等离子体切割用掩模材料、掩模一体型表面保护带和半导体芯片的制造方法技术

一种等离子体切割用掩模材料，其为用于等离子体工序的掩模材料，上述掩模材料的不与被粘接体接触的面侧的表面粗糙度Rz为0.1μm～1.5μm；掩模一体型表面保护带和半导体芯片的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体切割用掩模材料、掩模一体型表面保护带和半导体芯片的制造方法
本专利技术涉及等离子体切割用掩模材料、掩模一体型表面保护带和半导体芯片的制造方法。
技术介绍
近来半导体芯片向薄膜化、小芯片化的发展显著，尤其是对于如存储卡或智能卡等的内置有半导体IC芯片的IC卡而言要求薄膜化，而且，对于LED、LCD驱动用器件等要求小芯片化。认为今后随着这些需要的增加，半导体芯片的薄膜化、小芯片化的需求会进一步提高。这些半导体芯片可通过以下方式获得，即，将半导体晶片在背面研磨工序或蚀刻工序等中薄膜化成规定厚度后，经切割工序分割成各个芯片。以往，在切割工序中，使用通过切割刀片而切断的刀片切割方式。但是，在刀片切割方式中，切断时刀片所引起的切削阻力直接施加到半导体晶片。因此，有时会因该切削阻力而使半导体芯片产生微小的缺损(碎片(chipping))。碎片产生不仅有损半导体芯片的外观，而且根据情况的不同有可能因抗弯强度不足而导致拾取时的芯片破损，甚至连芯片上的电路图案也会破损。另外，在利用刀片进行的物理切割工序中，无法使作为芯片彼此的间隔的切口(kerf)(也称为切割线(scribeline)、切割道(street))的宽度窄于具有厚度的刀片宽度。其结果，能够由一片晶片取得的芯片的数量(收率)变少。此外，还存在晶片的加工时间长的问题。因此，除刀片切割方式以外，在切割工序中还利用各种方式。例如，代表性地有：1)先以规定的厚度在晶片形成槽，然后进行磨削加工，同时进行薄膜化与向芯片的单片化的DBG(先切割)方式；2)利用激光进行的激光切割方式；3)利用水压进行切割的喷水方式等使用湿式工艺的方式；4)在晶片的厚度方向上利用激光形成改性层，并扩张、分割而单片化的隐形切割(stealthdicing)方式；5)将隐形切割和先切割合并的方式；等等。这些方式各自具有优点。但是，这些方式会有芯片破损、极小芯片的制造需要的时间长、表面污染、切口宽度窄小化被制约、所得到的芯片的收率下降、芯片抗弯强度下降、芯片端面与相邻芯片碰撞而发生芯片缺角等问题。除了这些方式之外，切割工序还有6)等离子体切割方式(例如参见专利文献1)。等离子体切割方式为下述方法：通过用等离子体选择性地蚀刻未被掩模覆盖的部位，从而对半导体晶片进行分割。若使用该切割方法，则能够选择性地进行芯片的分割，即便切割线弯曲也能没有问题地分割。另外，由于蚀刻速率非常高，因而近年来一直被视为最适于芯片分割的工艺之一。在等离子体切割方式中，将六氟化硫(SF6)或四氟化碳(CF4)等与晶片的反应性非常高的氟系气体用作等离子体产生用气体。在使用该方式的情况下，由于其蚀刻速率高，因而对于不进行蚀刻的面必须利用掩模进行保护，需要事先形成掩模。作为该掩模的形成方法，如专利文献1中记载的那样，通常采用下述技术：在晶片的表面涂布抗蚀剂后，利用光刻工艺去除与切割道相当的部分而形成掩模。因此，为了进行等离子体切割，需要等离子体切割设备以外的光刻工序设备，存在芯片成本升高的问题。另外，在通过激光照射去除掩模而使切割线露出的工序中，存在由于掩模材料无法良好地吸收激光而发生反射、散射从而无法良好地去除掩模材料的问题。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007-19385号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题鉴于上述问题，本专利技术人研究了，作为用于等离子体切割的掩模材料，开发出一种能够良好地吸收激光(激光的吸收能力优异)、在掩模去除工序中能够无残渣地去除掩模的掩模材料。通过使用本专利技术中的掩模材料，至少可通过下述工序制造半导体芯片。[工序](A)利用激光切断对表面露出的掩模材料层进行的半导体晶片的切割道部的开口工序；(B)等离子体切割工序；和(C)残留的掩模材料层的灰化工序。在工序(A)中，要求晶片薄膜加工后的掩模材料层和与其接触的层(具有粘合剂层的情况下为粘合剂层，不具有粘合剂层的情况下为基材膜等)的简单且良好的剥离性；以及能够利用激光切断掩模材料层中与半导体晶片的切割道相当的部分而将半导体晶片的切割道高精度地开口的性能。在工序(B)中，要求保护晶片免受SF6等离子体等照射等离子体的损伤的性能；在工序(C)中，要求利用O2等离子体等照射等离子体去除掩模材料层的性能。可知：若基材表面粗糙度过粗糙，则与基材接触的掩模材料表面、或隔着粘合剂层设置的掩模材料表面变得粗糙，在工序(A)中激光在掩模材料表面发生散射，结果存在晶片的切割道的开口无法良好地进行、或残渣较多地残留的问题。另外可知：若基材表面粗糙度过于平滑，则在间隔件(是指与掩模材料层接触的表面保护带或基材膜)剥离时掩模材料向间隔件侧被拉伸，存在剥离间隔件时掩模材料从晶片剥离的问题。因此，本专利技术的课题在于提供一种等离子体切割用掩模材料，其为在使用了等离子体切割方式的半导体芯片的制造中使用的掩模材料，在半导体芯片的制造工序的各工序显示出优异的性能，并且，在掩模去除工序中具有优异的去除性。尤其是，本专利技术的课题在于提供一种在通过设置掩模材料层而产生的利用激光开口的切断/去除性、和利用O2等的等离子体灰化的去除性等应克服的问题方面均优异的掩模材料；并且，本专利技术的课题在于提供一种至少具有这些性能优异的掩模材料层的掩模一体型表面保护带、以及使用该掩模一体型表面保护带的半导体芯片的制造方法。用于解决课题的手段即，本专利技术的上述课题可通过以下的手段解决。(1)一种等离子体切割用掩模材料，其为用于等离子体工序的掩模材料，其特征在于，上述掩模材料的不与被粘接体接触的面侧的表面粗糙度Rz为0.1μm～1.5μm。(2)一种掩模一体型表面保护带，其为用于半导体芯片的制造的掩模一体型表面保护带，其至少具有基材膜和设置于该基材膜上的掩模材料层，其特征在于，上述掩模材料层的不与被粘接体接触的面侧的表面粗糙度Rz为0.1μm～1.5μm。(3)如(2)所述的掩模一体型表面保护带，其特征在于，上述掩模材料层与上述基材膜接触地设置、或隔着粘合剂层而设置。(4)如(2)或(3)所述的掩模一体型表面保护带，其特征在于，上述掩模材料层在355nm～10800nm的波长区域中的平行光线吸收率为50％以上。(5)如(2)～(4)中任一项所述的掩模一体型表面保护带，其特征在于，上述掩模材料层含有树脂和至少一种紫外线吸收剂，该紫外线吸收剂为具有选自三嗪骨架、二苯甲酮骨架、苯并三唑骨架和苯甲酸酯骨架中的任一种骨架的化合物，上述掩模材料层中的上述紫外线吸收剂的含量相对于上述树脂100质量份为0.5质量份～1.5质量份。(6)如(2)～(4)中任一项所述的掩模一体型表面保护带，其特征在于，上述掩模材料层含有具有紫外线吸收骨架的(甲基)丙烯酸聚合物。(7)如(2)～(6)中任一项所述的掩模一体型表面保护带，其特征在于，上述掩模材料层为辐射固化型。(8)如(2)～(6)中任一项所述的掩模一体型表面保护带，其特征在于，上述掩模材料层隔着粘合剂层而设置，构成上述粘合剂层的粘合剂为压敏型粘合剂。(9)如(2)～(8)中任一项所述的掩模一体型表面保护带，其特征在于，上述基材膜至少具有聚烯烃树脂层。(10)一种半导体芯片的制造方法，其为使用掩模一体型表面保护带的半导体芯片的制造方法，该掩模一体型表面保护带至少具有基材膜和设置于该本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体切割用掩模材料，其为用于等离子体工序的掩模材料，其特征在于，所述掩模材料的不与被粘接体接触的面侧的表面粗糙度Rz为0.1μm～1.5μm。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.10.18 JP 2017-2022341.一种等离子体切割用掩模材料，其为用于等离子体工序的掩模材料，其特征在于，所述掩模材料的不与被粘接体接触的面侧的表面粗糙度Rz为0.1μm～1.5μm。2.一种掩模一体型表面保护带，其为用于半导体芯片的制造的掩模一体型表面保护带，其至少具有基材膜和设置于该基材膜上的掩模材料层，其特征在于，所述掩模材料层的不与被粘接体接触的面侧的表面粗糙度Rz为0.1μm～1.5μm。3.如权利要求2所述的掩模一体型表面保护带，其特征在于，所述掩模材料层与所述基材膜接触地设置、或隔着粘合剂层而设置。4.如权利要求2或3所述的掩模一体型表面保护带，其特征在于，所述掩模材料层在355nm～10800nm的波长区域中的平行光线吸收率为50％以上。5.如权利要求2～4中任一项所述的掩模一体型表面保护带，其特征在于，所述掩模材料层含有树脂和至少一种紫外线吸收剂，该紫外线吸收剂为具有选自三嗪骨架、二苯甲酮骨架、苯并三唑骨架和苯甲酸酯骨架中的任一种骨架的化合物，所述掩模材料层中的所述紫外线吸收剂的含量相对于所述树脂100质量份为0.5质量份～1.5质量份。6.如权利要求2～4中任一项所述的掩模一体型表面保护带，其特征在于，所述掩模材料层含有具有紫外线吸收骨架的(甲基)丙烯酸聚合物。7.如权利要求5或6所述的掩模一体型表面保护带，其特征在于，所述掩模材料层为辐射固...

【专利技术属性】
技术研发人员：西川拓弥，阿久津晃，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP