通道部、与所述第一源电极电连本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，包括：彼此间隔分开的第一源电极和第一漏电极；有源层，所述有源层位于所述第一源电极和所述第一漏电极上，并且具有位于所述第一源电极与所述第一漏电极之间的通道部、与所述第一源电极电连接的源电极接触部，以及与所述第一漏电极电连接的漏电极接触部；第二源电极，所述第二源电极位于所述源电极接触部的远离所述第一源电极的一侧，并且与所述第一源电极电连接；以及第二漏电极，所述第二漏电极位于所述漏电极接触部的远离所述第一漏电极的一侧，并且与所述第一漏电极电连接。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种薄膜晶体管，包括：彼此间隔分开的第一源电极和第一漏电极；有源层，所述有源层位于所述第一源电极和所述第一漏电极上，并且具有位于所述第一源电极与所述第一漏电极之间的通道部、与所述第一源电极电连接的源电极接触部，以及与所述第一漏电极电连接的漏电极接触部；第二源电极，所述第二源电极位于所述源电极接触部的远离所述第一源电极的一侧，并且与所述第一源电极电连接；以及第二漏电极，所述第二漏电极位于所述漏电极接触部的远离所述第一漏电极的一侧，并且与所述第一漏电极电连接。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述源电极接触部包括所述源电极接触部的第一部分，其夹在所述第一源电极与所述第二源电极之间；并且所述漏电极接触部包括所述漏电极接触部的第一部分，其夹在所述第一漏电极与所述第二漏电极之间。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述源电极接触部包括所述源电极接触部的第二部分；所述漏电极接触部包括所述漏电极接触部的第二部分；并且所述源电极接触部的第二部分和所述漏电极接触部的第二部分为导电部。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，进一步包括：延伸穿过所述源电极接触部的第一导通部和延伸穿过所述漏电极接触部的第二导通部；所述第二源电极通过所述第一导通部与所述第一源电极电连接；并且所述第二漏电极通过所述第二导通部与所述第一漏电极电连接。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，进一步包括：栅绝缘层，其位于所述有源层上；以及栅电极，其位于所述栅绝缘层的远离所述通道部的一侧。6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中，所述栅电极、所述第二源电极和所述第二漏电极位于同一层中并且包括相同材料。7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述有源层包括金属氧化物半导体材料。8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。9.一种阵列基板，包括权利要求1-8中任意一项所述的薄膜晶体管。10.根据权利要求9所述的阵列基板，进一步包括：对准标记，其位于所述阵列基板的对准区；其中，所述对准标记与所述第一源电极和所述第一漏电极位于同一层中。11.一种显示装置，包括权利要求1-8中任意一项所述的薄膜晶体管。12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述显示装置为顶部发光型显示装置；并且所述显示装...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘威，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
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